高速3.3V
16K ×16的双端口
静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
低功耗工作
- IDT70V26S
主动：为300mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V26L
主动：为300mW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
总线兼容性
x
IDT70V26S/L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70V26轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供84引脚PGA和PLCC
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
A
13L
A
0L
(1,2)
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R
地址
解码器
14
(1,2)
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
仲裁
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
SEM
L
M / S
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出的非三态推挽。
SEM
R
2945 DRW 01
2000年6月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC 13分之2945
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V26是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。
该IDT70V26被设计为用作一个独立的256K位双核
端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM为32
位或更多的字的系统。采用IDT主/从双端口
在32位或更宽的存储器系统的应用程序的结果的RAM的方法
在全速无差错而无需附加的操作
离散逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
断特性所控制
CE
允许芯片上的电路的每一个
端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V26封装在陶瓷84引脚的PGA和
84引脚PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
OE
L
V
CC
读/写
L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
SEM
L
CE
L
A
13L
A
12L
A
11L
UB
L
指数
11 10 9 8 7 6
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
73
72
71
70
69
68
67
IDT70V26J
J84-1
(4)
84引脚PLCC
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
LB
L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
GND
M / S
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
2945 DRW 02
54
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
GND
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
10R
I / O
15R
OE
R
读/写
R
GND
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
A
13R
A
12R
A
11R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.15英寸x 1.15英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9R
6.42
2
A
10R
A
9R
A
8R
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
63
61
60
58
55
54
51
48
46
45
42
11
I / O
7L
66
I / O
5L
64
I / O
4L
62
I / O
2L
59
I / O
0L
56
OE
L
49
SEM
L
50
LB
L
47
A
12L
44
A
11L
43
A
8L
40
10
I / O
10L
67
I / O
8L
65
I / O
6L
I / O
3L
I / O
1L
57
UB
L
53
CE
L
52
A
13L
A
10L
A
9L
41
39
A
6L
09
I / O
11L
69
I / O
9L
68
GND
V
CC
读/写
L
A
7L
38
37
A
5L
08
I / O
13L
72
I / O
12L
71
73
33
A
4L
35
A
3L
34
07
I / O
15L
75
I / O
14L
70
V
CC
74
忙
L
IDT70V26G
G84-3
(4)
84针PGA
顶视图
(5)
32
A
1L
31
A
0L
36
06
I / O
0R
76
GND
77
GND
78
GND
28
M / S
29
A
2L
30
05
I / O
1R
79
I / O
2R
80
V
CC
A
1R
A
0R
26
忙
R
27
04
I / O
3R
81
I / O
4R
83
7
11
12
A
3R
23
A
2R
25
03
I / O
5R
82
1
I / O
7R
2
5
GND
8
GND
10
SEM
R
14
17
20
A
6R
22
A
4R
24
02
I / O
6R
84
3
I / O
9R
I / O
10R
4
I / O
13R
6
I / O
15R
9
读/写
R
15
UB
R
13
A
12R
16
A
9R
18
A
7R
19
A
5R
21
01
I / O
8R
A
I / O
11R
B
I / O
12R
C
I / O
14R
D
OE
R
E
LB
R
F
CE
R
G
A
13R
H
A
11R
J
A
10R
K
A
8R
L
2945 DRW 03
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.12英寸x 1.12英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2945 TBL 01
名字
6.42
3
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1,2)
GRADE
环境温度
广告
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0V
0V
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
2945 TBL 05
GND
VCC
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
产业
o
mA
2945 TBL 04
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2945 TBL 06
电容
符号
C
IN
C
OUT
(1)
V
IL
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2945 TBL 07
参数
输入电容
输出电容
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V26S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70V26L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2945 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
5
高速3.3V
16K ×16的双端口
静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
低功耗工作
- IDT70V26S
主动：为300mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V26L
主动：为300mW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
总线兼容性
x
IDT70V26S/L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70V26轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供84引脚PGA和PLCC
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
A
13L
A
0L
(1,2)
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R
地址
解码器
14
(1,2)
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
仲裁
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
SEM
L
M / S
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出的非三态推挽。
SEM
R
2945 DRW 01
2000年6月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC 13分之2945
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V26是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。
该IDT70V26被设计为用作一个独立的256K位双核
端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM为32
位或更多的字的系统。采用IDT主/从双端口
在32位或更宽的存储器系统的应用程序的结果的RAM的方法
在全速无差错而无需附加的操作
离散逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
断特性所控制
CE
允许芯片上的电路的每一个
端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V26封装在陶瓷84引脚的PGA和
84引脚PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
OE
L
V
CC
读/写
L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
SEM
L
CE
L
A
13L
A
12L
A
11L
UB
L
指数
11 10 9 8 7 6
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
73
72
71
70
69
68
67
IDT70V26J
J84-1
(4)
84引脚PLCC
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
LB
L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
GND
M / S
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
2945 DRW 02
54
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
GND
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
10R
I / O
15R
OE
R
读/写
R
GND
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
A
13R
A
12R
A
11R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.15英寸x 1.15英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9R
6.42
2
A
10R
A
9R
A
8R
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
63
61
60
58
55
54
51
48
46
45
42
11
I / O
7L
66
I / O
5L
64
I / O
4L
62
I / O
2L
59
I / O
0L
56
OE
L
49
SEM
L
50
LB
L
47
A
12L
44
A
11L
43
A
8L
40
10
I / O
10L
67
I / O
8L
65
I / O
6L
I / O
3L
I / O
1L
57
UB
L
53
CE
L
52
A
13L
A
10L
A
9L
41
39
A
6L
09
I / O
11L
69
I / O
9L
68
GND
V
CC
读/写
L
A
7L
38
37
A
5L
08
I / O
13L
72
I / O
12L
71
73
33
A
4L
35
A
3L
34
07
I / O
15L
75
I / O
14L
70
V
CC
74
忙
L
IDT70V26G
G84-3
(4)
84针PGA
顶视图
(5)
32
A
1L
31
A
0L
36
06
I / O
0R
76
GND
77
GND
78
GND
28
M / S
29
A
2L
30
05
I / O
1R
79
I / O
2R
80
V
CC
A
1R
A
0R
26
忙
R
27
04
I / O
3R
81
I / O
4R
83
7
11
12
A
3R
23
A
2R
25
03
I / O
5R
82
1
I / O
7R
2
5
GND
8
GND
10
SEM
R
14
17
20
A
6R
22
A
4R
24
02
I / O
6R
84
3
I / O
9R
I / O
10R
4
I / O
13R
6
I / O
15R
9
读/写
R
15
UB
R
13
A
12R
16
A
9R
18
A
7R
19
A
5R
21
01
I / O
8R
A
I / O
11R
B
I / O
12R
C
I / O
14R
D
OE
R
E
LB
R
F
CE
R
G
A
13R
H
A
11R
J
A
10R
K
A
8R
L
2945 DRW 03
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.12英寸x 1.12英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2945 TBL 01
名字
6.42
3
IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1,2)
GRADE
环境温度
广告
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0V
0V
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
2945 TBL 05
GND
VCC
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
产业
o
mA
2945 TBL 04
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2945 TBL 06
电容
符号
C
IN
C
OUT
(1)
V
IL
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2945 TBL 07
参数
输入电容
输出电容
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V26S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70V26L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2945 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
5
QQ：2880707522 复制
