高速3.3V
128K ×8双端口
静态RAM
特点
◆
◆
IDT70V09L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15 / 20ns的（最大）
- 工业： 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V09L
主动： 440MW （典型值）。
待机： 660μW （典型值）。
双芯片能够允许深度扩展，而不
外部逻辑
IDT70V09轻松扩展数据总线宽度为16位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I / O
0-7L
I / O
控制
(1,2)
I / O
控制
I / O
0-7R
(1,2)
忙
L
A
16L
A
0L
忙
R
128Kx8
内存
ARRAY
70V09
17
17
地址
解码器
地址
解码器
A
16R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(2)
INT
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
4852 DRW 01
(1)
M / S
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并且当它是一个主站（ M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2003年9月
DSC-4852/4
1
2003集成设备技术有限公司
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V09是一个高速128K ×8双端口静态RAM 。
该IDT70V09被设计为用作一个独立的1024K位
双端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM
对于16位或更多的字系统。采用IDT主/从双核
在16位或更广泛的存储系统应用端口RAM的方法
结果在全速无错操作，而无需额外
tional离散逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
描述
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
由芯片控制下功能使（或
CE
0
或CE
1
)
使芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为440MW操作。
该IDT70V09封装在一个100引脚薄型四方扁平封装
（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
A
16L
VCC
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
GND
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
72
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
NC
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
IDT70V09PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
A
16R
GND
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
OE
R
GND
GND
NC
4852 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
GND
NC
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I/O1
L
I / O
0L
VCC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
VCC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
NC
NC
NC
2
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
16L
I / O
0L
- I / O
7L
SEM
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
16R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
4852 TBL 01
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4852 TBL 04
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
o
mA
4852 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4852 TBL 05
输出电容
最大工作温度
与电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4852 TBL 03
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
化测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
3
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2)
CE
L
CE
0
V
IL
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
(3)
CE
1
模式
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4852 TBL 06
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
(3)
<0.2V
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
水平;
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V
CC
-0.2V.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
4852 TBL 07
模式
注意事项：
1. A
0L
— A
16L
≠
A
0R
— A
16R
2.参考真值表I - 芯片使能。
真值表III - 旗语读/写控制
(1)
输入
CE
(2)
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
______
模式
阅读信号灯标志数据输出
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
4852 TBL 08
注意事项：
1.有写到我8信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
7
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考toTruth表I -
芯片使能
.
4
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V09L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
(2)
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4852 TBL 09
2.4
注意事项：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考真值表I -
芯片使能
.
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(5)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V09L15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口输出禁用，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(1)
145
____
70V09L20
Com'l
&工业
典型值。
(1)
135
135
35
35
90
90
0.2
0.2
90
90
马克斯。
205
220
55
65
140
150
3.0
3.0
135
145
4852 TBL 10
马克斯。
235
____
单位
mA
I
SB1
40
____
70
____
mA
I
SB2
100
____
155
____
mA
I
SB3
0.2
____
3.0
____
mA
I
SB4
95
____
150
____
mA
注意事项：
1. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"
为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考真值表I - 芯片使能。
5
高速3.3V
128K ×8双端口
静态RAM
特点
◆
◆
IDT70V09L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15 / 20ns的（最大）
- 工业： 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V09L
主动： 440MW （典型值）。
待机： 660μW （典型值）。
双芯片能够允许深度扩展，而不
外部逻辑
IDT70V09轻松扩展数据总线宽度为16位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I / O
0-7L
I / O
控制
(1,2)
I / O
控制
I / O
0-7R
(1,2)
忙
L
A
16L
A
0L
忙
R
128Kx8
内存
ARRAY
70V09
17
17
地址
解码器
地址
解码器
A
16R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(2)
INT
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
4852 DRW 01
(1)
M / S
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并且当它是一个主站（ M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2003年9月
DSC-4852/4
1
2003集成设备技术有限公司
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V09是一个高速128K ×8双端口静态RAM 。
该IDT70V09被设计为用作一个独立的1024K位
双端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM
对于16位或更多的字系统。采用IDT主/从双核
在16位或更广泛的存储系统应用端口RAM的方法
结果在全速无错操作，而无需额外
tional离散逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
描述
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
由芯片控制下功能使（或
CE
0
或CE
1
)
使芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为440MW操作。
该IDT70V09封装在一个100引脚薄型四方扁平封装
（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
A
16L
VCC
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
GND
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
72
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
NC
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
IDT70V09PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
A
16R
GND
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
OE
R
GND
GND
NC
4852 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
GND
NC
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I/O1
L
I / O
0L
VCC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
VCC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
NC
NC
NC
2
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
16L
I / O
0L
- I / O
7L
SEM
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
16R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
4852 TBL 01
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4852 TBL 04
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
o
mA
4852 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4852 TBL 05
输出电容
最大工作温度
与电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4852 TBL 03
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
化测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
3
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2)
CE
L
CE
0
V
IL
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
(3)
CE
1
模式
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4852 TBL 06
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
(3)
<0.2V
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
水平;
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V
CC
-0.2V.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
4852 TBL 07
模式
注意事项：
1. A
0L
— A
16L
≠
A
0R
— A
16R
2.参考真值表I - 芯片使能。
真值表III - 旗语读/写控制
(1)
输入
CE
(2)
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
______
模式
阅读信号灯标志数据输出
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
4852 TBL 08
注意事项：
1.有写到我8信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
7
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考toTruth表I -
芯片使能
.
4
IDT70V09L
高速128K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V09L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
(2)
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4852 TBL 09
2.4
注意事项：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考真值表I -
芯片使能
.
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(5)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V09L15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口输出禁用，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(1)
145
____
70V09L20
Com'l
&工业
典型值。
(1)
135
135
35
35
90
90
0.2
0.2
90
90
马克斯。
205
220
55
65
140
150
3.0
3.0
135
145
4852 TBL 10
马克斯。
235
____
单位
mA
I
SB1
40
____
70
____
mA
I
SB2
100
____
155
____
mA
I
SB3
0.2
____
3.0
____
mA
I
SB4
95
____
150
____
mA
注意事项：
1. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"
为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考真值表I - 芯片使能。
5
QQ：2880707522 复制
