高速3.3V
32K ×8双端口
静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
- 印度斯特拉尔： 25ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V07S
主动：为300mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V07L
主动：为300mW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
中断标志
IDT70V07S/L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
IDT70V07轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供68引脚的PGA和PLCC和80引脚TQFP
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
忙
L
A
14L
A
0L
(1,2)
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
,
忙
R
地址
解码器
15
(1,2)
内存
ARRAY
15
地址
解码器
A
14R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
L
(2)
INT
L
M / S
SEM
R
INT
R(2)
2943 DRW 01
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
2004年10月
1
DSC 6分之2943
2004集成设备技术有限公司
IDT70V07S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V07是一个高速32K ×8双端口静态RAM 。该
IDT70V07被设计为用作一个独立的256K位双端口
RAM或作为组合主/从双口RAM为16比特
或者，更字系统。采用IDT主/从双口RAM
在16位或更广泛的存储系统应用成果在全办法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V07封装在陶瓷68针的PGA和PLCC和
一个80引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
10/25/01
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
A
14L
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9
8
7
6
5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
IDT70V07J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2943 DRW 02
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3. J68-1包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
A
14R
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
2
IDT70V07S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
10/25/01
指数
N / C
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61
1
60
2
59
3
58
4
57
5
56
6
55
7
54
53
8
IDT70V07PF
(4)
9
PN80-1
52
10
51
11
50
12
49
80引脚TQFP
(5)
13
48
顶视图
14
47
15
46
16
45
17
44
18
43
19
42
20
41
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
A
14L
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
N / C
N / C
N / C
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
N / C
N / C
2943 DRW 03
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3. PN80-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
A
14R
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
N / C
N / C
3
IDT70V07S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
10/25/01
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
A
0L
忙
L
M / S
40
38
R
A
1R
INT
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
10
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
09
08
57
56
A
11L
A
10L
59
58
V
CC
A
12L
61
60
A
13L
07
IDT70V07G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
28
A
11R
26
GND
06
A
14L
05
63
62
SEM
L
CE
L
65
64
OE
L
读/写
L
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
4
I / O
3L
I / O
5L
B
C
24
25
A
14R
A
13R
22
23
SEM
R
CE
R
20
OE
R
21
读/写
R
04
03
02
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
I / O
6L
D
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
E
F
G
H
J
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
,
01
A
指数
L
2943 DRW 04
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
14L
I / O
0L
- I / O
7L
SEM
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
14R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
2943 TBL 01
4
IDT70V07S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
工业和商业温度范围
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
(1)
CE
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
2943 TBL 02
模式
注意：
1. A
0L
— A
14L
≠
A
0R
— A
14R
事实表二：信号灯读/写控制
输入
(1)
CE
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
____
模式
在信号灯标记读取数据
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
2943 TBL 03
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （ I / O读
0
-I / O
7
） 。这八个信号灯由A处理
0
-A
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
相对于GND
在偏置温度
StorageTemperature
结温
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
-55到+125
-65到+150
+150
50
单位
V
o
o
o
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
2943 TBL 05
T
BIAS
(3)
T
英镑
T
JN
I
OUT
C
C
C
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
mA
2943 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
3.环境温度下偏置。没有交流的条件。芯片取消。
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2943 TBL 06
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
(2)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2943 TBL 07
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. C
OUT
还引用
I / O
.
5
高速3.3V
32K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT70V07S/L
产品特点：
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
高速访问
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
低功耗运行
- IDT70V07S
主动：为450mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70V07L
主动：为450mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
IDT70V07轻松扩展数据总线宽度为16位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
M/
S
= H的
忙
法师输出标志
M/
S
= L为
忙
输入从机上
忙碌和中断标志
片上端口仲裁逻辑
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
设备能够超过2001V承受更大的
静电放电
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
提供68引脚的PGA ， 68引脚PLCC和64引脚
TQFP
描述：
该IDT70V07是一个高速32K ×8双端口静态
内存。该IDT70V07被设计为用作一个独立的
双端口RAM或作为一个组合主/从双核
端口RAM为16位或更多的字的系统。采用IDT
在16位或更宽的主/从双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
功能框图
OE
L
OE
R
R/
CE
L
R/
W
L
CE
R
W
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
15
(1,2)
A
14L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
14R
A
0R
15
OE
L
R/
CE
L
W
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
R/
OE
R
W
R
SEM
R
INT
R
SEM
L
(2)
INT
L
M/
S
(2)
2943 DRW 01
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2943/3
6.37
1
IDT70V07S/L
高速3.3V 32K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率只为450mW操作。
该IDT70V07封装在陶瓷68针的PGA ，一个68-
引脚PLCC和80引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2)
I / O
1L
I / O
0L
N / C
SEM
L
4
L
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
R/
9
8
7
6
5
3
A
14L
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
OE
L
W
CE
L
IDT70V07
J68-1
PLCC
顶部
VIEW(3)
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M/
S
INT
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2943 DRW 02
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
OE
R
SEM
R
W
R
R/
CE
R
I / O
7R
N / C
A
14R
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
I / O
1L
I / O
0L
N / C
R/
L
SEM
L
指数
N / C
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
N / C
A
14L
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
N / C
N / C
OE
L
W
CE
L
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
70V07
PN80-1
TQFP
顶部
VIEW(3)
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
N / C
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M/
S
INT
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
N / C
N / C
2943 DRW 03
R/
R
I / O
7R
N / C
OE
R
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的零件标记。
6.37
SEM
R
N / C
A
14R
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
N / C
N / C
CE
R
W
2
IDT70V07S/L
高速3.3V 32K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
L
L
X
注意：
R/
W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
模式
2943 TBL 02
1. A
0L
— A
14L
≠
A
0R
— A
14R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
H
L
R/
W
H
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
—
在信号灯标记读取数据
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
模式
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （ I / O读
0
-I / O
7
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
2943 TBL 03
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
商业单位
-0.5到+4.6
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
2943 TBL 05
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
°C
°C
°C
mA
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
(1)
典型值。
3.3
0
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
0.8
V
V
V
2943 TBL 06
V
CC
+0.3 V
注意事项：
2943 TBL 04
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V对循环时间的25％以上
或为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+ 0.3V.
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
注意事项：
2943 TBL 07
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.37
4
IDT70V07S/L
高速3.3V 32K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V07S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT70V07L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2943 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V07X25
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
TEST
条件
VERSION
Com'l 。
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
100
100
14
12
50
50
70V07X35
70V07X55
MAX 。 UNIT
140毫安
120
30
24
87
75
mA
马克斯。典型值。
(2)
170
140
30
24
95
85
90
90
12
10
45
45
马克斯。典型值。
(2)
140
120
30
24
87
75
90
90
12
10
45
45
f = f
MAX(3)
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH(5)
有源输出端口打开，
I
SB1
Com'l 。
f = f
MAX(3)
I
SB2
Com'l 。
mA
f = f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
Com'l 。
S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
Com'l 。
S
L
60
60
90
80
55
55
85
74
55
55
85
74
mA
注意事项：
2943 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 80毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.37
5
QQ：2880707522 复制
