高速3.3V
8K ×8双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT70V05S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
- 工业： 20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V05S
主动：为400mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V05L
主动： 380MW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
x
x
x
x
x
x
x
x
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供68引脚的PGA和PLCC封装，以及64引脚TQFP
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
R/
W
L
OE
R
CE
R
R/
W
R
CE
L
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
A
12L
A
0L
地址
解码器
13
忙
R
(1,2)
内存
ARRAY
13
地址
解码器
A
12R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
INT
L
(2)
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
M/
S
SEM
R
INT
R
(2)
2941 DRW 01
2000年3月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC六分之二千九百四十一
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT70V05是一个高速8K ×8双端口静态RAM 。该
IDT70V05被设计为用作一个独立的64K位双端口
SRAM或作为组合主/从双端口SRAM为16比特
或者，更字系统。采用IDT主/从双端口SRAM
在16位或更广泛的存储系统应用成果在全办法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为400mW的运行。
该IDT70V05封装在陶瓷68针的PGA和PLCC
和64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9 8 7
6 5 4 3
2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT70V05J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 02
,
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
L
R/
W
L
SEM
L
CE
L
I / O
1L
I / O
0L
指数
59
58
57
54
53
52
64
63
62
61
60
56
55
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J68-1包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
PN64包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表明oriention实际部件标记
20
21
22
26
27
28
29
30
31
17
18
19
23
24
25
32
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
70V05PF
PN-64
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
INT
L
忙
L
GND
M/
S
,
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 03
6.42
2
OE
R
R/
W
R
SEM
R
CE
R
I / O
6R
I / O
7R
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
40
38
A
0L
忙
L
M/
S诠释
R
A
1R
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
28
A
11R
26
GND
24
N / C
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
25
N / C
23
10
09
08
07
56
57
A
11L
A
10L
58
59
V
CC
A
12L
60
61
N / C
N / C
63
62
IDT70V05G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
06
05
SEM
L
65
CE
L
64
读/写
L
04
03
02
OE
L
SEM
R
20
22
CE
R
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
4
I / O
5L
I / O
3L
B
C
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
I / O
6L
D
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
E
F
G
H
J
OE
R
21
R/
W
R
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
L
2941 DRW 04
,
01
A
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的oriention 。
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2941 TBL 01
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
A
0L
- A
12L
I / O
0L
- I / O
7L
OE
R
A
0R
- A
12R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
L
INT
L
忙
L
SEM
R
INT
R
忙
R
M/
S
V
CC
GND
6.42
3
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
2941 TBL 05
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
产业
o
注意：
1.这是参数T
A
.
mA
2941 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.5
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2941 TBL 06
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2941 TBL 07
V
IL
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.3V.
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插capacitznce当输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V05S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70V05L
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2941 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
5
高速3.3V
8K ×8双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT70V05S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
- 工业： 20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V05S
主动：为400mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V05L
主动： 380MW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
x
x
x
x
x
x
x
x
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供68引脚的PGA和PLCC封装，以及64引脚TQFP
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
R/
W
L
OE
R
CE
R
R/
W
R
CE
L
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
A
12L
A
0L
地址
解码器
13
忙
R
(1,2)
内存
ARRAY
13
地址
解码器
A
12R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
INT
L
(2)
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
M/
S
SEM
R
INT
R
(2)
2941 DRW 01
2000年3月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC六分之二千九百四十一
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT70V05是一个高速8K ×8双端口静态RAM 。该
IDT70V05被设计为用作一个独立的64K位双端口
SRAM或作为组合主/从双端口SRAM为16比特
或者，更字系统。采用IDT主/从双端口SRAM
在16位或更广泛的存储系统应用成果在全办法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为400mW的运行。
该IDT70V05封装在陶瓷68针的PGA和PLCC
和64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9 8 7
6 5 4 3
2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT70V05J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 02
,
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
L
R/
W
L
SEM
L
CE
L
I / O
1L
I / O
0L
指数
59
58
57
54
53
52
64
63
62
61
60
56
55
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J68-1包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
PN64包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表明oriention实际部件标记
20
21
22
26
27
28
29
30
31
17
18
19
23
24
25
32
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
70V05PF
PN-64
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
INT
L
忙
L
GND
M/
S
,
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 03
6.42
2
OE
R
R/
W
R
SEM
R
CE
R
I / O
6R
I / O
7R
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
40
38
A
0L
忙
L
M/
S诠释
R
A
1R
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
28
A
11R
26
GND
24
N / C
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
25
N / C
23
10
09
08
07
56
57
A
11L
A
10L
58
59
V
CC
A
12L
60
61
N / C
N / C
63
62
IDT70V05G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
06
05
SEM
L
65
CE
L
64
读/写
L
04
03
02
OE
L
SEM
R
20
22
CE
R
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
4
I / O
5L
I / O
3L
B
C
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
I / O
6L
D
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
E
F
G
H
J
OE
R
21
R/
W
R
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
L
2941 DRW 04
,
01
A
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的oriention 。
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2941 TBL 01
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
A
0L
- A
12L
I / O
0L
- I / O
7L
OE
R
A
0R
- A
12R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
L
INT
L
忙
L
SEM
R
INT
R
忙
R
M/
S
V
CC
GND
6.42
3
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
2941 TBL 05
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
产业
o
注意：
1.这是参数T
A
.
mA
2941 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.5
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2941 TBL 06
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2941 TBL 07
V
IL
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.3V.
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插capacitznce当输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V05S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70V05L
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2941 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
