高速2.5V
16 / 8K ×9双端口
静态RAM
.eatures
x
x
初步
IDT70T16/5L
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 20 / 25ns的（最大）
- 工业：为25ns （最大）
低功耗工作
- IDT70T16 / 5L
主动：为200mW （典型值）。
待机： 600
W（典型值）。
x
IDT70T16 / 5轻松扩展数据总线宽度为18位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
x
x
x
x
x
x
x
x
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
LVTTL兼容，单2.5V （ ± 100mV的）电源
采用80引脚TQFP和100引脚
引脚fpBGA
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
.UNCTIONAL框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
忙
L
(2,3)
I / O
0R
-I / O
8R
I / O
控制
忙
R
(2,3)
地址
解码器
14
A
13L
(1)
A
0L
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
(1)
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
L
(3)
INT
L
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70T15 。
2. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
3.
忙
输出和
INT
输出的非三态的推挽驱动。
M / S
SEM
R
(3)
INT
R
5663 DRW 01
2002年8月
1
2002集成设备技术有限公司
DSC一分之五千六百六十三
IDT70T16/5L
高速2.5V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述
该IDT70T16 / 5是一个高速16 / 8K ×9双端口静态RAM 。
该IDT70T16 / 5被设计用于作为独立的双端口RAM的
或作为组合主/从双端口RAM用于18位或更多的
更广泛的系统。采用IDT主/从双口RAM AP-
proach在18位或更广泛的存储系统应用成果全速，
无需额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为200mW的运行。
该IDT70T16 / 5封装在一个80 pinTQFP （薄型四方扁平封装）
和100引脚
引脚fpBGA
（细间距球栅阵列） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3,4)
I / O
1L
I / O
0L
I / O
8L
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
NC
V
DD
A
12L
A
11L
A
10L
07/11/02
NC
A
13L
(1)
A
7L
A
6L
A
9L
A
8L
指数
79
78
77
76
70
69
72
71
66
65
64
63
62
80
75
68
67
61
74
73
NC
NC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
NC
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
V
SS
I / O
6L
I / O
7L
V
DD
NC
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
NC
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
V
SS
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
NC
NC
,
IDT70T16/5PF
PN80-1
(5)
80引脚TQFP
顶视图
(6)
21
22
23
27
28
30
31
33
34
37
38
26
35
24
25
29
32
36
39
40
NC
19
20
42
41
I / O
7R
I / O
8R
OE
R
A
13R
(1)
V
SS
NC
NC
读/写
R
SEM
R
CE
R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70T15 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不意味着部分标记的方向。
2
6.42
A
5R
NC
5663 DRW 02
IDT70T16/5L
高速2.5V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚配置（续）
(1,2,3,4)
IDT70T16/5BF
BF100
(5)
100针引脚fpBGA
顶视图
(6)
08/14/02
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A
6R
B1
A
9R
B2
A
12R
B3
NC
B4
V
SS
B5
V
SS
B6
NC
B7
读/写
R
B8
NC
B9
I / O
7R
B10
NC
C1
NC
C2
A
8R
C3
A
10R
C4
NC
C5
NC
C6
A
13R
(1)
OE
R
C7
C8
I / O
8R
C9
I / O
6R
C10
A
3R
D1
A
4R
D2
A
5R
D3
A
7R
D4
NC
D5
NC
D6
CE
R
D7
NC
D8
NC
D9
I / O
3R
D10
A
1R
E1
INT
R
E2
A
2R
E3
NC
E4
A
11R
E5
NC
E6
SEM
R
E7
NC
E8
I / O
5R
I / O
1R
E9
E10
M / S
忙
R
F1
F2
A
0R
F3
A
1L
F4
V
SS
F5
V
SS
F6
I / O
4R
F7
I / O
2R
F8
I / O
0R
F9
V
DD
F10
V
SS
G1
忙
L
G2
A
0L
G3
NC
G4
V
DD
G5
V
SS
G6
V
DD
G7
I / O
5L
G8
I / O
6L
G9
I / O
7L
G10
INT
L
H1
A
3L
H2
A
6L
H3
NC
H4
NC
H5
SEM
L
H6
NC
H7
I / O
3L
H8
V
SS
H9
I / O
4L
H10
,
A
2L
J1
A
5L
J2
A
10L
J3
NC
J4
NC
J5
CE
L
I / O
8L
NC
NC
J9
I / O
2L
J10
A
4L
K1
A
8L
K2
A
11L
K3
NC
K4
NC
K5
J8
J6
J7
(1)
A
13L
读/写
L
NC
K6
K7
K8
V
SS
K9
I / O
1L
K10
A
7L
A
9L
A
12L
NC
V
DD
V
DD
NC
NC
OE
L
I / O
0L
5 6 63 RW 0 3
注意事项：
1. A
13
是NC的IDT70T15 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须接地。
4. BF- 100封装体约为10x10公厘X 1.4毫米，具有0.8mm焊球间距。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的零件标记的方向。
6.42
3
IDT70T16/5L
高速2.5V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
(1)
I / O
0L
- I / O
8L
SEM
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
(1)
I / O
0R
- I / O
8R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
DD
V
SS
注意：
1. A
13
是NC的IDT70T15 。
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
电源（ 2.5V ）
地（ 0V ）
5663 TBL 01
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
(1)
CE
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-8
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
Deselcted ：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
5663 TBL 02
模式
注意：
1.
条件：A
0L
— A
13L
≠
A
0R
— A
13R
事实表二：信号灯读/写控制
(1)
输入
CE
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-8
数据
OUT
数据
IN
____
模式
阅读信号灯标志数据输出（ I / O
0
- I / O
8
)
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
5663 TBL 03
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的读取I / O
s
（ I / O
0
-I / O
8
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2.
4
6.42
IDT70T16/5L
高速2.5V 16 / 8K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
S YM B○升
V
TERM
(2 )
T
BIAS
(3 )
T
英镑
T
JN
I
OUT
Ratin克
特RM在人V LTAG ê
瓦特第i个电子旗下P权证吨至G N D
TE米P·Eラ恩再加利D E R B IA s
S到RA克éテ米P·EラTURE
加利 TIO Nテ米P·E叉涂抹
D C O u那样TP ü吨碳urre新台币
钴M M ercial
&在杜血管纹
-0.5 + 3 0.6
-55 + 25 1
-65 + 50 1
+ 15 0
50
取消它
V
o
最大工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
联合米M E RC IAL
工业ustrial
上午bient
tem温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
V
DD
2.5V
+
百米V
2.5V
+
百米V
5663 TBL 05
C
C
C
o
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
mA
5 6 63 TB升04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
3.环境温度下偏置。没有交流的条件。芯片取消。
建议的直流工作
条件
S y时M B OL
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
P ARAM ETER
的SuI P P LY VO LTA克é
摹RO ü N D
在P ü吨 IG 武LTA克é
在P ü T L O w制备V LTA克é
M英寸
2.4
0
1.7
-0 .3
(1 )
典型值。
2.5
0
_ __ _
M AX 。
2.6
0
V
D D
+ 0 . 3
0.7
(2 )
取消它
V
V
V
V
5 6 63 TB升06
_ __ _
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
SYM BOL
C
IN
C
UT
PARAM ETER
INP UT帽acitanc ê
OUTP UT帽AC itance
条件
(2)
V
IN
= 3D V
V
UT
= 3D V
M AX 。
9
10
单位
pF
pF
5663 TBL 07
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
DD
= 2.5V ± 100mV的）
70T 16 / 5L
S y时米博升
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
P ARA米ETER
INP UT乐AK AG式C urre新台币
(1 )
UTP UT L E AK AG式C urre新台币
UTP UT 1。·瓦特武LTAG ê
UTP UT IG 武LTAG ê
牛逼EST C对 ITIO NS
V
DD
= 2.6V, V
IN
= 0V至V
DD
CE
= V
IH
, V
UT
= 0V至V
DD
I
0 1
= + 2米一
I
OH
= -2M一
M英寸
__ _
__ _
__ _
M A X 。
5
5
0. 4
__ _
取消它
A
A
V
V
5663 TB升0 8
2. 0
注意：
1. V
DD
< 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
