HIGH -SPEED 32 / 16K ×16
同步
双口静态RAM
特点
◆
◆
IDT709279/69S/L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 6.5 / 7.5 / 9/12 / 15ns的（最大）
- 工业：为12ns （最大）
低功耗工作
- IDT709279 / 69S
主动： 950MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT709279 / 69L
主动： 950MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
针
计数器使能和复位功能
◆
◆
◆
◆
◆
◆
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和1ns的持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速6.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 10ns的周期时间，在100MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
与TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装
功能框图
读/写
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
读/写
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
LB
R
OE
R
FT /管
L
I / O
8L
-
I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
0/1
1B 0B B A 1A 0A
0a 1a
A B 0B 1B
0/1
FT /管
R
I / O
8R
-I / O
15R
,
,
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
A
14L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
14R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3243 DRW 01
注意：
1. A
14
X
是NC的IDT709269 。
2004年6月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3243/13
IDT709279/69S/L
高速32 / 16K ×16同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
该IDT709279 / 69是一种高速32 / 16K ×16比特同步
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元到
允许任何地址从两个端口同时访问。对注册
控制，数据和地址输入端提供最小的建立和保持时间。
通过这种方法所提供的时间纬度允许对系统进行
设计有非常短的周期时间。
描述
与输入数据寄存器， IDT709279 / 69进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为950MW运行。
销刀豆网络gurations
(2,3,4)
01/15/04
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
(1)
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
V
CC
读/写
L
OE
L
FT /管
L
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
GND
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
IDT709279/69PF
PN100-1
(5)
100引脚TQFP
顶视图
(6)
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
(1)
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
,
CNTRST
R
GND
读/写
R
OE
R
FT /管
R
GND
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
I / O
10R
I / O
9L
I / O
8L
V
CC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
IL
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
V
CC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
NC
3243 DRW 02
注意事项：
1. A
14X
是NC的IDT709269 。
2.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
3.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
4.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
2
6.42
IDT709279/69S/L
高速32 / 16K ×16同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
14L
(1)
I / O
0L
- I / O
15L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
14R
(1)
I / O
0R
- I / O
15R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
SS
GND
名字
芯片使
(3)
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
(2)
低字节选择
(2)
地址选通
柜台启用
计数器复位
流通/管道
动力
地
3243 TBL 01
注意事项：
1. A14x是NC的IDT709269 。
2.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
3.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
,
即信号需要两个周期，取消选择。
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
读/写
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
上
字节
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
D
OUT
高-Z
LOWER B
YTE
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
模式
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
3243 TBL 02
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
6.42
3
IDT709279/69S/L
高速32 / 16K ×16同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2)
外
地址
An
X
X
X
前
国内
地址
X
An
一个+ 1
X
国内
地址
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
外部地址使用
柜台启用，内部地址产生
外部地址阻塞的反禁用（ AN + 1复用）
计数器复位到地址0
3243 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置在流通型输出方式：如果输出在流水线模式的数据输出将被延迟了一个周期。
4.
ADS
独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
建议的直流工作
推荐工作
(1)
条件
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40°C至+ 85°C
O
O
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3243 TBL 04
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(2)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3243 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
注意事项：
1. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 10%.
2. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(1)
单位
V
等级
端电压
对于
到GND
TemperatureUnder偏差
储存温度
结温
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
z
)
符号
C
IN
C
OUT
(2)
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3243 TBL 07
T
BIAS
T
英镑
T
JN
I
OUT
-55到+125
-65到+150
+150
50
o
o
o
C
C
C
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. C
OUT
还引用
I / O
.
mA
3243 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
对于周期时间为10ns或超过25％， + 10％
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
3.环境温度下偏置。没有交流的条件。芯片取消。
4
6.42
IDT709279/69S/L
高速32 / 16K ×16同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
709279/69S/L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
单位
A
A
V
V
3243 TBL 08
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(6)
(V
CC
= 5V ± 10%)
709279/69X6
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
输出禁用
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(3)
有源端口输出
残疾人，女= F
最大
(1)
这两个端口
CE
R
和
CE
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，有效输出端口
残疾人，女= F
最大
(1)
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(4)
270
270
____
____
709279/69X7
Com'l只有
典型值。
(4)
250
250
____
____
709279/69X9
Com'l只有
典型值。
(4)
210
210
____
____
马克斯。
585
525
____
____
马克斯。
490
440
____
____
马克斯。
390
350
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
80
80
____
____
205
175
____
____
65
65
____
____
170
145
____
____
50
50
____
____
135
115
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
180
180
____
____
405
360
____
____
160
160
____
____
340
295
____
____
140
140
____
____
270
240
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
170
170
____
____
395
340
____
____
150
150
____
____
330
290
____
____
130
130
____
____
245
225
____
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
CC
= 5V ， TA = 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ） = 150毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
在零件号6 'X'标明的额定功率（S或L ） 。
3243 TBL 09
6.42
5
高速16K ×16
同步PIPELINED
双口静态RAM
产品特点：
x
x
初步
IDT709269S/L
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 9/12 / 15ns的（最大）
低功耗工作
- IDT709269S
主动： 950MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT709269L
主动： 950MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
针
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
x
x
x
x
x
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和1ns的持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速9ns时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 15ns的周期时间，在66MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
与TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装
功能框图
读/写
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
LB
L
OE
L
读/写
R
UB
R
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
0R
CE
1R
LB
R
OE
R
FT /管
L
0/1
1b 0b
b
a
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT /管
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
A
13L
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
13R
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3493 DRW 01
2000年4月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3493/8
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述：
该IDT709269是一个高速16K ×16位的同步流水线
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元到
允许任何地址从两个端口同时访问。注册
在控制，数据和地址输入提供最小的建立和保持
次。通过这种方法所提供的时间纬度允许系统
以被设计为具有非常短的周期时间。
与输入数据寄存器， IDT709269进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
许可证
芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机功耗
模式。采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为950MW操作。
引脚配置
(1,2,3)
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
NC
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
VCC
读/写
L
OE
L
FT /管
L
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
73
3
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
72
71
70
69
68
67
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
GND
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
IDT709269PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
24
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
NC
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
GND
读/写
R
OE
R
FT /管
R
GND
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
I / O
10R
3493 DRW 02
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
VCC
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
IL
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
VCC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
NC
2
6.42
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
CC
GND
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
低字节选择
地址选通
柜台启用
计数器复位
流通/管道
动力
地
3493 TBL 01
名字
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
R/
W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
上
字节
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
D
OUT
高-Z
LOWER B
YTE
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
3493 TBL 02
6.42
3
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2)
地址
X
An
X
X
前
地址
X
X
An
An
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
H
L
(4)
H
H
CNTEN
H
H
H
L
(5)
CNTRST
L
H
H
H
I / O
(3)
D
I / O
(0)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
计数器复位到地址0
外部地址已用
外部地址封锁，计数器已禁用
计数器使能，内部地址的生成
3493 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置流通输出模式;如果输出在流水线模式的数据输出将被一个周期延迟。
4.
ADS
独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
推荐工作
建议的直流工作
温度和电源电压
(1,2)
条件
GRADE
广告
产业
环境
温度
0℃ + 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3493 TBL 04
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(2)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3493 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
____
注意事项：
1. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 10%.
2. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
电容
符号
C
IN
C
OUT
(3)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
z
)
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3493 TBL 07
参数
(1)
输入电容
输出电容
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
o
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但并不生产
化测试。
2. 3DV引用插电容当从输入和输出开关
0V至3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
mA
3493 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
cc
对于周期时间为10ns或超过25％， + 10％
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
4
6.42
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
709269S/L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
单位
A
A
V
V
3493 TBL 08
___
___
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(6,7)
(V
CC
= 5V ± 10%)
709269X9
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
输出打开
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(3)
有源端口输出
开放的，
f=f
最大
(3)
这两个端口
CE
R
和
CE
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出开路，女= F
最大
(1)
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(4)
210
210
____
____
709269X12
Com'l只有
典型值。
(4)
200
200
____
____
709269X15
Com'l只有
典型值。
(4)
190
190
____
____
马克斯。
390
350
____
____
马克斯。
345
305
____
____
马克斯。
325
285
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
50
50
____
____
135
115
____
____
50
50
____
____
110
90
____
____
50
50
____
____
110
90
____
____
mA
140
140
____
____
270
240
____
____
130
130
____
____
230
200
____
____
120
120
____
____
220
190
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
130
130
____
____
245
225
____
____
120
120
____
____
205
185
____
____
110
110
____
____
195
175
____
____
mA
3493 TBL 09
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入电平
GND为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
CC
= 5V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ） = 150毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
部分6号“X”表示额定功率（S或L ） 。
7.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
6.42
5
高速16K ×16
同步PIPELINED
双口静态RAM
产品特点：
x
x
初步
IDT709269S/L
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 9/12 / 15ns的（最大）
低功耗工作
- IDT709269S
主动： 950MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT709269L
主动： 950MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
针
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
x
x
x
x
x
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和1ns的持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速9ns时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 15ns的周期时间，在66MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
与TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装
功能框图
读/写
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
LB
L
OE
L
读/写
R
UB
R
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
0R
CE
1R
LB
R
OE
R
FT /管
L
0/1
1b 0b
b
a
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT /管
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
A
13L
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
13R
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3493 DRW 01
2000年4月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3493/8
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述：
该IDT709269是一个高速16K ×16位的同步流水线
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元到
允许任何地址从两个端口同时访问。注册
在控制，数据和地址输入提供最小的建立和保持
次。通过这种方法所提供的时间纬度允许系统
以被设计为具有非常短的周期时间。
与输入数据寄存器， IDT709269进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
许可证
芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机功耗
模式。采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为950MW操作。
引脚配置
(1,2,3)
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
NC
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
VCC
读/写
L
OE
L
FT /管
L
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
73
3
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
72
71
70
69
68
67
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
GND
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
IDT709269PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
24
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
NC
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
GND
读/写
R
OE
R
FT /管
R
GND
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
I / O
10R
3493 DRW 02
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
VCC
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
IL
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
VCC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
NC
2
6.42
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
CC
GND
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
低字节选择
地址选通
柜台启用
计数器复位
流通/管道
动力
地
3493 TBL 01
名字
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
R/
W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
上
字节
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
D
OUT
高-Z
LOWER B
YTE
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
3493 TBL 02
6.42
3
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2)
地址
X
An
X
X
前
地址
X
X
An
An
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
H
L
(4)
H
H
CNTEN
H
H
H
L
(5)
CNTRST
L
H
H
H
I / O
(3)
D
I / O
(0)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
计数器复位到地址0
外部地址已用
外部地址封锁，计数器已禁用
计数器使能，内部地址的生成
3493 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置流通输出模式;如果输出在流水线模式的数据输出将被一个周期延迟。
4.
ADS
独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
推荐工作
建议的直流工作
温度和电源电压
(1,2)
条件
GRADE
广告
产业
环境
温度
0℃ + 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3493 TBL 04
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(2)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3493 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
____
注意事项：
1. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 10%.
2. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
电容
符号
C
IN
C
OUT
(3)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
z
)
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3493 TBL 07
参数
(1)
输入电容
输出电容
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
o
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但并不生产
化测试。
2. 3DV引用插电容当从输入和输出开关
0V至3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
mA
3493 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
cc
对于周期时间为10ns或超过25％， + 10％
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
4
6.42
IDT709269S/L
高速16K ×16流水线同步双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
709269S/L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
单位
A
A
V
V
3493 TBL 08
___
___
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(6,7)
(V
CC
= 5V ± 10%)
709269X9
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
输出打开
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(3)
有源端口输出
开放的，
f=f
最大
(3)
这两个端口
CE
R
和
CE
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出开路，女= F
最大
(1)
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(4)
210
210
____
____
709269X12
Com'l只有
典型值。
(4)
200
200
____
____
709269X15
Com'l只有
典型值。
(4)
190
190
____
____
马克斯。
390
350
____
____
马克斯。
345
305
____
____
马克斯。
325
285
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
50
50
____
____
135
115
____
____
50
50
____
____
110
90
____
____
50
50
____
____
110
90
____
____
mA
140
140
____
____
270
240
____
____
130
130
____
____
230
200
____
____
120
120
____
____
220
190
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
130
130
____
____
245
225
____
____
120
120
____
____
205
185
____
____
110
110
____
____
195
175
____
____
mA
3493 TBL 09
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入电平
GND为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
CC
= 5V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ） = 150毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
部分6号“X”表示额定功率（S或L ） 。
7.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
