快速
16K ×16的双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7026S/L
产品特点：
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
高速访问
??军事：25 /35 / 55ns （最大）
- 商业：20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
低功耗运行
- IDT7026S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7026L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
独立的高字节和低字节控制
复用总线的兼容性
IDT7026轻松扩展数据总线宽度为32位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
M/
S
= H的
忙
输出标志法师，
M/
S
= L为
忙
输入从机上
片上端口仲裁逻辑
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供84引脚PGA和84引脚PLCC
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
功能框图
R/
W
L
UB
L
R/
W
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
14
(1,2)
A
13L
A
0L
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
仲裁
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
SEM
L
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出的非三态推挽。
M/
S
SEM
R
2939 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC三分之二千九百三十九
6.17
1
IDT7026S/L
高速16K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
描述：
的IDT7026是一个高速16K ×16的双端口静态
内存。的IDT7026被设计为用作一个独立的
双端口RAM或作为一个组合主/从双核
端口RAM为32位或更多的字系统。采用IDT
在32位或更宽的主/从双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅为750MW操作。
的IDT7026封装在陶瓷84引脚的PGA ，和一个
84引脚PLCC封装。军工级产品中的COM制造
顺应性符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，
使得它非常适合军事应用的温度
苛刻的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2)
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
I / O
0L
SEM
L
GND
R/
L
I / O
5L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
1L
A
13L
A
12L
A
11L
A
10L
V
CC
OE
L
W
UB
L
LB
L
CE
L
指数
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
IDT7026
J84-1
84引脚PLCC
TOP VIEW （ 3 ）
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
GND
M/
S
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
2939 DRW 02
54
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
I / O
11R
I / O
15R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
CE
R
R/
R
GND
A
13R
A
12R
A
11R
I / O
9R
I / O
10R
SEM
R
A
10R
OE
R
UB
R
LB
R
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.17
A
9R
A
8R
W
2
IDT7026S/L
高速16K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/
W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I / O
8-15
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
高-Z
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
两个字节取消选择
模式
取消：掉电
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
数据
OUT
读低字节只
高-Z
输出禁用
2939 TBL 03
数据
OUT
数据
OUT
阅读两个字节
注意：
1. A
0L
— A
13L
≠
A
0R
— A
13R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
X
H
X
L
L
R/
W
H
H
OE
L
L
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I / O
8-15
I / O
0-7
模式
数据
OUT
数据
OUT
在信号灯标记读取数据
数据
OUT
数据
OUT
在信号灯标记读取数据
数据
IN
数据
IN
—
—
数据
IN
数据
IN
—
—
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
2939 TBL 04
X
X
X
X
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （ I / O读
0
-I / O
15
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
广告
军事
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
建议的直流工作
CONDTIONS
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
(2)
0.8
V
V
V
V
2939 TBL 06
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
注意事项：
2939 TBL 05
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上
或为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+ 0.5V.
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
马克斯。
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
9
10
单位
pF
pF
注意事项：
2939 TBL 07
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.17
4
IDT7026S/L
高速16K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7026S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT7026L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2939 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc = 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
TEST
条件
VERSION
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
7026X20
7026X25
Com'l 。只
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
—
—
180
180
—
—
30
30
—
—
115
115
—
—
1.0
0.2
—
—
110
110
—
—
315
275
—
—
85
60
—
—
210
180
—
—
15
5
—
—
185
160
170
170
170
170
25
25
25
25
105
105
105
105
1.0
0.2
1.0
0.2
100
100
100
100
345
305
305
265
100
80
85
60
230
200
200
170
30
10
15
5
200
175
170
145
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH(5)
有源输出端口打开，
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源输出端口打开，
f = f
MAX(3)
米尔。
Com'l 。
注意事项：
2939 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 120毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.17
5
QQ：2881677436 复制
