快速
128K ×9双端口
静态RAM
特点
x
x
x
IDT7019L
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 15 / 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT7019L
主动： 1W （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
双芯片能够允许深度扩展，而不
外部逻辑
IDT7019轻松扩展数据总线宽度为18位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
x
x
x
x
x
x
x
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
采用100引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I / O
0-8L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0-8R
忙
L
(1,2)
忙
R
128Kx9
内存
ARRAY
7019
17
17
(1,2)
A
16L
A
0L
地址
解码器
地址
解码器
A
16R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(2)
INT
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
4840 DRW 01
M / S
(1)
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并且当它是一个主站（ M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2001年1月
DSC-4840/2
1
2000集成设备技术有限公司
IDT7019L
高速128K ×9双端口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
的IDT7019是一种高速128K ×9双端口静态RAM 。该
IDT7019被设计为用作一个独立的1152K位双端口
RAM或作为组合主/从双口RAM为18位 - 或 -
多个单词的系统。采用IDT主/从双口RAM
在18位或更广泛的存储系统应用成果在全办法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能由芯片控制使能（ CE
0
和CE
1
）使芯片上的
每个端口的电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对权力的only1W工作。
该IDT7019封装在一个100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
A
16L
VCC
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
GND
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
72
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
NC
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
IDT7019PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
A
16R
GND
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
OE
R
GND
GND
NC
4840 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的零件标记的方向。
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I/O1
L
I / O
0L
VCC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
VCC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
NC
NC
2
IDT7019L
高速128K ×9双端口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
16L
I / O
0L
- I / O
8L
SEM
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
16R
I / O
0R
- I / O
8R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
4840 TBL 01
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4840 TBL 04
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
GND
V
IH
o
V
IL
____
mA
4840 TBL 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
电容
符号
C
IN
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4840 TBL 05
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
军事
广告
产业
环境
温度
(2)
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
4840 TBL 03
C
OUT
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
2.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
3
6.42
IDT7019L
高速128K ×9双端口静态RAM
工业和商业温度范围
事实表一：芯片使能
(1,2)
CE
CE
0
V
IL
L
＆ LT ; 0.2V
V
IH
X
H
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
CE
1
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
<0.2V
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4840 TBL 06
模式
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
的水平，
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或> V
CC
- 0.2V.
真理表II ：非争用的读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-8
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
4840 DRW 07
模式
注意事项：
1. A
0L
– A
16L
≠
A
0R
– A
16R.
2.参考芯片使能真值表。
事实表三：信号灯读/写控制
(1)
输入
CE
(2)
H
H
L
读/写
H
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-8
数据
OUT
数据
IN
______
模式
阅读信号灯标志数据输出
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
4840 TBL 08
↑
X
注意事项：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
8
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考芯片使能真值表。
4
IDT7019L
高速128K ×9双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(2)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7019L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4840 TBL 09
___
___
2.4
注意事项：
1.在Vcc < 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考芯片使能真值表。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,6,7)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口输出禁用，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
7019L15
Com'l只有
典型值。
(1)
最大
220
____
7019L20
Com'l只有
典型值。
(1)
最大
200
____
单位
mA
340
____
300
____
I
SB1
65
____
100
____
50
____
75
____
mA
I
SB2
145
____
225
____
130
____
195
____
mA
I
SB3
0.2
____
3.0
____
0.2
____
3.0
____
mA
I
SB4
135
____
220
____
120
____
190
____
mA
注意事项：
1. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 120毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”输入
GND水平为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考芯片使能真值表。
6.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
4840 TBL 10
5
6.42
QQ：2880707522 复制
