快速
4K ×9双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7014S
产品特点：
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速访问
- 军事： 20/25 /为35ns （最大值）
- 商业：12 /15/20 / 25ns的（最大）
低功耗运行
- IDT7014S
主动： 900MW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供52引脚PLCC和64引脚TQFP
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT7014是一个非常高速的4K ×9双端口
在系统中使用而设计的静态RAM ，其中芯片上
不需要硬件端口仲裁。这部分借自己
高速应用场合并不需要片上仲裁
化管理的同时访问。
该IDT7014提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。参见功能描述。
的IDT7014 utilitizes一9位宽的数据路径，以允许
奇偶校验在用户的选项。此功能在特别有用
数据通信的应用中，有必要使用
一个奇偶校验位的发送/接收错误检查。
采用IDT的高性能技术制造的
IDT7014双端口通常对仅900MW操作
功率最大存取时间快为12ns 。
该IDT7014封装在一个52引脚PLCC和64引脚
薄塑料四方扁平封装（ TQFP ） 。
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
8L
COLUMN
控制
COLUMN
控制
OE
R
I / O
0R
- I / O
8R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2528 DRW 01
IDT标志是集成设备技术的registereed商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2528/6
6.11
1
IDT7014S
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
指数
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
端电压
关于
GND
端电压
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
V
TERM
(2)
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
OE
L
V
CC
R/
L
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
W
7 6 5 4 3 2
52 51 50 49 48 47
1
8
46
45
9
10
44
11
43
12
42
IDT 7014
13
41
J52-1
PLCC
14
40
15
39
俯视图（ 3 ）
16
38
17
37
18
36
19
35
20
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-0.5到Vcc
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-0.5到Vcc
V
-55到+125
°C
-65到+135
°C
OE
R
GND
R/
R
GND
I / O
8R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
W
-65到+150
°C
50
mA
2528 DRW 02
注意事项：
2528 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上
或为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+ 0.5V.
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
N / C
N / C
N / C
N / C
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
I / O
5L
V
CC
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
I / O
1L
I / O
0L
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
V
CC
I / O
4R
指数
推荐工作
温度和电源电压
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
OE
L
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
N / C
V
CC
N / C
R/
L
N / C
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2528 TBL 02
IDT7014
PN64-1
TQFP
俯视图（ 3 ）
OE
R
N / C
GND
N / C
R/
R
N / C
GND
I / O
8R
I / O
7R
I / O
6R
W
建议的直流工作
CONDTIONS
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2528 TBL 03
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有接地引脚必须连接到接地电源。
3.本文不表示的方向实际部件标记
I / O
5L
V
CC
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
I / O
1L
I / O
0L
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
V
CC
I / O
4R
I / O
5R
2528 DRW 03
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. VTERM不得超过VCC + 0.5V 。
6.11
2
IDT7014S
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7014S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
单位
A
A
V
V
2528 TBL 04
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5V
±
10%)
TEST
符号
I
CC
参数
动态
操作
电流（两个
端口激活）
条件
输出打开
f = f
最大
(1)
VERSION
米尔。
Com'l 。
IDT7014S12
Com'l 。只
典型值。
—
160
马克斯。
—
250
IDT7014S15
Com'l 。只
典型值。
160
160
马克斯。
260
250
IDT7014S20
典型值。
155
155
马克斯。
260
245
IDT7014S25
典型值。
150
150
马克斯。
255
240
IDT7014S35
米尔。只
典型值。
150
—
马克斯。
250
—
2528 TBL 05
单位
mA
注意：
1.在f = fmax的，地址输入被循环以1 /吨的最大读周期
RC
用GND的"AC测试Conditions"输入电平为3V 。
5V
5V
893
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
图1 ，图2和3
2528 TBL 06
893
数据
OUT
数据
OUT
忙
INT
347
30pF
2528 DRW 04
347
5pF
2528 DRW 05
图1. AC输出测试负载。
电容
符号
C
IN
C
OUT
(1)
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
WZ
和叔
OW
)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的） TQFP封装
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
MAX 。 UNIT
9
10
pF
pF
8
7
6
t
AA
（典型， NS ）
5
4
3
2
1
0
-1
包括范围和夹具。
2528 TBL 07
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但未经测试。
2. 3DV引用当输入和interperlated电容输出
型开关信号为0V至3V或3V至0V 。
- 10pF的是I / O容量
这个装置的，和3 pF的是
AC测试负载电容
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
2528 DRW 06
图3.典型输出降额（集总电容性负载） 。
6.11
3
IDT7014S
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
7014S12
符号
写周期
t
WC
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
WDD
t
DDD
写周期时间
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1, 2)
数据保持时间
(3)
写在高阻一个能输出
(1, 2)
输出从主动结束了，写
(1, 2, 3)
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
12
10
0
10
1
8
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
7
—
7
—
25
22
15
14
0
12
1
10
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
7
—
7
—
30
25
20
15
0
15
2
12
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
9
—
9
—
40
30
25
20
0
20
2
15
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
11
—
11
—
45
35
35
30
0
30
2
25
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
15
—
15
—
55
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
Com'l 。只
分钟。马克斯。
7014S15
Com'l 。只
分钟。马克斯。
7014S20
分钟。
马克斯。
7014S25
分钟。
马克斯。
7014S35
米尔。只
分钟。马克斯。
单位
注意事项：
2528 TBL 09
1.转换测量
±200mV
从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.规范吨
DH
必须通过该设备的所有操作条件下供给的写入数据到RAM来满足。虽然吨
DH
和T
OW
值会有所不同
随电压和温度，实际吨
DH
总是会比实际吨小
OW
.
4.端口到端口延迟至RAM单元写入端口读取端口，请参阅“时序写出来与端口到端口读取波形” 。
时序波形写与港口到港读
(1,2)
t
WC
ADDR
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
MATCH
t
WP
R/
W
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
t
DW
数据
在"A"
有效
t
DH
ADDR
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
MATCH
t
WDD
数据
OUT "B"
t
DDD
注意事项：
1. R/
W
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
，读周期通过。
2.所有的时序是相同的左，右端口。端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
有效
2528 DRW 09
6.11
5
QQ：2881677436 复制
