快速
2K ×9双端口
静态RAM繁忙&中断
集成设备技术有限公司
IDT70121S/L
IDT70125S/L
产品特点：
高速访问
- 商业：25 /35/ 45 / 55ns （最大值）
低功耗运行
- IDT70121 / 70125S
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70121 / 70125L
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口全台异步操作
MASTER IDT70121轻松扩展数据总线宽度为18
位或更多使用SLAVE IDT70125芯片
片上端口仲裁逻辑（ IDT70121只）
忙
法师输出标志;
忙
输入从机上
INT
标志的端口到端口的通信
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容，信号5V （ ± 10 ％ ）电源
提供52引脚PLCC
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT70121 / IDT70125是高速2K ×9双端口
静态RAM 。该IDT70121被设计为用作
单机9位双端口RAM或为“ MASTER ”双端口
RAM与IDT70125 “从”双港18-在一起
位或更多的字宽度的系统。采用IDT MASTER /
在18位或增多的内存SLAVE双口RAM的方法
系统应用成果在全速度，无故障运行
无需额外的分立逻辑。
这两款器件提供独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，异步
异步的存取为读或写操作的任何位置在存储器中。
自动断电功能，通过控制
CE
，证
芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
该IDT70121 / IDT70125利用9位宽的数据路径
允许数据/控制和奇偶校验位，在该用户的选择。这
特征是在数据通信中是特别有用
应用中，有必要使用一个奇偶校验位
发送/接收错误检查。
功能框图
OE
L
CE
L
R/
W
L
OE
R
R/
W
R
CE
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
8R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
11
(1,2)
A
10L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
11R
A
0R
11
注意事项：
1. 70121 （ MASTER ） ：
忙
非三
说明推挽
输出。
70125 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
INT
是图腾柱
输出。
CE
L
OE
L
R/
W
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
R/
W
R
INT
L(2)
INT
R
2654 DRW 01
(2)
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2654/4
6.10
1
IDT 70121 / 70125S / L
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
商业级温度范围
说明（续） ：
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这些器件通常在仅500mW的操作
力。低功率（ L）版本提供电池备份数据
每个端口的典型功耗为200μW保持能力
从2V电池。
该IDT70121 / IDT70125设备均采用52引脚
PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2)
W
L
W
R
R/
INT
R
INT
L
R/
V
CC
A
10R
A
10L
CE
L
CE
R
A
0L
OE
L
指数
忙
R
忙
L
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
8L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
33
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
1
8
46
45
44
43
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
8R
I / O
7R
推荐的工作温度
与电源电压
GRADE
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
5.0V
±
10%
2654 TBL 02
51
50
7
6
3
52
49
5
2
48
4
IDT70121/125
J52-1
PLCC
顶视图
(3)
47
42
41
40
39
38
37
36
35
34
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5
0
–
–
马克斯。
5.5
0.0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2654 TBL 03
2654 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文不表示实际的部分标记的方向。
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
(2)
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
单位
V
°C
°C
°C
mA
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
等级
端电压
相对于GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
-0.5到+7.0
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
注意事项：
2654 TBL 13
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
注意事项：
2654 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
cc
+
0.5V.
6.10
2
IDT 70121 / 70125S / L
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
70121S
70125S
分钟。马克斯。
—
—
—
2.4
10
10
0.4
—
70121L
70125L
分钟。马克斯。单位
—
—
—
2.4
5
5
0.4
—
A
A
V
V
2654 TBL 04
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(5)
输出漏电流
(5)
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc < 2.0V泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1,4)
(V
CC
= 5V
±
10%)
符号
I
CC
参数
工作动态
电流（两个端口均
活动）
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
全备
电流（两个端口均
CMOS电平输入）
全备
电流（一个端口
CMOS电平输入）
TEST
条件
70121X25
70125X25
70121X35
70125X35
70121X45
70125X45
70121X55
70125X55
VERSION
Com'l 。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。单位
125 260 125 250 125 245 125 240
125 220 125 210 125 205 125 200
30
30
80
80
1.0
0.2
70
70
65
45
175
145
15
5
170
140
30
30
80
80
1.0
0.2
70
70
65
45
165
135
15
5
160
130
30
30
80
80
1.0
0.2
70
70
65
45
160
130
15
5
155
125
30
30
80
80
1.0
0.2
70
70
65
45
155
125
15
5
150
120
mA
CE
= V
IL
，输出打开，
f = f
最大
(2)
I
SB1
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
,
f = f
最大
(2)
Com'l 。
mA
I
SB2
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
=V
IH(5)
有源输出端口打开，
f = f
MAX(2)
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(3)
Com'l 。
mA
I
SB3
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
≥
V
CC
– 0.2V,
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
<0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
>VCC-0.2V
(5
)
Com'l 。
mA
I
SB4
Com'l 。
mA
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ，主动港
输出开路，女= F
MAX(2)
注意事项：
在零件号码1，“ X”表示的额定功率（S或L） 。
2.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并用“ AC测试
条件GND的输入电平的“到3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
4. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，它们不是生产测试。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
2654 TBL 05
6.10
3
IDT 70121 / 70125S / L
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
商业级温度范围
数据保持特性
（只有L型）
70121L/70125L
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
测试条件
V
CC
= 2.0V,
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
Com'l 。
分钟。
2
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
100
—
—
马克斯。
—
1500
—
—
单位
V
A
ns
ns
2654 TBL 06
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
VCC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
4.5V
t
R
V
DR
V
IH
2654 DRW 03
CE
V
IH
5V
5V
1250
1250
数据
OUT
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2654 TBL 07
数据
OUT
忙
INT
775
30pF
775
5pF
2654 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
(
对于T
LZ ，
t
赫兹，
t
WZ ，
t
OW ）
包括范围和夹具。
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(3)
70121X25
70125X25
70121X35
70125X35
70121X45
70125X45
70121X55
70125X55
符号
参数
读周期
t
RC
读周期时间
t
AA
地址访问时间
t
ACE
芯片使能存取时间
t
AOE
输出启用访问时间
t
OH
从地址变更输出保持
t
LZ
输出低-Z时间
(1,2)
t
HZ
输出高阻时间
(1,2)
t
PU
芯片使能上电时间
(2)
t
PD
芯片禁用断电时间
(2)
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
25
—
—
—
0
0
—
0
—
—
25
25
12
—
—
10
—
50
35
—
—
—
0
0
—
0
—
—
35
35
25
—
—
15
—
50
45
—
—
—
0
0
—
0
—
—
45
45
30
—
—
20
—
50
55
—
—
—
0
0
—
0
—
—
55
55
35
—
—
30
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出测试负载（图2）。
2.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
在零件号3 “X”表示的额定功率（S或L） 。
2654 TBL 08
6.10
4
IDT 70121 / 70125S / L
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
商业级温度范围
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
2654 DRW 05
t
OH
忙
OUT
t
BDD
(3,4)
读周期2号，一左一右的时序波形
(5,6)
t
ACE
CE
t
AOE
(4)
t
HZ
(2)
OE
t
LZ
数据
OUT
t
LZ
I
CC
当前
I
SS
t
PU
(1)
(1)
t
HZ
有效数据
t
PD
(4)
(2)
50%
50%
2654 DRW 06
注意事项：
1.时间取决于该信号的最后aserted ，
OE
or
CE
.
2.时间取决于该信号首先deaserted ，
OE
or
CE
.
3. t
BDD
延迟是必需的唯一的情况下相反的端口完成
的写操作相同的地址位置。对于simultanious读操作
忙
具有有效的输出数据没有任何关系。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效最后，T
AOE
,
t
ACE
,
t
AA
或
t
BDD
.
5. R/
W
= V
IH ，
和地址是有效的之前其他偶然与
CE
变为低电平。
6. R/
W
= V
IH ，
CE
= V
IL ，和
OE
= V
IL 。
地址之前或重合是有效的
CE
变为低电平。
6.10
5
快速
2K ×9双端口
静态RAM
繁忙&中断
特点
◆
◆
IDT70121S/L
IDT70125S/L
◆
高速存取
- 商业：25 /35/ 45 / 55ns （最大值）
- 工业：为35ns （最大）
低功耗工作
- IDT70121 / 70125S
主动： 675mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70121 / 70125L
主动： 675mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
从任何一个端口全台异步操作
MASTER IDT70121轻松扩展数据总线宽度为18位或
更多的使用SLAVE IDT70125芯片
片口仲裁（只IDT70121 ）逻辑
忙
法师输出标志;
忙
输入从机上
INT
标志的端口到端口的通信
电池备份操作？ 2V数据保留
TTL兼容，信号5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供52引脚PLCC
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）可用于
选定速度
绿色部分可用，请参阅订购信息
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
忙
L
A
10L
A
0L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
8R
I / O
控制
忙
R
地址
解码器
11
(1,2)
内存
ARRAY
11
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
L
(2)
INT
R
2654 DRW 01
(2)
注意事项：
1. 70121 （ MASTER ） ：
忙
非三态的推挽输出。
70125 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
INT
非三态的推挽输出。
2006年4月
1
2006集成设备技术有限公司
DSC 10分之2654
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70121 / IDT70125是高速2K ×9双端口静态
的RAM 。该IDT70121被设计为用作一个独立的9位的双核
端口RAM或作为“主”双口RAM与IDT70125在一起
“从”双端口18位或更多的字宽的系统。采用IDT
主/从双口RAM的方式在18位或增多的记忆
系统应用成果在全速，无差错操作
需要额外的分立逻辑。
这两款器件提供单独的控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能，通过控制
CE，
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
该IDT70121 / IDT70125利用9位宽的数据路径，以允许
数据/控制与奇偶校验位在用户的选项。这个特征是特别
在数据通信的应用中是有用的地方，有必要使用一个
奇偶校验位的发送/接收错误检查。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为675mW工作。低功率（L ）
版本提供电池备份的数据保持能力与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。
该IDT70121 / IDT70125设备均采用52引脚PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
A
0L
OE
L
A
10L
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
A
10R
51
52
50
7
6
5
49
48
47
3
4
2
46
45
44
43
05/27/04
指数
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
IDT70121/125J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
8R
I / O
7R
.
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
8L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
1
2654 DRW 02
2
6.42
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2654 TBL 03
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
____
o
mA
2654 TBL 01
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
cc
+ 10%.
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(1)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2654 TBL 04
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2654 TBL 02
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70121S
70125S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70121L
70125L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2654 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc < 2.0V泄漏是不确定的。
3
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,4)
(V
CC
= 5V ± 10%)
70121X25
70125X25
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
f = f
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流（两个端口均
- CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
VIN < 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l
IND
Com'l
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
135
135
___
___
70121X35
70125X35
Com'l
&工业
典型值。
135
135
135
135
30
30
30
30
80
80
80
80
1.0
0.2
1.0
0.2
70
70
70
70
马克斯。
250
210
275
250
65
45
80
65
165
135
190
165
15
5
15
5
160
130
185
160
2654 TBL 06A
马克斯。
260
220
___
___
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
f = f
最大
(2)
30
30
___
___
65
45
___
___
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
80
80
___
___
175
145
___
___
mA
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 - CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(2)
70
70
___
___
170
140
___
___
mA
IND
70121X45
70125X45
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
f = f
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流
（这两个港口 - CMOS电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
135
135
___
___
70121X55
70125X55
Com'l只有
典型值。
135
135
___
___
马克斯。
245
205
___
___
马克斯。
240
200
___
___
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
f = f
最大
(2)
30
30
___
___
65
45
___
___
30
30
___
___
65
45
___
___
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
80
80
___
___
160
130
___
___
80
80
___
___
155
125
___
___
mA
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 - CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(2)
70
70
___
___
155
125
___
___
70
70
___
___
150
120
___
___
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”的
GND的输入电平为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
4. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
2654 TBL 06B
4
6.42
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
数据保持特性
（只有L型）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2V,
CE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2
IND 。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
典型值。
(1)
___
马克斯。
___
单位
V
A
100
100
___
4000
1500
___
___
t
RC
(2)
V
2654 TBL 07
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
VCC
4.5V
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
DR
≥
2V
4.5V
t
R
V
IH
2654 DRW 03
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2654 TBL 08
5V
1250
数据
OUT
忙
INT
数据
OUT
775
30pF
775
5V
1250
5pF*
2654 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
5
2006年4月5日
QQ：2880707522 复制
