快速
32K ×8双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT7007S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
??军事：25 /35 / 55ns （最大）
??工业： 55ns （最大）
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
低功耗工作
?? IDT7007S
主动： 850MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
?? IDT7007L
主动： 850MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
IDT7007轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
x
x
x
x
x
x
x
x
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = H为
忙
输出标志法师，
M / S = L为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供68引脚的PGA和PLCC和80引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
忙
L
A
14L
A
0L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
7R
I / O
控制
忙
R
A
14R
A
0R
(1,2)
地址
解码器
15
内存
ARRAY
15
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
L
(2)
INT
L
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
M / S
SEM
R
INT
R
(2)
2940 DRW 01
1999年6月
1
DSC八分之二千九百四十〇
IDT7007S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT7007是一种高速32K ×8双端口静态RAM 。该
IDT7007被设计为用作一个独立的256K位双端口RAM的
或作为组合主/从双端口RAM用于16位或更多的
字系统。采用IDT主/从双口RAM的方法
在16位或更广泛的存储系统应用成果全速，无错
自由操作，而无需额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为850MW运行。
该IDT7007封装在一个68引脚引脚PGA ， 68引脚PLCC ，
和80引脚薄型四方扁平封装， TQFP封装。军工级产品
制造符合MIL -PRF- 38535的最新版本
QML ， B类，因此非常适合于军事应用的温度
苛刻的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
R/
W
L
SEM
L
CE
L
6
5
4
3
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
8
7
A
14L
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
IDT7007J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2940 DRW 02
OE
R
R/
W
R
SEM
R
CE
R
I / O
7R
N / C
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的零件标记的方向。
A
14R
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
2
IDT7007S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
A
0L
忙
L
M / S
40
38
INT
R
A
1R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
28
A
11R
26
GND
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
10
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
09
08
57
56
A
11L
A
10L
59
58
V
CC
A
12L
61
60
A
13L
07
IDT7007G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
06
A
14L
63
62
05
SEM
L
CE
L
65
64
04
OE
L
读/写
L
03
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
01
A
指数
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源
2.所有GND引脚都必须连接到电源
3.包体约为1.8英寸x 1.8英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的零件标记的方向。
24
25
A
14R
A
13R
22
23
SEM
R
CE
R
20
OE
R
21
读/写
R
02
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
I / O
6L
D
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
E
F
G
H
J
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
4
I / O
3L
I / O
5L
B
C
L
2940 DRW 04
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
14L
I / O
0L
- I / O
7L
SEM
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
14R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2940 TBL 01
4
IDT7007S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
CE
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
2940 TBL 02
模式
注意：
1. A
0L
A
14L
≠
A
0R
A
14R
事实表二：信号灯读/写控制
(1)
输入
CE
H
H
L
读/写
H
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
______
模式
阅读Semap hore标志数据输出（ I / O
0
-I / O
7
)
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
2940 TBL 03
↑
X
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O读取。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1,2)
GRADE
军事
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2940 TBL 05
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+120
50
-55到+135
-65到+150
50
o
C
C
广告
产业
o
mA
2940 TBL 04
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：其他的速度，封装和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大上市
评级
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在运营仲系统蒸发散本规范的表示是不是暗示。曝光
绝对马克西妈妈额定值条件下长时间可能会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
推荐工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2940 TBL 06
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2940 TBL 07
V
IH
V
IL
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。 TQFP封装。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
5
QQ：2880707522 复制
