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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第20页 > IDT6116SA35YI
CMOS静态RAM
16K ( 2K ×8位)
IDT6116SA
IDT6116LA
x
特点
高速存取和芯片选择次
- 军事: 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 120分之90 /为150ns (最大值)
- 工业: 20/25 /35 /为45nS (最大)
- 商业: 15/20 /25/ 35 /为45nS (最大)
低功耗
电池备份操作
- 2V的数据保持电压(LA版本)
以生产先进的CMOS高性能
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子的软错误
价格
输入和输出直接TTL兼容
静态操作:不需要时钟或刷新
可在陶瓷和塑料的24引脚DIP , 24引脚薄型DIP,
24引脚SOIC和24引脚SOJ
军工产品符合MIL -STD - 833 , B类
描述
该IDT6116SA / LA是16,384位高速静态RAM
组织为2K X 8.采用IDT的高性能制造,
高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还提供了一个
降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时,电路将
自动去,并保持在一个备用电源模式下,只要
as
CS
仍然很高。此功能提供了显著的系统级
电源和冷却的节省。低功耗( LA )的版本还提供了一个
电池备份数据保持能力,其中所述电路通常
仅消耗1μW至4μW经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6116SA / LA的输出为TTL兼容。十分
静态异步电路使用,无需时钟或刷新
用于操作。
该IDT6116SA / LA封装采用24引脚600和300密耳的塑料或
陶瓷DIP封装, 24引脚的鸥翼SOIC和24引脚J-弯曲SOJ提供
高板级封装密度。
军工级产品符合生产到最新
版本MIL -STD - 883 , B类中,使得它非常适合军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平,
可靠性。
x
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
10
128 X 128
内存
ARRAY
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
,
CS
OE
WE
控制
电路
3089 DRW 01
2001年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3089/03
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K ( 16K ×8位)
军事,商业,以及在dustrial温度范围
销刀豆网络gurations
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0 MH
Z
)
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
3089 TBL 03
P24-2
P24-1
D24-2
D24-1
SO24-2
SO24-4
WE
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
注意:
1,这个参数是由器件特性决定的,而不是生产
测试。
,
3089 DRW 02
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
DIP / SOIC / SOJ
顶视图
引脚说明
名字
A
0
- A
10
I / O
0
- I / O
7
CS
WE
OE
V
CC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
3089 TBL 01
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
o
C
C
C
o
o
W
mA
3089 TBL 04
注意事项:
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.5V.
真值表
(1)
模式
待机
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
I / O
高-Z
数据
OUT
高-Z
数据
IN
3089 TBL 02
注意:
1. H = V
IH
中,L = V
IL
,X =无关。
2
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K ( 16K ×8位)
军事,商业,以及在dustrial温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
产业
广告
环境
温度
-55℃ + 125
-45
O
C至+ 85
O
C
0
O
C至+70
O
C
O
O
建议的直流
工作条件
符号
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
3.5
____
马克斯。
5.5
(2)
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
3089 TBL 06
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3089 TBL 05
V
CC
GND
V
IH
V
IL
注意事项:
1. V
IL
(分) = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ,每循环一次。
2. V
IN
一定不能超过V
CC
+0.5V.
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
IDT6116SA
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大,
V
IN =
GND到V
CC
V
CC
=最大,
CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安,V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ,V
CC
=最小值。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
分钟。
____
____
____
____
IDT6116LA
分钟。
____
____
____
____
马克斯。
10
5
10
5
0.4
____
马克斯。
5
2
5
2
0.4
____
单位
A
A
V
V
3089 TBL 07
____
____
2.4
2.4
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
6116SA15
符号
I
CC1
参数
工作电源电流
CS
& LT ; V
IL
,输出打开
V
CC
=最大值,女
=
0
动态工作电流
CS
& LT ; V
IL
,输出打开
V
CC
=最大值,女= F
最大
(2)
待机电源电流
( TTL电平)
CS
& GT ; V
IH
,输出打开
V
CC
=最大值,女= F
最大
(2)
全部备用电源电流
( CMOS电平)
CS
& GT ; V
HC
, V
CC
=最大,
V
IN
& LT ; V
LC
或V
IN
& GT ; V
HC
, f = 0
动力
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
Com'l
105
95
150
140
40
35
2
0.1
6116SA20
6116LA20
Com'l
&工业
105
95
130
120
40
35
2
0.1
米尔
130
120
150
140
50
45
10
0.9
6116SA25
6116LA25
Com'l
&工业
80
75
120
110
40
35
2
0.1
米尔
90
85
135
125
45
40
10
0.9
6116SA35
6116LA35
Com'l 。
&工业。
80
75
100
95
25
25
2
0.1
米尔
90
85
115
105
35
30
10
0.9
3089 TBL 08
单位
mA
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项:
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有地址输入循环在f
最大,
F = 0表示地址的输入没有变化。
6.42
3
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K ( 16K ×8位)
军事,商业,以及在dustrial温度范围
DC电气特性
(1)
(续)
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
6116SA45
6116LA45
符号
I
CC1
参数
工作电源
目前,
CS
& LT ; V
IL
,
输出打开
V
CC
=最大值,女
=
0
工作动态
目前,
CS
& LT ; V
IL
,
输出打开
V
CC
=最大值,女= F
最大
(2)
备用电源
电流( TTL电平)
CS
& GT ; V
IH
,输出打开
V
CC
=最大值,女= F
最大
(2)
全部备用电源
电源电流( CMOS
级) ,
CS
& GT ; V
HC
,
V
CC
=最大,V
IN
& LT ; V
LC
或V
IN
& GT ; V
HC
, f = 0
动力
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
Com'l
&工业
80
75
100
90
25
20
2
0.1
米尔
90
85
100
95
25
20
10
0.9
6116SA55
6116LA55
只有米尔
90
85
100
90
25
20
10
0.9
6116SA70
6116LA70
只有米尔
90
85
100
90
25
20
10
0.9
6116SA90
6116LA90
只有米尔
90
85
100
85
25
25
10
0.9
6116SA120
6116LA120
只有米尔
90
85
100
85
25
15
10
0.9
6116SA150
6116LA150
只有米尔
90
85
90
85
25
15
10
0.9
3089 TBL 09
单位
mA
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项:
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有地址输入切换在f
最大
, F = 0表示地址的输入没有变化。
数据保持特性在所有温度范围
(仅LA版) (V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
0.2V)
典型值。
(1)
V
CC
@
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
输入漏电流
测试条件
____
马克斯。
V
CC
@
3.0V
____
分钟。
2.0
2.0V
____
2.0V
____
3.0V
____
单位
V
A
ns
米尔。
Com'l 。
CS
& GT ; V
HC
V
IN
& GT ; V
HC
或< V
LC
____
____
0.5
0.5
0
1.5
1.5
____
200
20
____
300
30
____
____
t
RC
(2)
____
____
____
____
____
ns
A
3089 TBL 10
I
I
LI
I
____
____
2
2
注意事项:
1. T
A
= + 25°C
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
4
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K ( 16K ×8位)
军事,商业,以及在dustrial温度范围
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS
V
DR
V
IH
V
IH
3089 DRW 03
4.5V
V
DR
2V
4.5V
t
R
,
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3089 TBL 11
5V
5V
480
数据
OUT
255
30pF*
数据
OUT
255
480
5pF*
,
3089 DRW 04
3089 DRW 05
,
图1. AC测试负载
*包括范围和夹具。
图2.交流测试负载
(对于T
OLZ
, t
CLZ
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
CHZ
&放大器;牛逼
OW
)
6.42
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT6116SA35YI
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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IDT6116SA35YI
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