IDT54/74FCT574T/AT/CT
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军事和工业温度范围
快速CMOS八路D
寄存器（三态）
IDT54/74FCT574T/AT/CT
产品特点：
低输入和输出泄漏
≤1
A（ MAX 。 ）
CMOS功率水平
真TTL输入和输出的兼容性
V
OH
= 3.3V （典型值）。
V
OL
= 0.3V （典型值）。
达到或超过JEDEC标准规格18
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类和DESC
上市（双标）
标准型，A和C速度等级
高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
断电禁用输出许可证“带电插入”
提供以下套餐：
工业： SOIC ， SSOP ， QSOP ， TSSOP
军事：陶瓷浸渍， LCC ， CERPACK
描述：
该FCT574T是使用一种先进的双金属8位寄存器建
CMOS技术。这些寄存器包括8 D型双稳态多谐振荡器具有一个
缓冲的公共时钟和缓冲三态输出控制。当输出
使能（OE ）输入为低时， 8输出被使能。当
OE
输入
为高电平时，输出处于高阻抗状态。
输入数据满足的建立和保持的D输入时间要求
传送到Q输出端上的时钟输入端的低到高转变。
功能框图
D
0
CP
CP
D
Q
CP
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
军事和工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
2000年8月
DSC-5494/-
IDT54/74FCT574T/AT/CT
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军事和工业温度范围
引脚配置
D
1
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D20-1
SO20-2
SO20-7
SO20-8
SO20-9
E20-1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
CP
3
2
1
20
19
18
17
L20-2
16
15
14
9
10
11
12
13
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
D
0
1
Q
0
20
V
CC
OE
指数
V
CC
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
D
7
Q
7
CERDIP / SOIC / SSOP / QSOP / TSSOP / CERPACK
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM(2)
V
TERM(3)
T
英镑
I
OUT
等级
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
储存温度
直流输出电流
马克斯。
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+120
单位
V
V
°C
mA
8T-link
引脚说明
引脚名称
D
N
CP
Q
N
Q
N
OE
描述
D触发器的数据输入端
时钟脉冲的寄存器。在进入低到数据
HIGH过渡。
三态输出（真）
三态输出（倒）
低电平有效三态输出使能输入
(1)
输出
D
N
X
X
L
H
L
H
Q
N
Z
Z
L
H
Z
Z
国内
Q
N
NC
NC
H
L
H
L
注意事项：
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
No
端电压可能超过VCC通过+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和唯一的Vcc端子。
3.输出和仅I / O端子。
功能表
输入
功能
高阻
负载
注册
OE
H
H
L
L
H
H
CP
L
H
↑
↑
↑
↑
电容
(T
A
= +25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
8T-link
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
NC =无变化
↑
=低到高的转变
2
GND
LCC
顶视图
CP
Q
6
IDT54/74FCT574T/AT/CT
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军事和工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ±5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
—
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
1
A
V
mV
mA
8T-link
单位
V
V
A
输出驱动特性
符号
V
OH
参数
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最小值。
I
OH
= -6mA MIL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
= -8mA IND
I
OH
= -12mA MIL
I
OH
= -15mA IND
V
CC
=最小值。
I
OL
= 32毫安MIL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安IND
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
分钟。
2.4
2
—
–60
典型值。
(2)
3.3
3
0.3
–120
马克斯。
—
—
0.5
–225
V
mA
单位
V
V
OL
I
OS
输出低电压
短路电流
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是±5μ一个在T
A
= –55°C.
3
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快速CMOS八路D寄存器（三态）
军事和工业温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
八位切换
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2
0.25
单位
mA
毫安/
兆赫
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
1.5
3.5
mA
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
—
2
5.5
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.8
7.3
(5)
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
—
6
16.3
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP /
2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
4
QQ：2880707522 复制
