3.3V CMOS八路D
寄存器（三态）
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT3574/A
超前信息
产品特点：
0.5微米CMOS技术
每MIL -STD- 883 ESD > 2000V ，方法3015 ;
＆ GT ;使用200V机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
25密耳中心SSOP封装
- -40 ° C扩展商业范围至+ 85°C
V
CC
= 3.3V
±0.3V,
正常范围或
V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展产品范围
CMOS功率水平（ 0.4μW （典型值）的静态）
轨到轨输出摆幅增加噪声容限
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该FCT3574 / A是8位寄存器采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。这些寄存器包括
8 D型双稳态多谐振荡器具有一个缓冲的公共时钟和
缓冲三态输出控制。当输出（
OE
）输入
LOW ， 8个输出使能。当
OE
输入
高电平时，输出处于高阻抗状态。
输入数据满足的建立和保持时间的要求
的D输入被转移向O输出端上的低到
时钟输入的高电平跳变。
功能框图
D
0
CP
CP
Q
CP
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
3095 DRW 01
引脚配置
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
1
2
3
4
P20-1
5 D20-1
SO20-2
6
＆放大器;
7 SO20-7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CP
引脚说明
引脚名称
D
N
CP
O
N
描述
D触发器的数据输入端
时钟脉冲的寄存器。输入数据
低到高的转变。
三态输出， （真正的）
三态输出， （倒）
低电平有效三态输出使能输入
3095 TBL 01
O
N
OE
DIP / SOIC / SSOP
顶视图
3095 DRW 02
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术有限公司
1995年8月
DSC-4650/-
8.14
1
IDT54/74FCT3574/3574A
3.3V CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
功能表
(1)
输入
功能
高阻
负载
注册
绝对最大额定值
(1)
输出
D
N
X
X
L
H
L
H
O
N
Z
Z
L
H
Z
Z
国内
OE
H
H
L
L
H
H
CP
L
H
Q
N
NC
NC
H
L
H
L
3095 TBL 02
↑
↑
↑
↑
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
NC =无变化
↑
=低到高的转变
符号
等级
广告
军事
(2)
端电压
V
TERM
-0.5到+4.6 -0.5到+4.6
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
关于
GND
-0.5到
V
TERM(4)
端电压
-0.5到
关于
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
GND
T
A
操作
-40到+85 -55到+125
温度
T
BIAS
温度
-55到+125 -65到+135
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125 -65到+150
温度
P
T
功耗
1.0
1.0
I
OUT
DC输出
当前
-60到+60
-60到+60
单位
V
V
V
°C
°C
°C
W
mA
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
3.5
4.0
MAX 。 UNIT
6.0
pF
8.0
pF
3095 TBL 04
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
3095 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
2. Vcc的端子。
3.输入端子。
4.输出和I / O端子。
8.14
2
IDT54/74FCT3574/3574A
3.3V CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 2.7V至3.6V ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 2.7V至3.6V
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
ODH
I
ODL
V
OH
参数
输入高电平（输入引脚）
输入高电平（ I / O引脚）
输入低电平
（输入和I / O引脚）
输入大电流（输入引脚）
(6)
输入大电流（ I / O引脚）
(6)
低输入电流（输入引脚）
(6)
低输入电流（ I / O引脚）
(6)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(6)
钳位二极管电压
输出高电流
输出低电流
输出高电压
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 5.5V
V
I
= V
CC
V
I
= GND
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= GND
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 3.0V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= ?? 0.1毫安
I
OH
= -3mA
I
OH
= -6mA MIL 。
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OL
= 0.1毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
V
CC
= 3.0V
I
OL
= 24毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
分钟。
2.0
2.0
–0.5
—
—
—
—
—
—
—
–36
50
V
CC
–
0.2
2.4
2.4
(5)
—
—
—
—
–60
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
–
1.2
单位
V
V
A
—
—
—
—
—
—
–
0.7
A
V
mA
mA
V
–60
90
—
3.0
3.0
—
0.2
0.3
0.3
–
135
–110
200
—
—
—
0.2
0.4
0.55
0.50
–240
—
V
OL
输出低电压
V
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
短路电流
(4)
输入滞后
静态电源电流
mA
mV
A
150
0.1
0.1
V
CC
=最大，
V
IN
= GND或V
CC
Com'l 。
米尔。
10
100
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
5. V
OH
= V
CC
在-0.6V额定电流。
6.此参数的测试限值是
±
5μA在T
A
= –55°C.
3095 LNK 05
8.14
3
IDT54/74FCT3574/3574A
3.3V CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
V
IN
= V
CC
–0.6V
(3)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
分钟。
典型值。
(2)
马克斯。
单位
mA
A/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
占空比为50％
一个输入切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
八位切换
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
mA
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
N
CP
/ 2 + FINI ）
I
CC
=静态电流（I
CCL ，
I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
N
CP
时钟输入=数在f
CP
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在网络
3095 TBL 06
8.14
4
IDT54/74FCT3574/3574A
3.3V CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
开关特性在工作范围
(3)
FCT3574
Com'l 。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
SU
t
H
t
W
参数
传播延迟
CP与O
N(3)
输出使能时间
输出禁止时间
建立创新高
或LOW ，D
N
到CP
保持历史高位
或LOW ，D
N
到CP
CP脉冲宽度
高或低
条件
(1)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
分钟。
(2)
马克斯。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
FCT3574A
Com'l 。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
分钟。
(2)
马克斯。
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
7.0
10.0
12.5
8.0
—
—
—
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
7.0
11.0
14.0
8.0
—
—
—
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
6.5
6.5
5.5
—
—
—
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
6.0
7.2
7.5
6.5
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3095 TBL 07
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.传输延迟和启用/禁用时间与V
CC
= 3.3V
±0.3V,
正常范围内。对于V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展范围，所有的传播延迟
和启用/禁用时间应该由20％的下降。
8.14
5
QQ：2881677436 复制
