快速CMOS
8输入通用
移位寄存器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT299T/AT/CT
产品特点：
标准型， A和C速度等级
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
CMOS功率水平
真TTL输入和输出的兼容性
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
断电禁用输出许可证“带电插入”
达到或超过JEDEC标准规格18
产品在耐辐射和辐射提供
增强版
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
和DESC上市（双标）
提供DIP ， SOIC ， QSOP ， CERPACK和LCC
套餐
描述：
在IDT54 / 74FCT299T / AT / CT使用的是先进的内置
双金属CMOS工艺。在IDT54 / 74FCT299T / AT /
CT是8输入通用移位/存储寄存器具有三态
输出。四种模式的操作是可能的：保持（存储） ，
左移，右移和加载数据。并行加载输入和
触发器的输出进行复用，以减少的总数
封装引脚。提供了触发器的Q输出端附加
0
和Q
7
以方便串行级联。一个独立的低电平有效
主复位用于复位寄存器。
功能框图
S
1
S
0
DS
7
DS
0
CP
C
D
Q
0
MR
OE
1
OE
2
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
2632 DRW 01
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
C
D
D
Q
C
P
Q
7
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术有限公司
1995年4月
DSC-4205/4
6.11
1
IDT54/74FCT299T/AT/CT
FAST CMOS 8输入通用移位寄存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
指数
S
0
OE
1
OE
2
I / O
6
I / O
4
I / O
2
I / O
0
Q
0
MR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
P20-1
D20-1
SO20-2
SO20-8
＆放大器;
E20-1
18
17
16
15
14
13
12
11
2632 DRW 02
MR
GND
DS
0
CP
I / O
1
2632 DRW 03
VCC
S
1
DS
7
Q
7
I / O
7
I / O
5
I / O
3
I / O
1
CP
DS
0
I / O
6
I / O
4
I / O
2
I / O
0
Q
0
OE
2
OE
1
S
0
VCC
S
1
3 2
4
5
6
7
8
20 19
18
1
17
16
15
14
9 10 11 12 13
L20-2
DS
7
Q
7
I / O
7
I / O
5
I / O
3
DIP / SOIC / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
引脚说明
引脚名称
CP
DS
0
DS
7
S
0
, S
1
描述
时钟脉冲输入（上升沿）
串行数据输入右移
串行数据输入左Shift
模式选择输入
异步主复位输入（低电平有效）
三态输出使能输入（低电平有效）
并行数据输入或三态并行输出
串行输出
2632 TBL 01
功能表
(1)
输入
MR
S
1
L
H
H
H
H
X
H
L
H
L
S
0
X
H
H
L
L
CP
X
↑
↑
↑
X
响应
异步复位Q
0
–Q
7
= LOW
并行加载; I / O
n
→
Q
n
右移; DS
0
→
Q
0
, Q
0
→
Q
1
等。
左移; DS
7
→
Q
7
, Q
7
→
Q
6
等。
HOLD
2632 TBL 02
MR
OE
1
,
OE
2
I / O
0
-I / O
7
O
0
, O
7
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
↑
=低到高的时钟跳变
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+7.0
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到
关于
V
CC
+0.5
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
-60到+120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
MAX 。 UNIT
10
pF
12
pF
2632 LNK 04
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
-60到+120
V
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2632 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
6.11
2
IDT54/74FCT299T/AT/CT
FAST CMOS 8输入通用移位寄存器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
I
V
IK
I
OS
V
OH
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
输入高电流
(4)
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大，V
I
= 2.7V
V
CC
=最大，V
I
= 0.5V
V
CC
=最大，V
I
= VCC （最大）
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大，
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
(3)
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
–60
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
–0.7
–120
3.3
3.0
0.3
—
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
–1.2
–225
—
—
0.5
±1
—
1
单位
V
V
A
A
A
V
mA
V
V
V
A
mV
mA
2632 TBL 05
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
O
= GND
I
OH
= -6mA MIL 。
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
2.4
2.0
—
—
—
—
V
OL
I
关闭
V
H
I
CC
输出低电压
输入/输出电源关闭
泄漏
(5)
输入滞后
静态功耗
电源电流
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
≤
4.5V
—
V
CC
=最大。
V
IN
= GND或V
CC
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是
±5A
在T
A
= -55°C.
5.此参数是保证，但未经测试。
6.11
3
IDT54/74FCT299T/AT/CT
FAST CMOS 8输入通用移位寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源
当前TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
VCC =最大值。
V
IN
= 3.4V
(3)
VCC =最大值。
输出打开
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
1
= GND
一个输入切换
占空比为50％
VCC =最大值。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
7
= GND
一位切换
在f
i
= 5MHz时，
占空比为50％
VCC =最大值。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
7
= GND
八位切换
在f
i
= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2.0
0.25
单位
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源
当前
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
1.5
3.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2.0
5.5
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.8
7.3
(5)
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
6.0
16.3
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态电流通过输出转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2632 TBL 06
6.11
4
QQ：2881677436 复制
