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IDT16S60C
2
nd
新一代的thinQ ！
TM
SiC肖特基二极管
特点
革命性的半导体材料 - 碳化硅
开关性能基准测试
无反向恢复/无正向恢复
在开关行为没有温度的影响
高浪涌电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
击穿电压为5mA测试
2)
产品概述
V
DC
Q
c
I
F
600
38
16
V
nC
A
PG-TO220-2-2
的thinQ ！ 2G二极管专为喜欢快速开关应用：
= CCM PFC
电机驱动器
TYPE
IDT16S60C
包
PG-TO220-2-2
记号
D16S60C
销1
C
销2
A
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续正向电流
RMS正向电流
符号条件
I
F
I
楼RMS
T
C
<140 ℃，
f
= 50赫兹
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
j
=150 °C,
T
C
=100 °C,
D
=0.1
T
C
=25 °C,
t
p
=10 s
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
价值
16
23
118
64
528
69
600
V
R
=0…480V
T
C
=25 °C
50
136
-55 ... 175
M3和M3.5螺丝
60
A
2
s
V
V / ns的
W
°C
NCM
单位
A
浪涌非重复正向电流，
I
女， SM
正弦半波
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
i
2 T值
反向重复峰值电压
二极管的dv / dt坚固
功耗
工作和存储温度
安装力矩
I
男， RM
I
女，最大
∫i
2
dt
V
RRM
dv / dt的
P
合计
T
j
,
T
英镑
修订版2.0
第1页
2006-03-14
IDT16S60C
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）从
案例10秒
-
-
-
-
1.1
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
阻断电压DC
二极管的正向电压
V
DC
V
F
I
R
-0.2毫安
I
F
=16 A,
T
j
=25 °C
I
F
=16 A,
T
j
=150 °C
反向电流
I
R
V
R
=600 V,
T
j
=25 °C
V
R
=600 V,
T
j
=150 °C
600
-
-
-
-
-
1.5
1.7
2
10
-
1.7
2.1
200
2000
A
V
AC特性
总容性充电
开关时间
3)
总电容
Q
c
t
c
C
V
R
=400 V,
I
F
≤I
女，最大
,
di
F
/ DT = 200 A / μs的，
T
j
=150 °C
V
R
=1 V,
f
- 兆赫
V
R
=300 V,
f
= 1兆赫
V
R
=600 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
38
-
650
100
100
-
<10
-
-
-
nC
ns
pF
1)
2)
J- STD20和JESD22
所有器件的雪崩条件下进行测试，为5ms的时间periode ， 5毫安。
t
c
是时间常数电容位移电流波形（独立由叔
j
, I
负载
和
的di / dt ） ，从T不同
rr
，这取决于对T
j
, I
负载
， di / dt的。没有反向恢复时间常数t
rr
由于
没有少数载流子注入。
4)
3)
只有电容充电现象发生，通过设计保证。
修订版2.0
第2页
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IDT16S60C
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
参数：v
thJC （最大）
140
2二极管的正向电流
I
F
= F （T
C
);
T
j
≤175
°C
参数：
R
thJC （最大）
;
V
F（ MAX）的
35
120
30
100
25
P
合计
[W]
80
20
60
I
F
[A]
15
40
10
20
5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3典型。正向特性
I
F
= F（V
F
);
t
p
=400 s
参数：
T
j
25
25 °C
-55 °C
100 °C
175 °C
4典型。浪涌电流正向特性
模式
I
F
= F（V
F
);
t
p
= 400微秒;参数：
T
j
160
-55 °C
20
150 °C
175 °C
120
15
I
F
[A]
I
F
[A]
80
25 °C
10
100 °C
40
5
150 °C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
100 °C 150 °C
2
4
6
8
V
F
[V]
V
F
[V]
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IDT16S60C
5典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
楼AV
= F（我
F
),
T
C
= 100 ° C，参数：
D
=t
p
/T
60
0.1
0.2
0.5
1
6典型。反向电流与反向电压
I
R
= F（V
R
)
参数：
T
j
10
1
50
10
0
40
P
F（ AV ）
[W]
I
R
[A]
175 °C
30
10
-1
150 °C
20
10
-2
10
-55 °C
100 °C
25 °C
0
0
5
10
15
20
25
10
-3
100
200
300
400
500
600
I
F（ AV ）
[A]
V
R
[V]
7瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
8典型。电容与反向电压
C
= F（V
R
);
T
C
=25 °C,
f
= 1兆赫
800
700
10
0
0.5
0.2
600
500
Z
thJC
〔 K / W〕
10
-1
C
[ pF的]
单脉冲
-4
-3
-2
-1
0.1
0.05
0.02
400
300
10
-2
200
100
10
-3
10
-5
0
10
10
10
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
[s]
V
R
[V]
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IDT16S60C
9典型。下贮存的能量
E
C
= F（V
R
)
10典型。电容充电与电流斜率
Q
C
= F（二
F
/ DT ）
4)
;
T
j
=150 °C;
I
F
≤I
女，最大
20
40
16
30
12
E
c
[J]
Q
c
[ NC ]
8
4
0
0
100
200
300
400
500
600
20
10
0
100
400
700
1000
V
R
[V]
di
F
/ DT [A / μs的]
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