日前，Vishay
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道
频道）
特点
相同的通道间足迹
ILD620横刀夺爱，以TLP620-2
ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
= 70 V
双核和四包功能：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
的A / C
3
4
8
7
6
5
C
E
C
E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
四通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
3
的A / C
4
的A / C
5
的A / C
6
的A / C
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
7
的A / C
8
描述
在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是
多通道输入光电晶体管光耦合器的
使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高
获得每通道NPN硅光电晶体管。这些
设备采用了构造/下引线框架
光耦合和双成型绝缘result-
荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压
RMS
.
在LED参数和线性CTR characteris-
抽动使这些器件非常适用于交流电压
检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我
F
quaranteed
CTR
CESAT
最大限度地减少了交流电压的功耗
被放置在一系列的年龄检测网络
LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接
化提供了附加的电抗噪能力从
在很多工业控制中的瞬变环境
求。
i179053
订购信息
部分
ILD620
ILD620GB
ILQ620
ILQ620GB
ILD620-X007
ILD620-X009
ILD620GB-X009
ILQ620-X009
ILQ620GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83653
修订版1.3 ， 26 -APR- 04
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1
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
± 60
± 1.5
100
1.3
单位
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0秒：
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ620
ILQ620GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD620
ILD620GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83653
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日前，Vishay
电气特性
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
正向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= - 10毫安
V
R
= ± 0.7 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
F
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
2.5
25
750
最大
1.3
20
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
T
A
= 85°C ，V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
2.0
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
关态集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
F
= ± 0.7 V, V
CE
= 24 V
I
F
= ± 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
I
CE （关闭）
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
1.0
最大
10
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
A
V
V
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
CTR对称
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
CE
(I
F
= - 5.0毫安） /
I
CE
(I
F
= + 5.0毫安）
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620GB
ILQ620GB
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
CTRX / CTRY
I
CE （ RATIO ）
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
50
50
30
30
100
100
200
200
600
600
民
1对1
0.5
60
60
80
80
600
600
典型值。
最大
3比1
2.0
%
%
%
%
%
%
%
%
单位
文档编号83653
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3
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
开关特性
非饱和
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和的
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
20
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
IF = 10毫安
VCC = 5 V
VO
F = 10 kHz时，
DF = 50％
VCC = 5 V
RL = 1 kΩ的
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
IF = 10毫安
VO
iild620_01
iild620_02
图。 1非饱和的切换定时
图。 2饱和开关时间
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4
文档编号83653
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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
ICEO - 集电极发射极 - NA
I
F
10 5
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
iild620_06
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCE = 10 V
典型
t
D
iild620_03
t
R
t
on
t
关闭
t
F
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
图。 3非饱和的切换定时
图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
IF
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
iild620 _04
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
iild620_07
图。 4饱和开关时间
图。 7最大LED电流与环境温度
60
I F - LED正向电流 - 毫安
200
85 °C
PLED - LED电源 - 毫瓦
40
20
0
-20
-40
-60
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
25 °C
150
–55 °C
100
50
0.5
1.0
1.5
iild620_08
iild620_05
V F - LED的正向电压 - V
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 5 LED正向电流vs.Forward电压
图。 8最大的LED功率耗散
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日前，Vishay
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道
频道）
特点
相同的通道间足迹
ILD620横刀夺爱，以TLP620-2
ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
= 70 V
双核和四包功能：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
的A / C
3
4
8
7
6
5
C
E
C
E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
四通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
3
的A / C
4
的A / C
5
的A / C
6
的A / C
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
7
的A / C
8
描述
在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是
多通道输入光电晶体管光耦合器的
使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高
获得每通道NPN硅光电晶体管。这些
设备采用了构造/下引线框架
光耦合和双成型绝缘result-
荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压
RMS
.
在LED参数和线性CTR characteris-
抽动使这些器件非常适用于交流电压
检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我
F
quaranteed
CTR
CESAT
最大限度地减少了交流电压的功耗
被放置在一系列的年龄检测网络
LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接
化提供了附加的电抗噪能力从
在很多工业控制中的瞬变环境
求。
i179053
订购信息
部分
ILD620
ILD620GB
ILQ620
ILQ620GB
ILD620-X007
ILD620-X009
ILD620GB-X009
ILQ620-X009
ILQ620GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
± 60
± 1.5
100
1.3
单位
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0秒：
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ620
ILQ620GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD620
ILD620GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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文档编号83653
修订版1.3 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
正向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= - 10毫安
V
R
= ± 0.7 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
F
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
2.5
25
750
最大
1.3
20
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
T
A
= 85°C ，V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
2.0
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
关态集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
F
= ± 0.7 V, V
CE
= 24 V
I
F
= ± 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
I
CE （关闭）
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
1.0
最大
10
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
A
V
V
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
CTR对称
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
CE
(I
F
= - 5.0毫安） /
I
CE
(I
F
= + 5.0毫安）
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620GB
ILQ620GB
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
CTRX / CTRY
I
CE （ RATIO ）
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
50
50
30
30
100
100
200
200
600
600
民
1对1
0.5
60
60
80
80
600
600
典型值。
最大
3比1
2.0
%
%
%
%
%
%
%
%
单位
文档编号83653
修订版1.3 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
3
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
开关特性
非饱和
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和的
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
20
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
IF = 10毫安
VCC = 5 V
VO
F = 10 kHz时，
DF = 50％
VCC = 5 V
RL = 1 kΩ的
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
IF = 10毫安
VO
iild620_01
iild620_02
图。 1非饱和的切换定时
图。 2饱和开关时间
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文档编号83653
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日前，Vishay
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
ICEO - 集电极发射极 - NA
I
F
10 5
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
iild620_06
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCE = 10 V
典型
t
D
iild620_03
t
R
t
on
t
关闭
t
F
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
图。 3非饱和的切换定时
图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
IF
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
iild620 _04
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
iild620_07
图。 4饱和开关时间
图。 7最大LED电流与环境温度
60
I F - LED正向电流 - 毫安
200
85 °C
PLED - LED电源 - 毫瓦
40
20
0
-20
-40
-60
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
25 °C
150
–55 °C
100
50
0.5
1.0
1.5
iild620_08
iild620_05
V F - LED的正向电压 - V
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 5 LED正向电流vs.Forward电压
图。 8最大的LED功率耗散
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5
日前，Vishay
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道
频道）
特点
相同的通道间足迹
ILD620横刀夺爱，以TLP620-2
ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
= 70 V
双核和四包功能：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
的A / C
3
4
8
7
6
5
C
E
C
E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
四通道
的A / C
1
的A / C
2
的A / C
3
的A / C
4
的A / C
5
的A / C
6
的A / C
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
7
的A / C
8
描述
在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是
多通道输入光电晶体管光耦合器的
使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高
获得每通道NPN硅光电晶体管。这些
设备采用了构造/下引线框架
光耦合和双成型绝缘result-
荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压
RMS
.
在LED参数和线性CTR characteris-
抽动使这些器件非常适用于交流电压
检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我
F
quaranteed
CTR
CESAT
最大限度地减少了交流电压的功耗
被放置在一系列的年龄检测网络
LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接
化提供了附加的电抗噪能力从
在很多工业控制中的瞬变环境
求。
i179053
订购信息
部分
ILD620
ILD620GB
ILQ620
ILQ620GB
ILD620-X007
ILD620-X009
ILD620GB-X009
ILQ620-X009
ILQ620GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
± 60
± 1.5
100
1.3
单位
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0秒：
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ620
ILQ620GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD620
ILD620GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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文档编号83653
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日前，Vishay
电气特性
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
正向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= - 10毫安
V
R
= ± 0.7 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
F
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
2.5
25
750
最大
1.3
20
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
T
A
= 85°C ，V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
2.0
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
关态集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
F
= ± 0.7 V, V
CE
= 24 V
I
F
= ± 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
I
CE （关闭）
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
1.0
最大
10
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
A
V
V
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
CTR对称
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
CE
(I
F
= - 5.0毫安） /
I
CE
(I
F
= + 5.0毫安）
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620
ILQ620
I
F
= ±1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD620GB
ILQ620GB
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD620GB
ILQ620GB
部分
符号
CTRX / CTRY
I
CE （ RATIO ）
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
50
50
30
30
100
100
200
200
600
600
民
1对1
0.5
60
60
80
80
600
600
典型值。
最大
3比1
2.0
%
%
%
%
%
%
%
%
单位
文档编号83653
修订版1.3 ， 26 -APR- 04
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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
开关特性
非饱和
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和的
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
20
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
IF = 10毫安
VCC = 5 V
VO
F = 10 kHz时，
DF = 50％
VCC = 5 V
RL = 1 kΩ的
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
IF = 10毫安
VO
iild620_01
iild620_02
图。 1非饱和的切换定时
图。 2饱和开关时间
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修订版1.3 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB
威世半导体
ICEO - 集电极发射极 - NA
I
F
10 5
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
iild620_06
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCE = 10 V
典型
t
D
iild620_03
t
R
t
on
t
关闭
t
F
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
图。 3非饱和的切换定时
图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
IF
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
iild620 _04
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TA - 环境温度 - °C
iild620_07
图。 4饱和开关时间
图。 7最大LED电流与环境温度
60
I F - LED正向电流 - 毫安
200
85 °C
PLED - LED电源 - 毫瓦
40
20
0
-20
-40
-60
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
25 °C
150
–55 °C
100
50
0.5
1.0
1.5
iild620_08
iild620_05
V F - LED的正向电压 - V
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 5 LED正向电流vs.Forward电压
图。 8最大的LED功率耗散
文档编号83653
修订版1.3 ， 26 -APR- 04
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5
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