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IDH08SG60C
3
rd
新一代的thinQ ！
TM
SiC肖特基二极管
特点
革命性的半导体材料 - 碳化硅
开关性能基准测试
无反向恢复/无正向恢复
温度独立的开关行为
高浪涌电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
在20mA击穿电压测试
2)
优化了高温作业
最低数字的优异Q
C
/I
F
产品概述
V
DC
Q
C
I
F
;
T
C
＆ LT ;
130 °C
600
12
8
V
nC
A
的thinQ ！ 3G二极管专为喜欢快速开关应用：
SMPS例如; CCM PFC
电机驱动器;光伏应用产品; UPS
TYPE
IDH08SG60C
包
PG-TO220-2
记号
D08G60C
销1
C
销2
A
最大额定值
参数
连续正向电流
符号条件
I
F
T
C
<130 ℃，
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=150 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=25 °C,
t
p
=10 s
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=150 °C,
t
p
= 10毫秒
V
RRM
dv / dt的
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
出售
1.6毫米（ 0.063英寸）从
案例10秒
M3和M3.5螺丝
T
j
=25 °C
V
R
= 0….480 V
T
C
=25 °C
价值
8
42
36
350
9
6.5
600
50
100
-55 ... 175
260
60
NCM
V
V / ns的
W
°C
A
2
s
单位
A
浪涌非重复正向电流，
I
女， SM
正弦半波
非重复峰值正向电流
i
2 T值
反向重复峰值电压
二极管的dv / dt坚固
功耗
工作和存储温度
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
安装力矩
I
女，最大
∫i
2
dt
修订版2.3
第1页
2009-08-04
IDH08SG60C
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
热阻，
junction-环境，
含铅
-
-
-
-
1.5
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
阻断电压DC
二极管的正向电压
V
DC
V
F
I
R
α= 0.05毫安，
T
j
=25 °C
I
F
=8 A,
T
j
=25 °C
I
F
=8 A,
T
j
=150 °C
反向电流
I
R
V
R
=600 V,
T
j
=25 °C
V
R
=600 V,
T
j
=150 °C
AC特性
总容性充电
开关时间
3)
总电容
Q
c
t
c
C
V
R
= 400 V，I
F
≤I
女，最大
,
di
F
/ DT = 200 A / μs的，
T
j
=150 °C
V
R
=1 V,
f
= 1兆赫
V
R
=300 V,
f
= 1兆赫
V
R
=600 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
12
-
240
30
30
-
<10
-
-
-
nC
ns
pF
600
-
-
-
-
-
1.8
2.2
0.6
2.5
-
2.1
-
70
700
A
V
1)
2)
3)
J- STD20和JESD22
所有器件的雪崩条件下进行测试，对于10ms的时间periode ，在20mA 。
t
c
是时间常数电容位移电流波形（独立由叔
j
, I
负载
和
的di / dt ） ，从T不同
rr
这是依赖对T
j
, I
负载
和di / dt 。没有反向恢复时间常数t
rr
由于
没有少数载流子注入。
4)
5)
在最坏的情况下
th
条件。
只有电容充电现象发生，通过设计保证。
修订版2.3
第2页
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IDH08SG60C
1功耗
P
合计
= F （T
C
） ;参数：v
thJC （最大）
2二极管的正向电流
I
F
= F （T
C
)
4)
;
T
j
≤175
° ℃;参数：
D =吨
p
/T
100
60
0.1
80
50
40
60
P
合计
[W]
I
F
[A]
0.3
30
0.5
40
20
0.7
1
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3典型。正向特性
4典型。浪涌电流正向特性
模式
I
F
= F（V
F
);
t
p
= 400微秒;参数：T已
j
20
I
F
= F（V
F
);
t
p
= 400微秒;参数：
T
j
60
100 °C
175 °C
50
15
150 °C
40
-55 °C
175 °C
I
F
[A]
10
I
F
[A]
30
25 °C
25 °C
20
5
10
100 °C
150 °C
0
0
1
-55 °C
0
2
3
4
0
2
4
6
8
V
F
[V]
V
F
[V]
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第3页
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IDH08SG60C
5典型。电容充电与电流斜率
Q
C
= F（二
F
/ DT ）
5)
;
I
F
≤I
女，最大
6典型。反向电流与反向电压
I
R
= F（V
R
） ;参数：
T
j
14
10
2
12
10
1
10
10
0
Q
c
[ NC ]
6
I
R
[A]
10
-1
8
4
10
2
-2
175C
150C
100C
25C
-55C
0
100
400
700
1000
10
-3
100
200
300
400
500
600
di
F
/ DT [A / μs的]
V
R
[V]
7典型。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
） ;参数：
D =吨
P
/T
8典型。电容与反向电压
C
= F（V
R
);
T
C
=25 °C,
f
= 1兆赫
10
1
300
250
10
0
200
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
C
[ pF的]
0
150
0.2
0.05
10
-1
0.1
0.05
100
0.02
50
10
-2
10
-6
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
P
[s]
V
R
[V]
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第4页
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IDH08SG60C
9典型。下贮存的能量
E
C
= F（V
R
)
7
6
5
E
c
[J]
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
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