产品简介
特点
650V的SiC的thinQ ! 第5代二极管
用自己的方式为我们的方式:提高效率和解决方案成本
THINQ ! 第五代代表英飞凌领先的技术优势为
SiC肖特基势垒二极管。英飞凌专利的扩散焊接
的过程中,已经引入了G3,现在结合一个新的,更
紧凑的设计和薄晶圆技术。其结果是一个新的家庭
产品展示更高的效率在所有负载条件下,来自哪里
既提高了热性能和优异的低数字(Q
c
X V
f
).
新的thinQ ! 第五代的设计是为了补充我们的650V
的CoolMOS 家族:这可确保满足最严格的应用
要求在此电压范围内。
98.5
V
br
在650V
优异的改进图(Q
c
X V
f
)
没有反向恢复电荷
软开关逆
恢复波形
温度独立
交换行为
高的工作温度
(T
j max的情况
175°C)
改进的浪涌能力
无铅引线电镀
10年制造的SiC二极管
好处
对较高的安全边际
过电压;与最佳匹配
的CoolMOS 650V产品
在所有提高效率
负载条件
提高效率相比,
硅二极管的替代品
减少电磁干扰比较迅捷
硅二极管的反向恢复
波形
高稳定开关性能
减少冷却要求
热失控的风险降低
符合RoHS
高品质的知识和能力
在碳化硅二极管制造
a)
效率[ % ]
98.0
97.5
第5代
第3代
第2代
97.0
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
输出功率[ %标称]
0.15
0.10
效率迪erence [ % ]
0.05
0.00
- 0.05
- 0.10
b)
第5代
第3代
第2代
实验结果
三者之间的效率比较
IFX代8A碳化硅二极管
a)绝对价值
b)上述的thinQ ! 5代
( CCM PFC ,高线,噘最大值= 1800瓦,
f
SW
= 65千赫,T
HS
=60°C,
MOSFET : IPW60R075CP )
应用
电信/服务器SMPS
太阳能/ UPS
PC Silverbox
LED / LCD电视
电机驱动
HID照明
- 0.15
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
输出功率[ %标称]
www.infineon.com/sic
产品简介
650V的SiC的thinQ ! 第5代二极管
用自己的方式为我们的方式:提高效率和解决方案成本
英飞凌:领先的技术
一个重要的成就与5代是工业实施
细化处理,它允许减少在晶片厚度几乎
1/3 ,同时保持了公认的质量和产量水平。细化
减小衬底的电阻贡献(参见图片上的
右)和其最显着的好处之一,是一个持续改进
浪涌电流的鲁棒性,在目前水平相当甚至更高(对于
中频<10A )比G2的,尽管更小的芯片尺寸。
在与我们的专利的扩散焊接组合,减少
厚度进一步有助于降低整体热阻
在包中。下面的照片显示了温度上升的
对于相同的器件面积给予正向电流条件下结:
左: 350μm的芯片60μm的软钎焊;中间: 350μm的芯片差异。
焊;右: 110μm芯片差异。焊接
60
50
40
IF [ A /毫米
2
]
d=350m@175°C
d=110m@175°C
30
20
10
0
G5
G2-G3
0
2
4
VF [V]的
6
8
规划产品组合
的TO-220 R2L
650V
2A
3A
4A
5A
6A
8A
9A
10A
12A
16A
20A
30A
40A
IDH02G65C5
IDH03G65C5
IDH04G65C5
IDH05G65C5
IDH06G65C5
IDH08G65C5
IDH09G65C5
IDH10G65C5
IDH12G65C5
IDH16G65C5
IDH20G65C5
IDK02G65C5
IDK03G65C5
IDK04G65C5
IDK05G65C5
IDK06G65C5
IDK08G65C5
IDK09G65C5
IDK10G65C5
IDK12G65C5
IDL02G65C5
IDL04G65C5
IDL06G65C5
IDL08G65C5
IDL10G65C5
IDL12G65C5
TO-247
新!
D
2
PAK R2L
新!
ThinPAK 8×8
新!
IDW10G65C5
IDW12G65C5
IDW16G65C5
IDW20G65C5
IDW30G65C5
IDW40G65C5
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出版
英飞凌科技股份公司奥地利
9500奥地利菲拉赫
2012英飞凌科技股份公司。
版权所有。
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日期: 09 /2012
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支持设备或系统的目的是为植入
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维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,这是推理
能够假定用户或其他人的健康
可能受到威胁。