IDC08S60C
2
nd
新一代的thinQ ！
TM
SiC肖特基二极管
产品特点：
革命性的半导体材料 -
碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
对开关没有温度的影响
行为
无远期恢复
高浪涌电流能力
应用范围：
开关电源， PFC ，缓冲
C
A
芯片型号
IDC08S60C
V
BR
600V
I
F
8A
模具尺寸
1.658 X 1.52毫米
2
包
锯成薄片上
力学参数：
栅格尺寸
阳极焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
马克斯。每片晶圆的芯片可能
钝化前端
阳极金属化
阴极金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
1.658x 1.52
mm
1.421 x 1.283
2.52 / 1.95
355
75
0
1443件
Photoimide
3200纳米的铝
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
AL ，
≤
350m
≥
0.3 mm
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
mm
m
mm
度
2
英飞凌科技， AIM PMD CID CLS ，第1版， 2006年4月27日编辑
IDC08S60C
最大额定值
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
连续正向电流限制的
T
JMAX
浪涌不重复正向电流
正弦半波
符号
V
RRM
V
DC
I
F
I
女， SM
I
男， RM
I
女，最大
T
j
,
T
S T摹
条件
价值
600
600
8
单位
V
T
C
= 25 ° C，T
P
= 10毫秒
T
C
= 100 ° C，T
j
= 1 5 0
°
C,
D=0.1
T
C
= 25°C ， TP = 10微秒
59
35
264
-55...+175
A
重复峰值正向电流
限制T
JMAX
非重复峰值正向电流
工作结存储
温度
°C
静态电气特性
（片上测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有说明
价值
分钟。
典型值。
1
1.5
马克斯。
100
1.7
参数
反向电流
二极管的正向电压
符号
I
R
V
F
V
R
=600V
I
F
=8A
条件
T
j
= 2 5
°
C
T
j
= 2 5
°
C
单位
A
V
动态电气特性
,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明，测试在组件
参数
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
19
马克斯。
单位
总容性充电
Q
C
I
F
< = I
F，M一X
di/dt=200A/s
V
R
=400V
T
j
= 150 °C
nC
开关时间
1)
t
c
T
j
= 150 °C
<10
ns
V
R
= 1V
总电容
C
f=1MHz
310
50
50
pF
V
R
= 3 0 0V
V
R
= 600V
1)
t
c
是时间常数电容位移电流波形（独立由叔
j
, I
负载
和
的di / dt ） ，从T不同
rr
这是依赖对T
j
, I
负载
和di / dt 。没有反向恢复时间常数t
rr
由于
没有少数载流子注入的
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IDC08S60C
CHIP图：
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IDC08S60C
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
在网络连接霓虹灯技术
IDT08S60C
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑，德国
英飞凌科技股份公司2000
版权所有
请注意！
此处的信息是考虑到某些描述部件，不得被视为保证
的特点。
交货条件和权利，以技术变革保留。
在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，
关于电路，说明和图表规定外。
在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。
信息
有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的
英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌代表世界各地（见
地址列表） 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确
英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
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QQ：2881677436 复制
