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IDB06S60C
2
nd
新一代的thinQ !
TM
SiC肖特基二极管
特点
革命性的半导体材料 - 碳化硅
开关性能基准测试
无反向恢复/无正向恢复
在开关行为没有温度的影响
高浪涌电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
击穿电压为5mA测试
2)
产品概述
V
DC
Q
c
I
F
600
15
6
V
nC
A
D
2
PAK
的thinQ ! 2G二极管专为喜欢快速开关应用:
= CCM PFC
电机驱动器
TYPE
IDB06S60C
D
2
PAK
记号
D06S60C
销2
C
3脚
A
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续正向电流
RMS正向电流
符号条件
I
F
I
楼RMS
T
C
<135 ℃,
f
= 50赫兹
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
j
=150 °C,
T
C
=100 °C,
D
=0.1
T
C
=25 °C,
t
p
=10 s
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
价值
6
9
46
单位
A
浪涌非重复正向电流,
I
女, SM
正弦半波
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
i
2 T值
反向重复峰值电压
二极管耐用的dv / dt
功耗
工作和存储温度
I
男, RM
I
女,最大
∫i
2
dt
V
RRM
dv / dt的
P
合计
T
j
,
T
英镑
24
210
10
600
A
2
s
V
V / ns的
W
°C
V
R
=0…480V
T
C
=25 °C
50
52
-55 ... 175
2.1版
第1页
2009-01-07
IDB06S60C
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,结 - 案
R
thJC
R
thJA
热阻,
结 - 环境
SMD版本,设备
在PCB上,最小的
脚印
SMD版本,设备
在PCB上, 6厘米
2
冷却
区域
3)
回流焊MSL1
-
-
-
-
2.9
62
K / W
典型值。
马克斯。
单位
-
35
-
焊接温度,
reflowsoldering @ 10秒
T
出售
-
-
260
°C
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
阻断电压DC
二极管的正向电压
V
DC
V
F
I
R
= 0.08毫安
I
F
=6 A,
T
j
=25 °C
I
F
=6 A,
T
j
=150 °C
反向电流
I
R
V
R
=600 V,
T
j
=25 °C
600
-
-
-
-
1.5
1.7
0.7
-
1.7
2.1
80
A
V
V
R
=600 V,
T
j
=150 °C
AC特性
总容性充电
开关时间
4)
总电容
Q
c
t
c
C
V
R
=400 V,
I
F
≤I
女,最大
,
di
F
/ DT = 200 A / μs的,
T
j
=150 °C
V
R
=1 V,
f
= 1兆赫
V
R
=300 V,
f
= 1兆赫
V
R
=600 V,
f
= 1兆赫
1)
2)
3)
-
3
800
-
-
-
-
-
15
-
280
35
35
-
<10
-
-
-
nC
ns
pF
J- STD20和JESD22
所有器件的雪崩条件下进行测试,为5毫秒的为5mA时periode 。
设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米磐英PCB的FR4 6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是vertikal与吹出来的空气。
t
c
是时间常数电容位移电流波形(独立由叔
j
, I
负载
的di / dt ) ,从T不同
rr
,这取决于对T
j
, I
负载
, di / dt的。没有反向恢复时间常数t
rr
由于
没有少数载流子注入。
只有电容充电现象发生,通过设计保证。
2.1版
第2页
5)
4)
2009-01-07
IDB06S60C
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2二极管的正向电流
I
F
= F (T
C
);
T
j
≤175
°C
60
16
14
50
12
40
10
P
合计
[W]
I
F
[A]
30
8
6
20
4
10
2
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3典型。正向特性
I
F
= F(V
F
);
t
p
=400 s
参数:
T
j
18
100 °C
175 °C
4典型。浪涌电流正向特性
模式
I
F
= F(V
F
);
t
p
= 400微秒;参数T
j
70
175 °C
16
25 °C
150 °C
60
-55 °C
14
50
12
10
8
6
20
4
2
-55 °C
150 °C
40
25 °C
I
F
[A]
I
F
[A]
30
100 °C
10
0
0
1
2
3
4
0
0
2
4
6
8
V
F
[V]
V
F
[V]
2.1版
第3页
2009-01-07
IDB06S60C
5典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
楼AV
= F(我
F
),
T
C
= 100 ° C,参数:
D
=t
p
/T
30
0.1
1
6典型。反向电流与反向电压
I
R
= F(V
R
)
参数:
T
j
10
1
25
0.2
10
0
20
0.5
P
F( AV )
[W]
I
R
[A]
15
10
-1
175 °C
10
10
-2
5
-55 °C
150 °C
100 °C
25 °C
0
0
5
10
15
10
-3
100
200
300
400
500
600
I
F( AV )
[A]
V
R
[V]
7瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
1
8典型。电容与反向电压
C
= F(V
R
);
T
C
=25 °C,
f
= 1兆赫
400
0.5
300
10
0
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
0.1
0.05
0.02
C
[ pF的]
-4
-3
-2
-1
200
10
-1
0.01
单脉冲
100
10
-2
10
-5
0
10
10
10
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
P
[s]
V
R
[V]
2.1版
第4页
2009-01-07
IDB06S60C
9典型。下贮存的能量
E
C
= F(V
R
)
10典型。电容充电与电流斜率
Q
C
= F(二
F
/ DT )
5)
;
T
j
=150 °C;
I
F
≤I
F
, MAX
8
20
7
6
15
5
E
c
[C]
4
Q
c
[ NC ]
0
100
200
300
400
500
600
10
3
2
5
1
0
0
100
400
700
1000
V
R
[V]
di
F
/ DT [A / μs的]
2.1版
第5页
2009-01-07
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDB06S60C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IDB06S60C
Infineon Technologies
2420+
32210
D2PAK-2 (TO-263-2)
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IDB06S60C
Infineon Technologies
24+
5000
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
原装正品现货
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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Infineon
2025+
26820
TO-263-3
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
IDB06S60C
INFINEON
24+
8000
TO-263
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IDB06S60C
Infineon Technologies
24+
10000
PG-TO263-3-2
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IDB06S60C
INFINEON/英飞凌
24+
27200
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
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电话:13711580601
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地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
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INFINEON/英飞凌
22+/23+
1000
TO-263
原装正品 力挺实单
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联系人:小邹
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IDB06S60C
INFINEON/英飞凌
21+22+
27000
TO-263
原装正品
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