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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第472页 > ID82C86H
82C86H
1997年3月
CMOS八路总线收发器
描述
Intersil的82C86H是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅栅收发器制造
CMOS工艺（缩放佐治四）。该82C86H提供了一个完整的
8位双向总线接口在一个20引线封装。该
发送（ T）控制决定了数据的方向。活跃
低输出使能（ OE ）允许简单的接口80C86 ，
80C88等微处理器。该82C86H已选通
输入，省去了上拉/下拉电阻和
降低了整个系统的运行功率耗散。
特点
全八位双向总线接口
行业标准8286兼容的引脚排列
??高驱动能力
- B面我
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
- 一个侧面I
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12毫安
三态输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为35ns最大。
选通输入
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ICCSB = 10μA
工作温度范围
- C82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
- I82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
- M82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品型号
5MHz
CP82C86H-5
IP82C86H-5
CS82C86H-5
IS82C86H-5
CD82C86H-5
ID82C86H-5
MD82C86H-5/B
5962-
8757701RA
MR82C86H-5/B
5962-
87577012A
8MHz
PACK-
AGE
TEMP 。 RANGE
0
o
C至+70
o
C
PKG 。
号
E20.3
CP82C86H 20 Ld的
PDIP
IP82C86H
CS82C86H 20 Ld的
PLCC
IS82C86H
CD82C86H 20 Ld的
CERDIP
ID82C86H
-
-
-
-
SMD ＃
20垫
CLCC
SMD ＃
-40
o
C至+ 85
o
E20.3
0
o
C至+70
o
C
N20.35
-40
o
C至+ 85
o
N20.35
0
o
C至+70
o
C
F20.3
-40
o
C至+ 85
o
F20.3
-55
o
C到
+125
o
C
F20.3
F20.3
-55
o
C到
+125
o
C
J20.A
J20.A
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2977.1
4-317
82C86H
引脚配置
82C86H （ PDIP ， CERDIP ）
顶视图
82C86H （ PLCC ， CLCC ）
顶视图
V
CC
真值表
T
X
OE
H
L
L
A
高阻
I
O
B
高阻
O
I
A
2
A
1
A
0
B
0
A
0
1
A
1
2
A
2
3
A
3
4
A
4
5
A
5
6
A
6
7
A
7
8
OE 9
GND 10
20 V
CC
19 B
0
18 B
1
17 B
2
16 B
3
15 B
4
14 B
5
13 B
6
12 B
7
11 T
A
3
4
A
4
5
A
5
6
A
6
7
A
7
8
H
L
18 B
1
17 B
2
16 B
3
15 B
4
14 B
5
3
2
1
20
19
H
L
I
O
X
高阻
=逻辑一
=逻辑零
输入模式
输出模式
= DO NOT CARE
=高阻
引脚名称
针
9
OE
10
GND
11
T
12
B
7
13
B
6
描述
本地总线数据I / O引脚
系统总线数据I / O引脚
传输控制输入
低电平有效输出使能
A
0
-A
7
B
0
-B
7
T
OE
4-318
82C86H
工作原理图
A0
B0
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C86H / 87H数据300pF负载电容特定网络版
片由下式确定：
I
=
C
L
(
dv
dt
)
（当量1）
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
假定所有的输出的同时改变状态，并
该dv / dt的是恒定的;
(
V CC
×
80%
)
-
I
=
C
L
------------------------------------
tR
tF
（当量2）
其中， TR = 20ns的，V
CC
= 5.0V ，C
L
= 300pF每8输出
放。
I
=
(
80
×
300
×
10
=
480mA
–
12
) × (
5.0V
×
0.8
) (
20
×
10
–
9
)
（当量3）
OE
T
V
CC
P
V
CC
选通输入
中的锁存器的正常系统操作，信号
总线在设备投入将成为高阻抗或
使跃迁无关的锁存器的操作。
这些无关的输入转换开关的输入电路
并且通常会导致增加功率耗散
CMOS器件通过创建之间的低电阻通路
V
CC
和GND当信号处于或接近所述输入开关
荷兰国际集团的门槛。另外，如果驱动信号变为高
阻抗（ “FL燕麦”状态） ，它可以创建一个indetermi-
在输入内特逻辑状态，并导致中断
设备的操作。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些
通过关闭数据输入时，数据被锁存条件
机顶盒（STB =逻辑0为82C82 / 83H ），当该装置是
禁用（ OE =逻辑1的82C86H / 87H ） 。这些门
输入断开V的输入电路
CC
和
地电源引脚通过关闭上部P沟道
和低位的N沟道（参见图1和图2）。目前没有溢流
从V
CC
到GND时输入端的电压和无效的发生
从浮动的输入逻辑状态不被发送。下一个
阶段被保持到一个有效的逻辑电平的内部的设备。
直流输入电压水平，也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域（部分导电
状态） 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式（STB =逻辑1 ） 。 ICC仍低于
10μA的那段时间最大ICC待机特定网络阳离子
输入被禁用，从而大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗。
N
机顶盒
DATA IN
P
P
国内
数据
N
N
图1. 82C82 / 83H
V
CC
P
OE
P
DATA IN
V
CC
P
N
N
N
国内
数据
图2. 82C86H / 87H选通输入
此电流尖峰可能会导致一个大的负电压尖峰
在V
CC
这可能导致设备的操作不当。
为了滤池出这种噪音，建议一个0.1μF
陶瓷圆盘电容放置V之间
CC
和GND在
每一个设备，与被安置在靠近该设备的
可能。
4-319
82C86H
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
16
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
20
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温密封包装。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
（ PLCC - 只会提示）
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
C82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
I82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
M82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±
10%; T
A
= 0
o
C至+70
o
C（ C82C86H ） ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C86H ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C86H ）
民
2.0
2.2
-
0.8
最大
-
单位
V
V
V
测试条件
C82C86H ， I82C86H
M82C86H （注1 ）
符号
V
IH
参数
合乎逻辑的
输入电压
V
IL
V
OH
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
B输出
A输出
A或B输出
3.0
3.0
V
CC
-0.4
V
V
V
I
OH
= -8mA
I
OH
= -4mA
I
OH
= -100A
V
OL
逻辑零的输出电压
B输出
A输出
0.45
0.45
-10.0
-10.0
-
-
10.0
10.0
10
1
V
V
A
A
A
毫安/ MHz的
I
OL
= 20mA下
I
OL
= 12毫安
V
IN
= GND或V
CC
拨销9,11
VO = GND或V
CC
， OE
≥
V
CC
-0.5V
DIP引脚1 - 8 ， 12 - 19
V
IN
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V ，输出打开
T
A
= +25
o
C，典型（见注2 ）
I
I
IO
ICCSB
ICCOP
注意事项：
输入漏电流
输出漏电流
备用电源
当前
工作电源
当前
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
IH（分钟）
到一个数据输入的时间，并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑“1”时有效输入高电平时间。控制引脚（T ， OE ）与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4
2.典型ICCOP =读/周期时间1毫安/ MHz的。 （实施例：是1.0μs的读/写周期时间= 1毫安） 。
电容
符号
CIN
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
B输入
A输入
18
14
pF
pF
FREQ = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
典型
单位
测试条件
4-320
82C86H
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±
10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C（ C82C86H ） ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C86H ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C86H ）
注4
82C86H
最大
82C86H-5
最大
FREQ = 1MHz的
符号
(1)
TIVOV
参数
输入到输出的延迟
反相
非反相
民
单位
测试条件
注意事项1， 2
5
5
5
10
5
10
-
30
32
-
-
30
50
20
35
35
-
-
35
65
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注3
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
TEHTV
TTVEL
TEHOZ
TELOV
TR ， TF
tEHEL
发送/接收保持时间
发送/接收设置时间
输出禁止时间
输出使能时间
输入上升/下降时间
最小输出使能高电平时间
82C86H
82C86H-5
30
35
-
-
-
-
ns
ns
注意事项：
1.所有AC参数的时序波形和测试负载电路测试，按照测试电路和去连接nitions 。输入上升和下降时间驱动
在为1ns / V 。
2.输入测试信号必须V之间切换
IL
- 0.4V和V
IH
+0.4V.
只有3系统的限制改变方向的时候。没有一个测得的参数。
4. 82C86H在商用和工业温度仅适用范围。 82C86H - 5是在商业，工业和军事用
温度范围。
时序波形
TR ， TF （ 6 ）
输入
2.0V
0.8V
TEHEL （7）
OE
(1)
TIVOV
输出
(4)
TEHOZ
VOH -0.1V
VOL + 0.1V
TEHTV （2）
T
TELOV （5）
3.0V
0.45V
TTVEL （3）
注：所有定时测量是在1.5V ，除非另有说明。
4-321
82C86H
CMOS八路总线收发器
描述
Intersil的82C86H是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅栅收发器制造
CMOS工艺（缩放佐治四）。该82C86H提供了一个完整的
8位双向总线接口在一个20引线封装。该
发送（ T）控制决定了数据的方向。活跃
低输出使能（ OE ）允许简单的接口80C86 ，
80C88等微处理器。该82C86H已选通
输入，省去了上拉/下拉电阻和
降低了整个系统的运行功率耗散。
2004年6月
特点
全八位双向总线接口
行业标准8286兼容的引脚排列
??高驱动能力
- B面我
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
- 一个侧面I
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12毫安
三态输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为35ns最大。
选通输入
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ICCSB = 10μA
工作温度范围
- ID82C86H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
订购信息
产品型号
8MHz
ID82C86H
包
TEMP 。 RANGE PKG DWG 。 ＃
20 Ld的CERDIP -40
o
C至+ 85
o
F20.3
引脚
82C86H （ CERDIP ）
顶视图
真值表
T
X
A
0
1
A
1
2
A
2
3
A
3
4
A
4
5
A
5
6
A
6
7
A
7
8
OE 9
GND 10
20 V
CC
19 B
0
18 B
1
17 B
2
16 B
3
15 B
4
14 B
5
13 B
6
12 B
7
11 T
OE
H
L
L
A
高阻
I
O
B
高阻
O
I
H
L
H
L
I
O
X
高阻
=逻辑一
=逻辑零
输入模式
输出模式
= DO NOT CARE
=高阻
引脚名称
针
A
0
-A
7
B
0
-B
7
T
OE
描述
本地总线数据I / O引脚
系统总线数据I / O引脚
传输控制输入
低电平有效输出使能
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002年， 2004年版权所有
FN2977.2
1
82C86H
工作原理图
A0
B0
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C86H / 87H数据300pF负载电容特定网络版
片由下式确定：
I
=
C
L
(
dv
dt
)
（当量1）
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
假定所有的输出的同时改变状态，并
该dv / dt的是恒定的;
(
VCC
×
80%
)
-
I
=
C
L
------------------------------------
tR
tF
（当量2）
其中， TR = 20ns的，V
CC
= 5.0V ，C
L
= 300pF每8输出
放。
I
=
(
80
×
300
×
10
=
480mA
–
12
) × (
5.0V
×
0.8
) (
20
×
10
–
9
)
（当量3）
OE
T
V
CC
P
V
CC
选通输入
中的锁存器的正常系统操作，信号
总线在设备投入将成为高阻抗或
使跃迁无关的锁存器的操作。
这些无关的输入转换开关的输入电路
并且通常会导致增加功率耗散
CMOS器件通过创建之间的低电阻通路
V
CC
和GND当信号处于或接近所述输入开关
荷兰国际集团的门槛。另外，如果驱动信号变为高
阻抗（ “FL燕麦”状态） ，它可以创建一个indetermi-
在输入端内特逻辑状态而导致器件的破坏
操作。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些
通过关闭数据输入时，数据被锁存条件
机顶盒（STB =逻辑0为82C82 / 83H ），当该装置是
禁用（ OE =逻辑1的82C86H / 87H ） 。这些门
输入断开V的输入电路
CC
和
地电源引脚通过关闭上部P沟道
和低位的N沟道（参见图1和图2）。目前没有溢流
从V
CC
到GND时输入端的电压和无效的发生
从浮动的输入逻辑状态不被发送。下一个
阶段被保持到一个有效的逻辑电平的内部的设备。
直流输入电压水平，也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域（部分导电
状态） 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式（STB =逻辑1 ） 。 ICC仍低于
10μA的那段时间最大ICC待机规格
输入被禁用，从而大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗。
N
机顶盒
DATA IN
P
P
国内
数据
N
N
图1. 82C82 / 83H
V
CC
P
OE
P
DATA IN
V
CC
P
N
N
N
国内
数据
图2. 82C86H / 87H选通输入
此电流尖峰可能会导致一个大的负电压尖峰
在V
CC
这可能导致设备的操作不当。
要过滤掉这种噪音，建议一个0.1μF
陶瓷圆盘电容放置V之间
CC
和GND在
每一个设备，与被安置在靠近该设备的
可能。
2
82C86H
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
16
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
DC电气规格
V
CC
= 5.0V
±
10%; T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C
符号
V
IH
参数
合乎逻辑的
输入电压
V
IL
V
OH
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
B输出
A输出
A或B输出
V
OL
逻辑零的输出电压
B输出
A输出
I
I
IO
ICCSB
ICCOP
注意事项：
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
IH（分钟）
到一个数据输入的时间，并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑“1”时有效输入高电平时间。控制引脚（T ， OE ）与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4
2.典型ICCOP =读/周期时间1毫安/ MHz的。 （实施例：是1.0μs的读/写周期时间= 1毫安） 。
输入漏电流
输出漏电流
备用电源
当前
工作电源
当前
-10.0
-10.0
-
-
0.45
0.45
10.0
10.0
10
1
V
V
A
A
A
毫安/ MHz的
I
OL
= 20mA下
I
OL
= 12毫安
V
IN
= GND或V
CC
拨销9,11
VO = GND或V
CC
， OE ≥ V
CC
-0.5V
DIP引脚1 - 8 ， 12 - 19
V
IN
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V ，输出打开
T
A
= +25
o
C，典型（见注2 ）
3.0
3.0
V
CC
-0.4
V
V
V
I
OH
= -8mA
I
OH
= -4mA
I
OH
= -100A
民
2.0
2.2
-
0.8
最大
-
单位
V
V
V
测试条件
C82C86H ， I82C86H
M82C86H （注1 ）
电容
符号
CIN
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
B输入
A输入
18
14
pF
pF
FREQ = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
典型
单位
测试条件
3
82C86H
AC电气规格
V
CC
= 5.0V
±
10％ ;频率= 1MHz的：T已
A
= -40
o
C至+ 85
o
C
符号
(1)
TIVOV
参数
输入到输出的延迟
反相
非反相
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
TEHTV
TTVEL
TEHOZ
TELOV
TR ， TF
tEHEL
发送/接收保持时间
发送/接收设置时间
输出禁止时间
输出使能时间
输入上升/下降时间
最小输出使能高电平时间
82C86H
82C86H-5
注意事项：
1.所有AC参数的时序波形和测试负载电路测试，按照测试电路和去连接nitions 。输入上升和下降时间驱动
在为1ns / V 。
2.输入测试信号必须V之间切换
IL
- 0.4V和V
IH
+0.4V.
只有3系统的限制改变方向的时候。没有一个测得的参数。
30
35
-
-
ns
ns
5
5
5
10
5
10
-
30
32
-
-
30
50
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注意事项1， 2
注3
民
最大
单位
测试条件
注意事项1， 2
时序波形
TR ， TF （ 6 ）
输入
2.0V
0.8V
TEHEL （7）
OE
(1)
TIVOV
输出
(4)
TEHOZ
VOH -0.1V
VOL + 0.1V
TEHTV （2）
T
TELOV （5）
3.0V
0.45V
TTVEL （3）
注：所有定时测量是在1.5V ，除非另有说明。
4
82C86H
测试负载电路
一个侧输出口，
TIVOV负载电路
2.36V
160
产量
100pF
（见注）
TEST
点
产量
100pF
（见注）
TELOV输出高电平
启用负载电路
1.5V
375
TEST
点
TELOV输出低电平
启用负载电路
1.5V
91
产量
100pF
（见注）
TEST
点
TEHOZ输出LOW / HIGH
DISABLE负载电路
2.36V
160
产量
50pF
（见注）
TEST
点
B侧输出口，
TIVOV负载电路
2.27V
91
产量
300pF
（见注）
TEST
点
产量
300pF
（见注）
TELOV输出高电平
启用负载电路
1.5V
180
TEST
点
TELOV输出低电平
启用负载电路
1.5V
51
产量
300pF
（见注）
TEST
点
TEHOZ输出LOW / HIGH
DISABLE负载电路
2.27V
91
产量
50pF
（见注）
TEST
点
注：包括夹具和杂散电容。
模具特点
DIE尺寸：
138.6 x 155.5 x 19
±
1mils
金属化：
类型：硅 - 铝
厚度： 11K
±
1k
玻璃钝化：
类型：二氧化硅
2
厚度： 8K
±
1k
5
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