iDESYN
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
初步
iD8255
（ TOP VIEW ）
DFN - 10 （采用3mm x 3mm ）
EN1
FB1
IN2
GND2
SW2
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
SW1
GND1
IN1
FB2
EN2
65
司 20
公 0
限 31
有 -2
技55 OM商
科 07 .c 理
业/ IC代
伟 55 y- 级
鑫61 XW一
鸿 0
.h ½)
市 31 ww
圳 -2 / w 导
深 55 :/ 半
7 TTP力
0 H
L:
(益
TE
yn
es
iD
裸露焊盘
在背面
引脚说明
数
1
2
3
4
5
名字
EN1
FB1
IN2
描述
通道1使能控制输入。开车高于1.5V EN1打开通道1驱动器EN1
低于0.3V关闭。在关机的情况下，所有的功能都被禁用，以降低
下面1μA.There供电电流不上拉或下拉能力低内。
通道1的反馈输入。 FB1连接到外部电阻分压器的中心点。
反馈电压为0.6V 。
通道2电源输入。旁路至GND与4.7μF或更大的陶瓷电容。
2.地面连接的裸露焊盘到GND2 。
GND2
SW2
通道2电源开关输出。电感器连接到内部P沟道MOS晶体管的漏极
和NMOSFET开关。
6
7
8
9
EN2
FB2
IN1
通道2使能控制输入。开车高于1.5V EN2打开通道2驱动器EN2
低于0.3V，将其关闭。在关机的情况下，所有的功能都被禁用，以降低
下面1μA.There供电电流不上拉或下拉能力低内。
通道2反馈输入。 FB2连接至外部电阻分压器的中点。
反馈电压为0.6V 。
通道1电源输入。旁路至GND与4.7μF或更大的陶瓷电容。
1.地面连接的裸露焊盘到GND1 。
GND1
SW1
10
通道1电源开关输出。电感器连接到内部P沟道MOS晶体管的漏极
和NMOSFET开关。
2010年1月
3
V0.1
iDESYN
电气特性
参数
参考电压V
FB
静态电流
关断电流
欠压锁定阈值
工作电压范围
PMOSFET ON阻抗R
ON
NMOSFET ON阻抗R
ON
SW漏电流
初步
（除非另有说明V
IN
= 5.0V ，女
OSC
= 1.5MHz的，T
A
=25
o
C)
iD8255
条件
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
EN
= V
IN
= 5V, V
FB
=0.65V
V
EN
= 0V ; V
IN
= 5V
V
EN
拉大; V
IN
落下
I
OUT
=200mA
I
OUT
=200mA
V
IN
=3.6V
V
IN
=2.5V
民
0.582
1.0
2.5
典型值
0.600
50
0.1
1.60
0.37
0.45
0.55
0.63
最大
0.618
100
1.0
1.88
5.5
单位
V
μA
μA
V
V
65
司 20
公 0
限 31
有 -2
技55 OM商
科 07 .c 理
业/ IC代
伟 55 y- 级
鑫61 XW一
鸿 0
.h ½)
市 31 ww
圳 -2 / w 导
深 55 :/ 半
7 TTP力
0 H
L:
(益
TE
yn
es
iD
0.01
1.0
μA
电流限制
振荡频率
热关断阈值
EN阈值电压
EN输入电流
最大占空比
1
1.2
0.3
1.5
165
0.96
0.01
100
1.8
1.8
1.5
1.0
A
兆赫
o
C
V
μA
%
V
IN
=3.6V
V
IN
=2.5V
V
OUT
= V
IN
= 5V ; V
EN
= 0V
V
SW
= 0V或5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
EN
= V
IN
= 5V
-40
o
C
≦
T
A
≦
+85
o
C
V
EN
= 0V至5.5V
注1 ：
列入上述"Absolute最大Ratings"强调可能会造成永久性损坏设备。这些是
压力等级。该设备在这些或超出在操作指示的任何其他条件的功能操作
规格部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可保持
可能会影响器件的可靠性。
2010年1月
5
V0.1
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