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ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
www.vishay.com
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（税
周期） ：0.01％
出色的钳位能力
机箱样式1.5KE
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
主要特征
V
WM
V
BR
（单向）
V
BR
（双向）
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
极性
包
5.0 V至18 V
6.0 V至21.2 V
9.2 V至21.2 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
单向，双向
1.5KE
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和灯光瞬间
上的IC ，MOSFET，传感器单元用于消费的信号线
计算机，工业和电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
对于单向类型的颜色频带表示
阴极月底，双向类型没有任何标记
用于双向应用的器件
对于双向类型，用C后缀（如ICTE18C ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
（图3）的
在无限散热器在T功耗
L
= 75℃ （图8）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
工作结存储温度范围
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额=每无花果25 ℃。 2
A
(2)
8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
修订： 18 09月12
文档编号： 88356
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
www.vishay.com
威世通用半导体
电气特性（ JEDEC注册的数据）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
TYPE
数
一般
半导体
产品型号
对峙
电压
V
WM
(V)
最低
击穿
电压
AT 1.0毫安
V
BR
(V)
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(μA)
300
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大
夹紧
电压
在我
PP
= 1.0 A
V
C
(V)
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
最大
夹紧
电压
I
PP
= 10 A
V
C
(V)
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
160
100
90
70
60
50
单向类型
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
ICTE5
(2)
ICTE8
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
双向类型
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
ICTE8C
ICTE10C
ICTE12C
ICTE15C
ICTE18C
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
50
2.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
100
90
70
60
50
笔记
(1)
“C”后缀表示双向
(2)
ICTE5和1N6373不可用作双向
(3)
夹紧因素：在全额定功率1.33 ; 1.20在50 ％额定功率;夹紧因子：在实际的V （钳位电压）的比例在V
C
BR
（击穿电压），为测定特定的设备上
订购信息
（例）
首选的P / N
ICTE5-E3/54
ICTE5HE3/54
(1)
(1)
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
记
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
修订： 18 09月12
文档编号： 88356
2
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威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100 000
100
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
C
J
- 结电容（pF ）
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
10
在测
零偏压
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
1
1000
测量对峙
电压V
WM
0.1
0.1 s
1.0 s
10 s
100 s
1.0毫秒
10毫秒
100
1.0
10
100
200
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 4 -
典型结电容单向
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降容的百分比，
%
100
100 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
在测
零偏压
双向型
10 000
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
50
1000
25
测量对峙
电压V
WM
100
1.0
10
100
200
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图。 2 -
脉冲功率或电流与初始结温
图。 5 -
典型结电容
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流（ A）
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
t
r
= 10 s
PEAK
价值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
100
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000 s
波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
50
10
1
5
10
50
100
吨 - 时间（ms ）
数
环，在60赫兹的
图。 3 -
脉冲波形
图。 6 -
最大非重复正向浪涌电流
只有单向
修订： 18 09月12
文档编号： 88356
3
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威世通用半导体
8.0
50
只有单向
T
A
= 25 °C
7.0
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
P
D
- 功耗（ W）
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
10
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
ICTE5
ICTE8
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
C
- 钳位
电压
(V)
T
L
- 焊接温度（ ° C）
图。 7 -
典型特征钳位电压
图。 8 -
功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
例
风格
1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
修订： 18 09月12
文档编号： 88356
4
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法律免责声明
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日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售未明确指示可在这些应用中使用的Vishay产品的客户这样做在自己的风险。请
Vishay授权人员联系以获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为无卤素产品遵循无卤
要求按照JEDEC JS709A标准。请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考
在IEC 61249-2-21定义。我们确认所有的产品确定为符合IEC 61249-2-21
符合JEDEC JS709A标准。
修订： 02 - OCT- 12
1
文档编号： 91000
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
=可用
in
单向
和
双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
与10/1000微秒波形，重复
率（占空比） ：0.01％
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
了解更多有关Vishay的汽车级
产品要求在：
www.vishay.com/applications
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变
和照明的芯片， MOSFET ，传感器的信号线
单位消费，计算机，工业和
电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，汽车级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
对于单向类型的色带
端为负极，在双向无标记
类型
机箱样式1.5KE
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
5.0 V至18 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
用于双向应用的器件
对于双向类型，用C后缀（如ICTE18C ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
（图3）的
在无限散热器在T功耗
L
= 75℃ （图8）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
工作结存储温度范围
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
(2)
8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
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1
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
电气特性（ JEDEC注册的数据）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
类型编号
一般
半导体
产品型号
对峙
电压
V
WM
(V)
最低
击穿
电压
AT 1.0毫安
V
BR
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(μA)
最大
夹紧
电压
在我
PP
= 1.0 A
V
C
(V)
最大
夹紧
电压
I
PP
= 10 A
V
C
(V)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
单向类型
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
ICTE5
(2)
ICTE8
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
300
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
160
100
90
70
60
50
双向类型
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
笔记
(1)
(2)
(3)
ICTE8C
ICTE10C
ICTE12C
ICTE15C
ICTE18C
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
50.0
2.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
100
90
70
60
50
“C”后缀表示双向
ICTE5和1N6373不可用作双向
夹紧因素：在全额定功率1.33 ; 1.20在50 ％额定功率;夹紧因子：在实际的V之比
C
（钳位电压）与V
BR
（击穿电压），为测定特定的设备上
订购信息
（例）
首选的P / N
ICTE5-E3/54
ICTE5HE3/54
(1)
记
(1)
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
汽车级
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
100 000
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
C
J
- 结电容（pF ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
10
在测
零偏压
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
1
1000
测量对峙
电压V
WM
0.1
0.1 μs
1.0 μs
10 μs
100 μs
1.0毫秒
10毫秒
100
1.0
10
100
200
t
d
- 脉冲宽度（S ）
V
BR
- 击穿电压（ V）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图4.典型结电容单向
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
100
100 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
在测
零偏压
双向型
10 000
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
50
1000
25
测量对峙
电压V
WM
100
1.0
10
100
200
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿电压（ V）
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图5.典型结电容
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流（ A）
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10 μs
峰值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
)
被定义为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
100
100
半值 - 我
PP
I
PPM
2
50
10/1000微秒波形
界定的R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
50
10
1
5
10
50
100
吨 - 时间（ms ）
循环次数在60赫兹
图3.脉冲波形
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
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ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
50
只有单向
T
A
= 25 °C
8.0
7.0
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
P
D
- 功耗（ W）
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
10
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
ICTE5
ICTE8
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
C
- 钳位电压（ V）
T
L
- 焊接温度（ ° C）
图7.典型特征钳位电压
图8.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
机箱样式1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
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