集成
电路
系统公司
ICS93718
DDR和SDRAM缓冲区
推荐应用：
DDR SDRAM &扇出缓冲器，威盛临266 ， KT266和
P4X266芯片组， DDR
产品介绍/产品特点：
低偏移，扇出缓冲器
1至12个差分时钟分配
I
2
下功能和输出控制
反馈引脚输入到输出的同步
最多支持4个DDR DIMM或3 SDRAM DIMM内存模块+
2 DDR DIMM内存模块
频率最高支持到200MHz （ DDR400 ）
支持掉电模式的功耗
mananagement
CMOS电平的控制信号输入
引脚配置
Fb_out分别
VDD3.3_2.5
GND
DDRT0_SDRAM0
DDRC0_SDRAM1
DDRT1_SDRAM2
DDRC1_SDRAM3
VDD3.3_2.5
GND
DDRT2_SDRAM4
DDRC2_SDRAM5
VDD3.3_2.5
BUF_IN
GND
DDRT3_SDRAM6
DDRC3_SDRAM7
VDD3.3_2.5
GND
DDRT4_SDRAM8
DDRC4_SDRAM9
DDRT5_SDRAM10
DDRC5_SDRAM11
VDD3.3_2.5
SDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SEL_DDR *
VDD2.5
GND
DDRT11
DDRC11
DDRT10
DDRC10
VDD2.5
GND
DDRT9
DDRC9
VDD2.5
PD ＃ *
GND
DDRT8
DDRC8
VDD2.5
GND
DDRT7
DDRC7
DDRT6
DDRC6
GND
SCLK
开关特性：
输出 - 输出偏斜： <100ps
输出上升时间和下降时间的DDR输出： 500PS -
700ps
占空比： 47 ％ - 53 ％
48引脚SSOP
*的120K内部上拉电阻连接到VDD
框图
Fb_out分别
DDRT0_SDRAM0
DDRC0_SDRAM1
DDRT1_SDRAM2
DDRC1_SDRAM3
的功能
模式
DDR
模式
DDR / SD
模式
48 PIN
VDD
3.3_2.5
2.5V
针
4, 5, 6, 7, 10, 11, 15,
16, 19, 20, 21, 22
这些输出会
DDR输出
这些输出会
标准SDRAM
输出
BUF_IN
SEL_DDR=1
SCLK
SDATA
SEL_DDR *
PD ＃
控制
逻辑
DDRT2_SDRAM4
DDRC2_SDRAM5
DDRT3_SDRAM6
DDRC3_SDRAM7
DDRT4_SDRAM8
DDRC4_SDRAM9
DDRT5_SDRAM10
DDRC5_SDRAM11
差异显示（ 11 ： 6 ）
DDRC （ 11 ： 6 ）
SEL_DDR=0
3.3V
0434D—10/10/03
ICS93718
ICS93718
引脚说明
引脚数
1
2, 8, 12, 17, 23,
3, 9, 14, 18, 26,
31, 35, 40, 46
45, 43, 39,
34, 30, 28,
44, 42, 38,
33, 29, 27,
21, 19, 15, 10, 6, 4
引脚名称
Fb_out分别
VDD3.3_2.5
GND
差异显示（ 11 ： 6 ）
DDRC （ 11 ： 6 ）
差异显示（ 5:0）
SDRAM （10， 8,6 ， 4,2 ，0）
TYPE
OUT
PWR
PWR
OUT
OUT
OUT
OUT
IN
I / O
IN
PWR
描述
反馈输出，专门用于外部反馈
2.5V或3.3V供电电压引脚
4, 5, 6, 7, 10, 11, 15 , 16, 19 , 20, 21, 22
地
"Tr ue"时钟的差分对的输出。
"Complementory"时钟的差分对的输出。
"Tr ue"时钟的差分对的输出，或3.3V的SDRAM
根据SEL_DDR输入时钟输出
"Complementory"时钟的差分对的输出，或3.3V
SDRAM CLO CK outputsdependingon SEL _ DDR输入
单端输入缓冲器
数据引脚用于I
2
电路5V宽容
我的时钟输入
2
C输入， 5V容限输入
2.5V电源电压
异步低电平有效输入引脚用于掉电
设备进入低功率状态。跨NAL时钟
禁用。的断电延时会不会更大
吨小时的3米每秒。
选择输入DDR模式或DDR / SD模式
0 = DDR / SD模式1 = DDR模式
DDRC （ 5:0）
22 ，20， 16 ，11， 7,5的SDRAM （11 ， 9,7 ， 5,3 ，
1,)
13
24
25
32, 37, 41, 47
BUF_IN
SDATA
SCLK
VDD2.5
36
PD ＃
IN
48
SEL_DDR
IN
0434D—10/10/03
2
ICS93718
绝对最大额定值
电源电压（ VDD & VDD2.5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
外壳温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
-0.5V至3.6V
GND -0.5 V到V
DD
+0.5 V
0 ° C至+ 85°C
115°C
-65 ° C至+ 150°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些
额定值仅应力的规格和装置的这些功能操作或上述任何其他情况
在规范的业务部门所列出的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响产品的可靠性。
电气特性 - 输入/电源/通用输出参数
SEL_DDR = 0 SDRAM输出
V
DD
= 3.3V ，T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
输入高电流
输入低电平电流
符号
条件
I
IH
V
I
= V
DD
或GND
I
IL
V
I =
V
DD
或GND
I
DD3.3_2.5
C
L
= 0pf ， 133MHz的
C
L
= 0pf ， 133MHz的
工作电源电流I
DD2.5
C
L
= 0pf ，所有频率
I
DDPD
输出高电流
I
OH
V
DD
= 3.3V
,
V
OUT
= 1V
I
OL
V
DD
= 3.3V
,
V
OUT
= 1.2V
V
DD
= 3.3V,
V
OH
= -12mA
V
DD
= 3.3V
I
OH
= 12毫安
V
I
=
民
-100
典型值
1
-20
200
100
3
-74
最大
10
250
200
10
-18
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
输出低电流
26
2
42
2.95
0.35
2
0.4
高电平输出电压V
OH
低电平输出电压
输入电容
1
1
V
OL
C
IN
GND或V
DD
pF
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
推荐运行条件
SEL_DDR = 0 SDRAM输出V
DD
=3.3V,
T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
符号
条件
民
典型值
3.0
3.3
V
DD3.3_2.5
电源电压
V
DD2.5
2.3
2.5
SEL_DDR ， PD ＃输入
2.0
输入高电压
V
IH
输入低电压
输入电压电平
1
最大
3.6
2.7
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
V
IN
SEL_DDR ， PD ＃输入
V
DD
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
0434D—10/10/03
4
ICS93718
电气特性 - 输入/电源/通用输出参数
SEL_DDR = 1 DDR / DDR_SDRAM输出
V
DD
=2.5, T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
输入高电流
输入低电平电流
工作电源电流
输出高电流
输出低电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出差分线对交叉
电压
输入电容
1
1
符号
I
IH
I
IL
I
DD2.5
I
DDPD
I
OH
I
OL
V
OH
V
OL
V
OC
C
IN
条件
V
I
= V
DD
或GND
V
I =
V
DD
或GND
C
L
= 0pf ， 133MHz的
C
L
= 0pf ，所有频率
V
DD
= 2.5V
,
V
OUT
= 1V
V
DD
= 2.5V
,
V
OUT
= 1.2V
V
DD
= 2.5V,
V
OH
= -12mA
V
DD
= 2.5V
I
OH
= 12毫安
民
-100
典型值
1
-25
76
3
-74.5
42.5
2.3
0.35
最大
10
200
10
-18
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
26
1.7
0.46
(V
DD/
2) +0.1
V
pF
(V
DD/
2) –0.1
V
I
= GND或V
DD
1.25
2
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
推荐运行条件
SEL_DDR = 1 DDR / DDR_SDRAM输出= 2.5V ，
T
A
= 0 - 85°C （除非另有说明）
参数
符号
条件
民
典型值
最大
2.3
2.5
2.7
V
DD3.3_2.5
电源电压
V
DD2.5
2.3
2.5
2.7
输入高电压
V
IH
SEL_DDR ， PD ＃输入
2.0
输入低电压
V
IL
SEL_DDR ， PD ＃输入
0.8
输入电压电平
V
IN
V
DD
1
单位
V
V
V
V
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
0434D—10/10/03
5
集成
电路
系统公司
ICS93718
DDR和SDRAM缓冲区
推荐应用：
DDR SDRAM &扇出缓冲器，威盛临266 ， KT266和
P4X266芯片组， DDR
产品介绍/产品特点：
低偏移，扇出缓冲器
1至12个差分时钟分配
I
2
下功能和输出控制
反馈引脚输入到输出的同步
最多支持4个DDR DIMM或3 SDRAM DIMM内存模块+
2 DDR DIMM内存模块
频率最高支持到200MHz （ DDR400 ）
支持掉电模式的功耗
mananagement
CMOS电平的控制信号输入
引脚配置
Fb_out分别
VDD3.3_2.5
GND
DDRT0_SDRAM0
DDRC0_SDRAM1
DDRT1_SDRAM2
DDRC1_SDRAM3
VDD3.3_2.5
GND
DDRT2_SDRAM4
DDRC2_SDRAM5
VDD3.3_2.5
BUF_IN
GND
DDRT3_SDRAM6
DDRC3_SDRAM7
VDD3.3_2.5
GND
DDRT4_SDRAM8
DDRC4_SDRAM9
DDRT5_SDRAM10
DDRC5_SDRAM11
VDD3.3_2.5
SDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SEL_DDR *
VDD2.5
GND
DDRT11
DDRC11
DDRT10
DDRC10
VDD2.5
GND
DDRT9
DDRC9
VDD2.5
PD ＃ *
GND
DDRT8
DDRC8
VDD2.5
GND
DDRT7
DDRC7
DDRT6
DDRC6
GND
SCLK
开关特性：
输出 - 输出偏斜： <100ps
输出上升时间和下降时间的DDR输出： 500PS -
700ps
占空比： 47 ％ - 53 ％
48引脚SSOP
*的120K内部上拉电阻连接到VDD
框图
Fb_out分别
DDRT0_SDRAM0
DDRC0_SDRAM1
DDRT1_SDRAM2
DDRC1_SDRAM3
的功能
模式
DDR
模式
DDR / SD
模式
48 PIN
VDD
3.3_2.5
2.5V
针
4, 5, 6, 7, 10, 11, 15,
16, 19, 20, 21, 22
这些输出会
DDR输出
这些输出会
标准SDRAM
输出
BUF_IN
SEL_DDR=1
SCLK
SDATA
SEL_DDR *
PD ＃
控制
逻辑
DDRT2_SDRAM4
DDRC2_SDRAM5
DDRT3_SDRAM6
DDRC3_SDRAM7
DDRT4_SDRAM8
DDRC4_SDRAM9
DDRT5_SDRAM10
DDRC5_SDRAM11
差异显示（ 11 ： 6 ）
DDRC （ 11 ： 6 ）
SEL_DDR=0
3.3V
0434D—10/10/03
ICS93718
ICS93718
引脚说明
引脚数
1
2, 8, 12, 17, 23,
3, 9, 14, 18, 26,
31, 35, 40, 46
45, 43, 39,
34, 30, 28,
44, 42, 38,
33, 29, 27,
21, 19, 15, 10, 6, 4
引脚名称
Fb_out分别
VDD3.3_2.5
GND
差异显示（ 11 ： 6 ）
DDRC （ 11 ： 6 ）
差异显示（ 5:0）
SDRAM （10， 8,6 ， 4,2 ，0）
TYPE
OUT
PWR
PWR
OUT
OUT
OUT
OUT
IN
I / O
IN
PWR
描述
反馈输出，专门用于外部反馈
2.5V或3.3V供电电压引脚
4, 5, 6, 7, 10, 11, 15 , 16, 19 , 20, 21, 22
地
"Tr ue"时钟的差分对的输出。
"Complementory"时钟的差分对的输出。
"Tr ue"时钟的差分对的输出，或3.3V的SDRAM
根据SEL_DDR输入时钟输出
"Complementory"时钟的差分对的输出，或3.3V
SDRAM CLO CK outputsdependingon SEL _ DDR输入
单端输入缓冲器
数据引脚用于I
2
电路5V宽容
我的时钟输入
2
C输入， 5V容限输入
2.5V电源电压
异步低电平有效输入引脚用于掉电
设备进入低功率状态。跨NAL时钟
禁用。的断电延时会不会更大
吨小时的3米每秒。
选择输入DDR模式或DDR / SD模式
0 = DDR / SD模式1 = DDR模式
DDRC （ 5:0）
22 ，20， 16 ，11， 7,5的SDRAM （11 ， 9,7 ， 5,3 ，
1,)
13
24
25
32, 37, 41, 47
BUF_IN
SDATA
SCLK
VDD2.5
36
PD ＃
IN
48
SEL_DDR
IN
0434D—10/10/03
2
ICS93718
绝对最大额定值
电源电压（ VDD & VDD2.5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
外壳温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
-0.5V至3.6V
GND -0.5 V到V
DD
+0.5 V
0 ° C至+ 85°C
115°C
-65 ° C至+ 150°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些
额定值仅应力的规格和装置的这些功能操作或上述任何其他情况
在规范的业务部门所列出的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响产品的可靠性。
电气特性 - 输入/电源/通用输出参数
SEL_DDR = 0 SDRAM输出
V
DD
= 3.3V ，T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
输入高电流
输入低电平电流
符号
条件
I
IH
V
I
= V
DD
或GND
I
IL
V
I =
V
DD
或GND
I
DD3.3_2.5
C
L
= 0pf ， 133MHz的
C
L
= 0pf ， 133MHz的
工作电源电流I
DD2.5
C
L
= 0pf ，所有频率
I
DDPD
输出高电流
I
OH
V
DD
= 3.3V
,
V
OUT
= 1V
I
OL
V
DD
= 3.3V
,
V
OUT
= 1.2V
V
DD
= 3.3V,
V
OH
= -12mA
V
DD
= 3.3V
I
OH
= 12毫安
V
I
=
民
-100
典型值
1
-20
200
100
3
-74
最大
10
250
200
10
-18
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
输出低电流
26
2
42
2.95
0.35
2
0.4
高电平输出电压V
OH
低电平输出电压
输入电容
1
1
V
OL
C
IN
GND或V
DD
pF
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
推荐运行条件
SEL_DDR = 0 SDRAM输出V
DD
=3.3V,
T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
符号
条件
民
典型值
3.0
3.3
V
DD3.3_2.5
电源电压
V
DD2.5
2.3
2.5
SEL_DDR ， PD ＃输入
2.0
输入高电压
V
IH
输入低电压
输入电压电平
1
最大
3.6
2.7
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
V
IN
SEL_DDR ， PD ＃输入
V
DD
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
0434D—10/10/03
4
ICS93718
电气特性 - 输入/电源/通用输出参数
SEL_DDR = 1 DDR / DDR_SDRAM输出
V
DD
=2.5, T
A
= 0 - 85°C ; （除非另有说明）
参数
输入高电流
输入低电平电流
工作电源电流
输出高电流
输出低电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出差分线对交叉
电压
输入电容
1
1
符号
I
IH
I
IL
I
DD2.5
I
DDPD
I
OH
I
OL
V
OH
V
OL
V
OC
C
IN
条件
V
I
= V
DD
或GND
V
I =
V
DD
或GND
C
L
= 0pf ， 133MHz的
C
L
= 0pf ，所有频率
V
DD
= 2.5V
,
V
OUT
= 1V
V
DD
= 2.5V
,
V
OUT
= 1.2V
V
DD
= 2.5V,
V
OH
= -12mA
V
DD
= 2.5V
I
OH
= 12毫安
民
-100
典型值
1
-25
76
3
-74.5
42.5
2.3
0.35
最大
10
200
10
-18
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
26
1.7
0.46
(V
DD/
2) +0.1
V
pF
(V
DD/
2) –0.1
V
I
= GND或V
DD
1.25
2
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
推荐运行条件
SEL_DDR = 1 DDR / DDR_SDRAM输出= 2.5V ，
T
A
= 0 - 85°C （除非另有说明）
参数
符号
条件
民
典型值
最大
2.3
2.5
2.7
V
DD3.3_2.5
电源电压
V
DD2.5
2.3
2.5
2.7
输入高电压
V
IH
SEL_DDR ， PD ＃输入
2.0
输入低电压
V
IL
SEL_DDR ， PD ＃输入
0.8
输入电压电平
V
IN
V
DD
1
单位
V
V
V
V
通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
0434D—10/10/03
5
QQ：2880707522 复制
