低偏移， 1到4 LVCMOS / LVTTL - TO- LVDS
扇出缓冲器
ICS8545
描述
该ICS8545是一种低歪斜，高性能1至4
LVCMOS / LVTTL至LVDS时钟扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高成员
来自IDT高性能时钟解决方案。利用低
电压差分信号（ LVDS ）的ICS8545
提供了一个低功耗，低噪音，解决方案分发时钟
信号在100Ω的阻抗受控。该ICS8545
接受LVCMOS / LVTTL电平输入，并将其转换到3.3V
LVDS的输出电平。
特点
四个差分LVDS输出的双
两个LVCMOS / LVTTL时钟输入，支持冗余
或可选择的频率扇出的应用
最大输出频率： 650MHz的
翻译LVCMOS / LVTTL输入信号LVDS电平
输出偏斜： 40ps的（最大）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
传播延迟： 3.6ns （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 0.13ps （典型值）
全3.3Vsupply模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性使
ICS8545适合那些应用要求明确
性能和可重复性。
框图
LK_EN
上拉
nD
Q
LE
CLK1
下拉
CLK2
下拉
K_SEL
下拉
0
0
1
1
Q0
Q0
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
OE
上拉
引脚分配
GND
CLK_EN
CLK_SEL
CLK1
nc
CLK2
nc
OE
GND
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Q0
Q0
V
DD
Q1
Q1
Q2
Q2
GND
Q3
Q3
ICS8545
20引脚TSSOP
6.5毫米X 4.4毫米X 0.925
mm
包体
G封装
顶视图
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
1
ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
ICS8545
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
表1.引脚说明
数
1, 9, 13
2
名字
GND
CLK_EN
动力
输入
上拉
TYPE
描述
电源接地。
同步时钟使能。高电平时，时钟输出如下时钟输入。
低电平时， Q输出强制为低电平，Q输出被强制高。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟选择输入。当HIGH ，选择CLK2输入。
当低，选择CLK1输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
下拉
上拉
单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。控制启用和禁用通过输出Q0 / Q0的
Q3 / Q3 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
3
4
5, 7
6
8
10, 18
11, 12
14, 15
16, 17
19, 20
CLK_SEL
CLK1
nc
CLK2
OE
V
DD
Q3, Q3
Q2, Q2
Q1, Q1
Q0, Q0
输入
输入
未使用
输入
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
下拉
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。参照表2 ，
引脚特性，
为典型值。
表2.引脚特性
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
k
k
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
2
ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
ICS8545
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
功能表
表3A 。控制输入功能表
输入
OE
0
1
1
1
1
CLK_EN
X
0
0
1
1
CLK_SEL
X
0
1
0
1
CLK1
CLK2
CLK1
CLK2
选定的源
Q0:Q3
高阻
低
低
活跃
活跃
输出
Q0:Q3
高阻
高
高
活跃
活跃
CLK_EN开关之后，该时钟输出被禁用或启用了以下的上升沿和下降沿的输入时钟边沿，如图1 。
在主动模式下，输出的状态是，如表3B中所描述的CLK1和CLK2的输入的函数。
残
启用
CLK1 ， CLK2
CLK_EN
Q0:Q3
Q0:Q3
图1. CLK_EN时序图
表3B 。时钟输入功能表
输入
CLK1和CLK2
0
1
Q0:Q3
低
高
输出
Q0:Q3
高
低
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
3
ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
ICS8545
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续的电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
73.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
典型
3.3
最大
3.465
50
单位
V
mA
表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低
电压
CLK1 ， CLK2
OE ， CLK_EN ， CLK_SEL
CLK1 ， CLK2 ，
CLK_SEL
OE ， CLK_EN
CLK1 ， CLK2 ，
CLK_SEL
OE ， CLK_EN
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
测试条件
最低
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
0.8
150
5
-5
-150
单位
V
V
V
A
A
A
A
I
IH
输入
HIGH CURRENT
I
IL
输入
低电流
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
IDT / ICS
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4
ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
ICS8545
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
表4C 。 LVDS直流特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
Oz
I
关闭
I
OSD
I
OS
V
OH
V
OL
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
高阻抗漏
关机泄漏
差分输出短路电流
输出短路电流
输出电压高
输出电压低
0.9
-10
-20
1.125
1.25
5
±1
±1
-3.5
-3.5
1.34
1.06
测试条件
最低
200
典型
280
最大
360
40
1.375
25
+10
+20
-5
-5
1.6
单位
mV
mV
V
mV
A
A
mA
mA
V
V
AC电气特性
表5. AC特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
参数符号
f
最大
t
PD
TJIT
TSK （ O）
TSK （ PP）
t
R
/ t
F
ODC
输出频率
传播延迟;注1
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出偏斜;注2： 4
部分到部分斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％ @ 50MHz的
200
45
400
50
≤
650MHz
156.25MHz ，积分范围：
12kHz的 20MHz的
1.4
0.13
40
500
600
55
测试条件
最低
典型
最大
650
3.6
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注3 ：定义为对在相同电源电压并以相等的负载条件下操作不同的设备输出端之间的偏移。
使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
IDT / ICS
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5
ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
QQ：2881677436 复制
