低偏移， 1到4 LVCMOS / LVTTL - TO- LVDS
扇出缓冲器
ICS8545-02
描述
该ICS8545-02是一种低歪斜，高性能
1至4 LVCMOS / LVTTL至LVDS时钟扇出
HiPerClockS
缓冲器和HiPerClockS 家族的一个成员
来自IDT高性能时钟解决方案。
采用低电压差分信号（ LVDS ）
该ICS8545-02提供了一个低功耗，低噪音，解决方案
在100Ω的阻抗受控分发时钟信号。该
ICS8545-02接受的LVCMOS / LVTTL输入电平，并转化
它以3.3V的LVDS输出电平。
特点
四个差分LVDS输出的双
两个LVCMOS / LVTTL时钟输入，支持冗余
或可选择的频率扇出的应用
最大输出频率： 350MHz的
翻译LVCMOS / LVTTL输入信号LVDS电平
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分偏斜： 450ps （最大）
传播延迟： 1.45ns （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 0.14ps （典型值）
全3.3Vsupply模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性使
ICS8545-02适合那些应用要求明确
性能和可重复性。
框图
CLK_EN
上拉
nD
Q
LE
CLK1
下拉
CLK2
下拉
CLK_SEL
下拉
0
0
1
1
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
OE
上拉
引脚分配
GND
CLK_EN
CLK_SEL
CLK1
nc
CLK2
nc
OE
GND
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Q0
nQ0
V
DD
Q1
nQ1
Q2
nQ2
GND
Q3
nQ3
ICS8545-02
20引脚TSSOP
6.5毫米X 4.4毫米X 0.925
mm
包体
G封装
顶视图
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
1
ICS8545AG -02 REV 。一
3月3日
2009
ICS8545-02
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
表1.引脚说明
数
1, 9, 13
2
名字
GND
CLK_EN
动力
输入
上拉
TYPE
描述
电源接地。
同步时钟使能。高电平时，时钟输出如下时钟输入。
当低， QX输出被强制为低电平， nQx输出被强制高。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟选择输入。当HIGH ，选择CLK2输入。
当低，选择CLK1输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
下拉
上拉
单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。控制启用和禁用通过输出Q0 / nQ0
Q3 / nQ3 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
3
4
5, 7
6
8
10, 18
11, 12
14, 15
16, 17
19, 20
CLK_SEL
CLK1
nc
CLK2
OE
V
DD
Q3, Q3
Q2, Q2
Q1, Q1
Q0, Q0
输入
输入
未使用
输入
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
下拉
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。参照表2 ，
引脚特性，
为典型值。
表2.引脚特性
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
k
k
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
2
ICS8545AG -02 REV 。一个2009年3月3日
ICS8545-02
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
功能表
表3A 。控制输入功能表
输入
OE
0
1
1
1
1
CLK_EN
X
0
0
1
1
CLK_SEL
X
0
1
0
1
CLK1
CLK2
CLK1
CLK2
选定的源
Q0:Q3
高阻
低
低
活跃
活跃
输出
nQ0 ： nQ3
高阻
高
高
活跃
活跃
CLK_EN开关之后，该时钟输出被禁用或启用了以下的上升沿和下降沿的输入时钟边沿，如图1 。
在主动模式下，输出的状态是，如表3B中所描述的CLK1和CLK2的输入的函数。
残
启用
CLK1 ， CLK2
CLK_EN
nQ0 ： nQ3
Q0:Q3
图1. CLK_EN时序图
表3B 。时钟输入功能表
输入
CLK1和CLK2
0
1
Q0:Q3
低
高
输出
nQ0 ： nQ3
高
低
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
3
ICS8545AG -02 REV 。一个2009年3月3日
ICS8545-02
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续的电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
91.1 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
典型
3.3
最大
3.465
90
单位
V
mA
表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入
HIGH CURRENT
输入
低电流
CLK1 ， CLK2 ， CLK_SEL
OE ， CLK_EN
CLK1 ， CLK2 ， CLK_SEL
OE ， CLK_EN
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
I
IL
表4C 。 LVDS直流特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
1.1
1.25
5
测试条件
最低
275
典型
最大
525
50
1.4
50
单位
mV
mV
V
mV
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
4
ICS8545AG -02 REV 。一个2009年3月3日
ICS8545-02
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
AC电气特性
表5. AC特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0℃至70 ℃的
参数符号
f
最大
t
PD
TJIT
TSK （ O）
TSK （ PP）
t
R
/ t
F
ODC
输出频率
传播延迟;注1
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出偏斜;注2： 4
部分到部分斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比;注5：
20 ％至80％
≤
166MHz
> 166MHz的
150
45
40
155.52MHz ，积分范围：
12kHz的 20MHz的
1.0
0.14
60
450
700
55
60
测试条件
最低
典型
最大
350
1.45
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
注3 ：定义为对在相同电源电压并以相等的负载条件下操作不同的设备输出端之间的偏移。
使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
注5 ：使用50％的占空比进行测定。
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
5
ICS8545AG -02 REV 。一个2009年3月3日
QQ：2881677436 复制
