集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
F
EATURES
16路差分LVDS输出
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVPECL ， LVDS ， LVHSTL ， HCSL ， SSTL
最大输出频率： 700MHz的
任何转换差分输入信号（ LVPECL ， LVHSTL ，
SSTL ， DCM ）以LVDS电平，无需外部偏置网络
任何转换单端输入信号LVDS
与NCLK输入电阻偏置
多路输出使能输入禁用未使用
在减少扇出的应用程序输出
LVDS兼容
输出偏斜： 90PS （最大值）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
传播延迟： 2.4ns （最大值）
工作电压3.3V
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
无铅封装
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8516是一种低歪斜，高性能
1至16差分至LVDS时钟分配
HiPerClockS
芯片和HiPerClock S的成员
家族高性能时钟解决方案
ICS 。该ICS8516 CLK ， NCLK对可以接受
任何差分输入电平，并将其转换为3.3V LVDS
输出电平。采用低电压差分信号
（ LVDS ） ，在ICS8516提供了一个低功耗，低噪音，点 -
点对点解决方案，在受控分发时钟信号
100Ω的阻抗。
ICS
双输出使能输入允许在一个所用的ICS8516
1到16或1到8个输入/输出模式。
保证输出部分，以部分偏移进行规范
在ICS8516适合那些要求苛刻的应用程序以及
定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK
NCLK
P
IN
A
SSIGNMENT
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
1
36
2
35
3
34
4
33
5
32
6
31
7
30
8
29
9
28
10
27
11
26
12
25
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Q9
nQ9
Q8
nQ8
GND
OE2
OE1
GND
nQ7
Q7
nQ6
Q6
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
Q6
nQ6
Q7
nQ7
Q15
nQ15
Q14
nQ14
Q13
nQ13
Q12
nQ12
Q11
nQ11
Q10
nQ10
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DD
nQ5
Q5
nQ4
Q4
V
DD
GND
nQ3
Q3
nQ2
Q2
V
DD
ICS8516
V
DD
nQ10
Q10
nQ11
Q11
V
DD
GND
nQ12
Q12
nQ13
Q13
V
DD
OE1
OE2
8516FY
48引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Y封装
顶视图
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
nQ14
Q14
nQ15
Q15
GND
CLK
NCLK
GND
Q0
nQ0
Q1
nQ1
REV 。一2004年7月30日
集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
TYPE
动力
产量
产量
动力
产量
产量
产量
产量
输入
输入
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
上拉
下拉
描述
正电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
电源接地。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
INVER婷差分时钟输入。
非INVER婷差分时钟输入。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6, 12,
25, 31, 36
2, 3
4, 5
7, 17, 20,
30, 41, 44
8, 9
10, 11
13, 14
15, 16
18
19
21, 22
23, 24
26, 27
28, 29
32, 33
34, 35
37, 38
39, 40
名字
V
DD
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
GND
nQ3 ， Q3
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
NCLK
CLK
Q15 ， nQ15
Q14 ， nQ14
Q13 ， nQ13
Q12 ， nQ12
Q11 ， nQ11
Q10 ， nQ10
Q9 ， nQ9
Q8 ， nQ8
差分输出对。 LVDS接口的水平。
输出使能。 OE2控制输出Q8 ， nQ8通Q15 ， nQ15 ;
OE1控制输出Q0 ， nQ0通Q7 ， nQ7 。
42, 43
OE2 ， OE1
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
45, 46
nQ7 ， Q7
产量
47, 48
nQ6 ， Q6
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
8516FY
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2
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
测试条件
最低
典型
4
51
51
4
最大
单位
pF
K
K
pF
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
T
ABLE
3A 。
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
OE1
0
1
0
1
OE2
0
0
1
1
Q0:Q7
喜
活跃
喜
活跃
nQ0 ： nQ7
喜
活跃
喜
活跃
输出
Q8:Q15
喜
喜
活跃
活跃
nQ8 ： nQ15
喜
喜
活跃
活跃
在主动模式下，输出的状态是，如表3B中所描述的CLK和NCLK输入的函数。
T
ABLE
3B 。
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
CLK
0
1
0
1
偏见;注1
偏见;注1
NCLK
1
0
偏见;注1
偏见;注1
0
1
输出
Q0:Q15
nQ0 ： nQ15
低
高
高
低
高
高
低
低
高
低
低
高
输入到输出模式
差分至差分
差分至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
极性
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
INVER婷
INVER婷
注1 ：请参见应用信息部分， "Wiring的差分输入接受单端Levels" 。
8516FY
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3
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
静态电源电流
R
L
= 100
空载
测试条件
最低
3.135
典型
3.3
135
60
最大
3.465
165
75
单位
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
CLK
NCLK
CLK
NCLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
150
5
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰电压
0.15
共模输入电压;
V
CMR
GND + 0.5
注1,2
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK ， NCLK为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义AST V
IH
.
8516FY
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4
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ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
测试条件
最低
250
1.125
-10
-1
典型
400
1.4
最大
600
50
1.6
50
+10
+1
-5.5
-12
单位
mV
mV
V
mV
A
A
mA
mA
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OZ
I
关闭
I
OSD
I
OS
/I
OSB
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
高阻抗漏电流
关机泄漏
差分输出肖尔吨短路电流
输出肖尔吨短路电流
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
参数
输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
输出禁止时间;注5：
20 ％至80％
100
45
50
1.6
2.0
测试条件
最低
典型
最大
700
2.4
90
500
550
55
5
5
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
ns
ns
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
O DC
t
PZL
, t
PZH
t
PLZ
, t
PHZ
注1 ：从差动输入交叉点到差动输出交叉点测定。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在差分交叉点。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
8516FY
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5
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电路
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ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
F
EATURES
十六
迪FF erential
LVDS输出
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVPECL ， LVDS ， LVHSTL ， HCSL ， SSTL
最大输出频率： 700MHz的
任何转换差分输入信号（ LVPECL ， LVHSTL ，
SSTL ， DCM ）以LVDS电平，无需外部偏置网络
任何转换单端输入信号LVDS
与NCLK输入电阻偏置
多路输出使能输入禁用未使用
在减少扇出的应用程序输出
LVDS兼容
输出偏斜： 90PS （最大值）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
传播延迟： 2.4ns （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 148fs （典型值）
工作电压3.3V
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8516是一种低歪斜，高性能
1至16差分至LVDS时钟分配
HiPerClockS
芯片和HiPerClock S的成员
家族高性能时钟解决方案
ICS 。该ICS8516 CLK ， NCLK对可以接受
任何差分输入电平，并将其转换为3.3V LVDS
输出电平。采用低电压差分信号
（ LVDS ） ，在ICS8516提供了一个低功耗，低噪音，点 -
点对点解决方案，在受控分发时钟信号
100Ω的阻抗。
IC
S
双输出使能输入允许在一个所用的ICS8516
1到16或1到8个输入/输出模式。
保证输出部分，以部分偏移进行规范
在ICS8516适合那些要求苛刻的应用程序以及
定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK
NCLK
P
IN
A
SSIGNMENT
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
1
36
2
35
3
34
4
33
5
32
6
31
7
30
8
29
9
28
10
27
11
26
12
25
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Q9
nQ9
Q8
nQ8
GND
OE2
OE1
GND
nQ7
Q7
nQ6
Q6
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
Q6
nQ6
Q7
nQ7
Q15
nQ15
Q14
nQ14
Q13
nQ13
Q12
nQ12
Q11
nQ11
Q10
nQ10
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DD
nQ5
Q5
nQ4
Q4
V
DD
GND
nQ3
Q3
nQ2
Q2
V
DD
ICS8516
V
DD
nQ10
Q10
nQ11
Q11
V
DD
GND
nQ12
Q12
nQ13
Q13
V
DD
OE1
OE2
8516FY
48引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Y封装
顶视图
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
nQ14
Q14
nQ15
Q15
GND
CLK
NCLK
GND
Q0
nQ0
Q1
nQ1
REV 。 B 2006年2月21日
集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
TYPE
动力
产量
产量
动力
产量
产量
产量
产量
输入
输入
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
上拉
下拉
描述
正电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
电源接地。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
INVER婷差分时钟输入。
非INVER婷差分时钟输入。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6, 12,
25, 31, 36
2, 3
4, 5
7, 17, 20,
30, 41, 44
8, 9
10, 11
13, 14
15, 16
18
19
21, 22
23, 24
26, 27
28, 29
32, 33
34, 35
37, 38
39, 40
名字
V
DD
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
GND
nQ3 ， Q3
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
NCLK
CLK
Q15 ， nQ15
Q14 ， nQ14
Q13 ， nQ13
Q12 ， nQ12
Q11 ， nQ11
Q10 ， nQ10
Q9 ， nQ9
Q8 ， nQ8
差分输出对。 LVDS接口的水平。
输出使能。 OE2控制输出Q8 ， nQ8通Q15 ， nQ15 ;
OE1控制输出Q0 ， nQ0通Q7 ， nQ7 。
42, 43
OE2 ， OE1
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
45, 46
nQ7 ， Q7
产量
47, 48
nQ6 ， Q6
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
8516FY
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 B 2006年2月21日
集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
测试条件
最低
典型
4
51
51
4
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
pF
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
T
ABLE
3A 。
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
OE1
0
1
0
1
OE2
0
0
1
1
Q0:Q7
喜
活跃
喜
活跃
nQ0 ： nQ7
喜
活跃
喜
活跃
输出
Q8:Q15
喜
喜
活跃
活跃
nQ8 ： nQ15
喜
喜
活跃
活跃
在主动模式下，输出的状态是，如表3B中所描述的CLK和NCLK输入的函数。
T
ABLE
3B 。
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
CLK
0
1
0
1
偏见;注1
偏见;注1
NCLK
1
0
偏见;注1
偏见;注1
0
1
输出
Q0:Q15
nQ0 ： nQ15
低
高
高
低
高
高
低
低
高
低
低
高
输入到输出模式
差分至差分
差分至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
极性
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
非铟（Inver）婷
INVER婷
INVER婷
注1 ：请参见应用信息部分， "Wiring的差分输入接受单端Levels" 。
8516FY
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 B 2006年2月21日
集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
静态电源电流
R
L
= 100
Ω
空载
测试条件
最低
3.135
典型
3. 3
135
60
最大
3.465
16 5
75
单位
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
OE1 ， OE2
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
CLK
NCLK
CLK
NCLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
150
5
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰电压
0.15
共模输入电压;
V
CMR
GND + 0.5
注1,2
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK ， NCLK为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义AST V
IH
.
8516FY
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4
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集成
电路
系统公司
ICS8516
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVDS
LOCK
D
ISTRIBUTION
C
HIP
测试条件
最低
250
1.125
-10
-1
典型
400
1.4
最大
600
50
1.6
50
+10
+1
-5.5
-12
单位
mV
mV
V
mV
A
A
mA
mA
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
I
OZ
I
关闭
I
OSD
I
OS
/I
OSB
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
高阻抗漏电流
关机泄漏
差分输出肖尔吨短路电流
输出肖尔吨短路电流
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT
t
R
/t
F
ODC
t
PZL
, t
PZH
t
PLZ
, t
PHZ
参数
输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
输出禁止时间;注5：
积分范围：
12kHz的 - 20MHz的
20 ％至80％
1.6
2.0
测试条件
最低
典型
最大
700
2.4
90
500
148
100
45
50
550
55
5
5
单位
MH
ns
ps
ps
fs
ps
%
ns
ns
注1 ：从差动输入交叉点到差动输出交叉点测定。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在差分交叉点。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
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