集成
电路
系统公司
ICS8431-21
350MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
O
SCILLATOR
-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
完全集成的PLL
差分LVPECL 3.3V输出
晶体振荡器接口
输出频率范围：为的62.5MHz 350MHz的
晶振输入频率范围： 14MHz至25MHz的
VCO范围： 250MHz的700MHz的到
可编程PLL环路除法器，用于产生多种
输出频率
扩频时钟（ SSC）固定在1 /2％调制
适用于需要超低EMI环境
PLL旁路模式，支持在线检测和片上
功能块特性
周期到周期抖动： 30PS （最大值）
3.3V电源电压
0 ° C至85°C的工作环境温度
替换ICS8431-01和ICS8431-11
无铅封装，完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8431-21是一种通用的时钟频率
ICS
昆西合成的IA64 / 32应用程序和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高性的成员
formance的时钟解决方案，从ICS 。在OP- VCO
erates在250MHz到700MHz的频率范围
提供的62.5MHz的输出频率范围350MHz的。
输出频率可以通过使用并行IN-被编程
terface ，通过M8 M0到配置的逻辑，并输出
分控制引脚， DIV_SEL 。扩频时钟是亲
通过控制输入SSC_CTL0和SSC_CTL1编程。
该ICS8431-21支持4 OP-的可编程功能
erational模式。这四种模式被扩频顺时针
荷兰国际集团（SSC ），非扩频时钟和两种测试模式
标签：这是由SSC_CTL [0 1]的控制。不像其他
合成时， ICS8431-21可以立即改变
无需重置设备扩频操作。
在SSC的模式中，输出时钟被调制，以实现
在电磁干扰的减小。在一个PLL的旁路测试模式，则
PLL被断开的作为源的差分输出
从而允许外部源被连接到所述TEST_I / O的
引脚。这对于在电路测试是有用的，并且允许differen-
TiAl金属输出要在较低的频率在整个驱动
系统时钟树。在其它的PLL旁路模式，在该振荡器
器分频器用作源两者的M和的F out
由2分频为表征振荡器，这是有用的，并
内部分频器。
B
LOCK
D
IAGRAM
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
÷
16
P
IN
A
SSIGNMENT
M0
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
SSC_CTL0
SSC_CTL1
V
EE
TEST_I / O
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
nP_LOAD
V
CC
XTAL_IN
XTAL_OUT
nc
nc
V
CCA
V
EE
MR
DIV_SEL
V
CCO
FOUT
NFOUT
V
EE
PLL
相
探测器
÷2
VCO
÷
M
÷4
FOUT
NFOUT
ICS8431-21
TEST_I / O
CON组fi guration
逻辑
SSC
控制
逻辑
M0:M8
28引脚SOIC
7.5毫米X 18.05毫米X 2.25毫米包体
男包
顶视图
nP_LOAD
SSC_CTL0
SSC_CTL1
DIV_SEL
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350MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
O
SCILLATOR
-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
PLL环路分频器或M分频器使用编程
输入M0通过M8 。而nP_LOAD输入为低，
该数据存在于M0： M8是透明到M分频器。上
nP_LOAD的低到高的跳变时， M0 ： M8数据
锁存到M个分，并在进一步的变化
M0： M8的输入，将不会用M分频器可以看出，直到下一
在nP_LOAD LOW过渡。
VCO频率之间的关系，晶体频
频率和M个除法器的定义如下：
值为fXTAL X
FVCO =
M
16
M值和M0的所需的值： M8的编程
VCO的示于
表3B ，
可编程的VCO频率
功能表。的频率进行定义如下：
FOUT = FVCO =值为fXTAL ×M的
N
16 ×N个
为ICS8431-21 ，输出分频器可以被设置为任一
÷2
or
÷4
由DIV_SEL引脚。为16兆赫的输入，有效
M值的量， PLL才能实现锁定的定义如下：
250
≤
M
≤
511.
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
该ICS8431-21拥有一个完全集成的PLL ，因此
无需外部元件设置环路带宽。
振荡器的输出由相位16之前分
探测器。一个16MHz晶振这提供了一个1MHz的参考
频率。 PLL的压控振荡器工作在250MHz的范围内的
达到700MHz 。对M分频器的输出也施加到相位
探测器。
相位检测器和M个分频器迫使VCO输出
频率是通过调整M倍基准频率
VCO控制电压。需要注意的是对于M的某些值（ EI-
疗法过高或过低）时，PLL将不实现锁定。该
VCO的输出由除法器被发送到前缩放
在LVPECL输出缓冲器。除法器提供了一个50 ％的输出
占空比。
的ICS8431-21支持四个可编程特性
输出的操作模式和可编程M分频器和
输出分频器。四个输出操作模式被传播
频谱时钟（SSC ），非扩频时钟和
标签：两种测试模式，并且由SSC_CTL [0 1]的控制。
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Z
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, C
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O
SCILLATOR
-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
输入
输入
动力
输入/
产量
动力
产量
动力
输入
描述
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2, 3, 4,
5, 6, 7
8, 9
10, 11
12, 15, 21
13
14, 27
16, 17
18
19
名字
M0-M6
M7-M8
SSC CTL0 ，
SSC CTL1
V
EE
测试I / O
V
CC
nFOUT ， FOUT
V
CCO
DIV_SEL
下拉M分频器输入。数据锁存低到高的转变
的nP_LOAD输入。 LVCMOS / LVTTL引脚接口电平。
上拉
上拉
SCC控制引脚。 LVTTL / LVCMOS接口电平。
负电源引脚。将所有V
EE
销登上地面。
如表3A功能表定义编程。
核心供电引脚。
差分输出的合成器。 3.3V LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
确定为FOUT输出分频值。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出FOUT走低， INVER泰德输出
下拉nFOUT变高。当逻辑低电平时，内部分隔和
输出被使能。 MR的阿瑟化不影响加载临近M＆T
值。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
20
MR
输入
22
23, 24
V
CCA
nc
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
动力
未使用
无连接。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
25, 26
输入
XTAL_OUT是输出。
并行加载输入。确定当数据出现在M8 ： M0
28
nP_LOAD
输入
下拉
被加载成M分频器。 LVTTL / LVCMOS接口电平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入引脚电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
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SCILLATOR
-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
输出
SSC
FOUT ， nFOUT
DIV_SEL0 DIV_SEL1
值为fXTAL
÷
32
值为fXTAL ×m个
32
TEST CLK
值为fXTAL
÷
64
值为fXTAL ×m个
64
TEST CLK
值为fXTAL ×m个
64
TEST_I / O
操作模式
T
ABLE
3A 。 SSC
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
SSC_CTL1 SSC_CTL0
0
0
1
1
0
1
0
1
TEST_I / O
来源
国内
PLL
外
PLL
残
启用
残
残
值为fXTAL
÷
16 PLL旁路;振荡器，M和N
÷
M
分频器测试模式。注1
默认SSC ;
高阻
Modulation Factor = ½ Percent
PLL旁路模式，注1 ;
输入
(1MHz
≤
TEST CLK
≤
200MHz)
高阻
无SSC调制
值为fXTAL ×m个
32
注1 ：在内部调试和表征用途。
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
（注1 ）
VCO频率
（兆赫）
250
251
252
253
508
509
510
511
M的数量
250
25 1
25 2
253
50 8
509
510
511
256
M8
0
0
0
0
1
1
1
1
128
M7
1
1
1
1
1
1
1
1
64
M6
1
1
1
1
1
1
1
1
32
M5
1
1
1
1
1
1
1
1
16
M4
1
1
1
1
1
1
1
1
8
M3
1
1
1
1
1
1
1
1
4
M2
0
0
1
1
1
1
1
1
2
M1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
M0
0
1
0
1
0
1
0
1
注1 ：假设一个16MHz的CR石英晶体。
T
ABLE
3C 。 F
油膏
T
ABLE
输入
DIV_SEL
0
1
N分频器值
2
4
输出频率（ MHz）的
最低
125
62.5
最大
350
175
8431AM-21
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4
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ICS8431-21
350MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
O
SCILLATOR
-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
46.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCO
V
CCA
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
输出电源电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
155
16
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
IH
输入
参数
M0 ： M8 ， SSC_CTL0 ，
SSC_CTL1 ， MR，
高压
DIV_SEL ， TEST_I / O，
nP_LOAD
M0 ： M8 ， SSC_CTL0 ，
SSC_CTL1 ， MR，
低电压
DIV_SEL ， TEST_I / O，
nP_LOAD
M7 ， M8 ， SSC_CTL0 ，
SSC_CTL1 ， TEST_IO
HIGH CURRENT
M0 ： M6 ， DIV_SEL
nP_LOAD ，MR
M7 ， M8 ， SSC_CTL0 ，
SSC_CTL1 ， TEST_IO
低电流
M0 ： M6 ， DIV_SEL
nP_LOAD ，MR
测试条件
最低
2
典型
最大
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
IL
输入
-0.3
0.8
V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
5
150
A
A
A
A
I
IH
输入
I
IL
输入
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO
- 2V 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
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5
8431AM-21
REV 。一个2005年4月27日
QQ：2880707522 复制
