集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
四个3.3V LVPECL输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
支持以下输出频率：
156.25MHz ， 125MHz的和中的62.5MHz
VCO范围：为560MHz - 680MHz的
输出偏斜： 50ps的（最大）
RMS相位抖动@ 156.25MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz - 20MHz的） ： 0.54ps （典型值）
全3.3V或2.5V电源模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843004I - 01是一款4输出LVPECL
合成优化，产生以太网
HiPerClockS
参考时钟的频率，并且是一个构件
在HiPerClocks
TM
系列高性能时钟
从IC解决方案。使用25MHz的18pF之并行
谐振晶体时，可以产生以下频率
根据第2频率选择引脚的设置（ F_SEL [1 ：0]） ：
156.25MHz ， 125MHz的，中的62.5MHz 。该ICS843004I -01用途
ICS “ 3
rd
代低相位噪声VCO技术，可以
实现1PS或更低的典型均方根相位抖动，很容易满足
以太网的抖动要求。该ICS843004I -01封装
在一个小型24引脚TSSOP封装。
ICS
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
M分频器N分频器
价值
价值
25
4
25
25
25
5
10
未使用
M / N
分频值
6.25
5
2.5
输出频率
（ 25MHz的参考文献）。
156.25
125
62.5
未使用
P
IN
A
SSIGNMENT
nQ1
Q1
V
CC
o
Q0
nQ0
MR
nPLL_SEL
nc
V
CCA
F_SEL0
V
CC
F_SEL1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
nQ2
Q2
V
CCO
Q3
nQ3
V
EE
V
CC
nXTAL_SEL
TEST_CLK
V
EE
XTAL_IN
XTAL_OUT
F_SEL1 F_SEL0
0
0
1
1
0
1
0
1
B
LOCK
D
IAGRAM
F_SEL [1 ：0]的
下拉
nPLL_SEL
下拉
ICS843004I-01
2
F_SEL [1 ：0]的
TEST_CLK
下拉
25MHz
1
1
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
nXTAL_SEL
下拉
0
相
探测器
VCO
625MHz
(w/25MHz
参考）
0 0 ÷4
0 1 ÷5
1 0 ÷10
1 1
未使用
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
Q0
G封装
顶视图
NQO
Q1
nQ1
0
Q2
nQ2
M = 25 （固定）
Q3
nQ3
MR
下拉
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年2月11日
集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
差分输出对。 LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出QX走低， INVER泰德输出nQx
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
PLL和TEST_CLK作为输入给除法器之间进行选择。当
下拉低，选择锁相环（ PLL使能） 。当HIGH ，取消选择的参考时钟
（ PLL旁路） 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
模拟电源引脚。
下拉频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出，
XTAL_IN是输入。
负电源引脚。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
CR石英晶体或TEST_CLK投入作为PLL的参考与选择
下拉来源。选择低时， XTAL输入。选择TEST_CLK HIGH的时候。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 22
4, 5
6
名字
NQ1 ， Q1
V
CCO
Q0 ， nQ0
MR
动力
OUPUT
输入
产量
7
8
9
10, 12
11, 18
13 , 14
15, 19
16
17
20, 21
23, 24
nPLL_SEL
nc
V
CCA
F_SEL0,
F_SEL1
V
CC
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
V
EE
TEST_CLK
nXTAL_SEL
nQ3 ， Q3
Q2 ， NQ2
输入
未使用
动力
输入
动力
输入
动力
输入
输入
产量
产量
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
参数
输入电容
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
最大
单位
pF
k
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
包括我
EE
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
130
15
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
包括IEE
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
120
12
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
测试条件
V
CC
= 3.3V ± 5%
V
CC
= 2.5V ± 5%
V
CC
= 3.3V ± 5%
V
CC
= 2.5V ± 5%
V
CC
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
CC
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
-5
最低
2.0
1.7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.8
0. 7
150
单位
V
V
V
V
A
A
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
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集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
3D 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
到V
CCO
- 2V.
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
测试条件
最低
典型的最大
25
50
7
单位
兆赫
pF
基本
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
输出偏斜;注： 1 ， 3
156.25MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
0.54
0.58
0.70
300
600
52
RMS相位抖动;注2：
输出上升/下降时间
125MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
中的62.5MHz （ 637KHz - 10MHz时）
t
R
/ t
F
20 ％至80％
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
最低
140
11 2
56
典型
最大
170
136
68
50
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
ODC
输出占空比
48
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
CCO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图下页。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
输出偏斜;注： 1 ， 3
156.25MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
0.54
0.58
0.74
300
600
52
RMS相位抖动;注2：
输出上升/下降时间
125MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
中的62.5MHz （ 637KHz - 10MHz时）
t
R
/ t
F
20 ％至80％
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
最低
140
112
56
典型
最大
170
136
68
50
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
ODC
输出占空比
48
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
CCO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图下页。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
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集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
10Gb以太网过滤器
156.25MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.54ps
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
156.25MH
Z
(3.3V)
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
100k
原始相位噪声数据
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
62.5MH
Z
(3.3V)
相位噪声加入结果
10Gb以太网过滤原始数据
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
10Gb以太网过滤器
62.5MHz
RMS相位抖动（随机）
637KHz至10MHz = 0.70ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
相位噪声加入结果
10Gb以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
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5
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集成
电路
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
四个3.3V LVPECL输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
支持以下输出频率：
156.25MHz ， 125MHz的和中的62.5MHz
VCO范围：为560MHz - 680MHz的
输出偏斜： 50ps的（最大）
RMS相位抖动@ 156.25MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz - 20MHz的） ： 0.54ps （典型值）
全3.3V或2.5V电源模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843004I - 01是一款4输出LVPECL
合成优化，产生以太网
HiPerClockS
参考时钟的频率，并且是一个构件
在HiPerClocks
TM
系列高性能时钟
从IC解决方案。使用25MHz的18pF之并行
谐振晶体时，可以产生以下频率
根据第2频率选择引脚的设置（ F_SEL [1 ：0]） ：
156.25MHz ， 125MHz的，中的62.5MHz 。该ICS843004I -01用途
ICS “ 3
rd
代低相位噪声VCO技术，可以
实现1PS或更低的典型均方根相位抖动，很容易满足
以太网的抖动要求。该ICS843004I -01封装
在一个小型24引脚TSSOP封装。
ICS
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
M分频器N分频器
价值
价值
25
4
25
25
25
5
10
未使用
M / N
分频值
6.25
5
2.5
输出频率
（ 25MHz的参考文献）。
156.25
125
62.5
未使用
P
IN
A
SSIGNMENT
nQ1
Q1
V
CC
o
Q0
nQ0
MR
nPLL_SEL
nc
V
CCA
F_SEL0
V
CC
F_SEL1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
nQ2
Q2
V
CCO
Q3
nQ3
V
EE
V
CC
nXTAL_SEL
TEST_CLK
V
EE
XTAL_IN
XTAL_OUT
F_SEL1 F_SEL0
0
0
1
1
0
1
0
1
B
LOCK
D
IAGRAM
F_SEL [1 ：0]的
下拉
nPLL_SEL
下拉
ICS843004I-01
2
F_SEL [1 ：0]的
TEST_CLK
下拉
25MHz
1
1
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
nXTAL_SEL
下拉
0
相
探测器
VCO
625MHz
(w/25MHz
参考）
0 0 ÷4
0 1 ÷5
1 0 ÷10
1 1
未使用
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
Q0
G封装
顶视图
NQO
Q1
nQ1
0
Q2
nQ2
M = 25 （固定）
Q3
nQ3
MR
下拉
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
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集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
差分输出对。 LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出QX走低， INVER泰德输出nQx
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
PLL和TEST_CLK作为输入给除法器之间进行选择。当
下拉低，选择锁相环（ PLL使能） 。当HIGH ，取消选择的参考时钟
（ PLL旁路） 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
模拟电源引脚。
下拉频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出，
XTAL_IN是输入。
负电源引脚。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
CR石英晶体或TEST_CLK投入作为PLL的参考与选择
下拉来源。选择低时， XTAL输入。选择TEST_CLK HIGH的时候。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 22
4, 5
6
名字
NQ1 ， Q1
V
CCO
Q0 ， nQ0
MR
动力
OUPUT
输入
产量
7
8
9
10, 12
11, 18
13 , 14
15, 19
16
17
20, 21
23, 24
nPLL_SEL
nc
V
CCA
F_SEL0,
F_SEL1
V
CC
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
V
EE
TEST_CLK
nXTAL_SEL
nQ3 ， Q3
Q2 ， NQ2
输入
未使用
动力
输入
动力
输入
动力
输入
输入
产量
产量
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
参数
输入电容
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
最大
单位
pF
k
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年2月11日
集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
包括我
EE
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
130
15
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
包括IEE
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
120
12
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
测试条件
V
CC
= 3.3V ± 5%
V
CC
= 2.5V ± 5%
V
CC
= 3.3V ± 5%
V
CC
= 2.5V ± 5%
V
CC
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
CC
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
-5
最低
2.0
1.7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.8
0. 7
150
单位
V
V
V
V
A
A
843004AGI-01
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3
REV 。一2005年2月11日
集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
3D 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
到V
CCO
- 2V.
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
测试条件
最低
典型的最大
25
50
7
单位
兆赫
pF
基本
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
输出偏斜;注： 1 ， 3
156.25MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
0.54
0.58
0.70
300
600
52
RMS相位抖动;注2：
输出上升/下降时间
125MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
中的62.5MHz （ 637KHz - 10MHz时）
t
R
/ t
F
20 ％至80％
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
最低
140
11 2
56
典型
最大
170
136
68
50
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
ODC
输出占空比
48
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
CCO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图下页。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
输出偏斜;注： 1 ， 3
156.25MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
0.54
0.58
0.74
300
600
52
RMS相位抖动;注2：
输出上升/下降时间
125MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
中的62.5MHz （ 637KHz - 10MHz时）
t
R
/ t
F
20 ％至80％
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
最低
140
112
56
典型
最大
170
136
68
50
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
ODC
输出占空比
48
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
CCO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图下页。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年2月11日
集成
电路
系统公司
ICS843004I-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
10Gb以太网过滤器
156.25MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.54ps
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
156.25MH
Z
(3.3V)
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
100k
原始相位噪声数据
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
62.5MH
Z
(3.3V)
相位噪声加入结果
10Gb以太网过滤原始数据
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
10Gb以太网过滤器
62.5MHz
RMS相位抖动（随机）
637KHz至10MHz = 0.70ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
相位噪声加入结果
10Gb以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
843004AGI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2005年2月11日
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