集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
一个3.3V的LVPECL输出对和一路LVCMOS输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
支持以下应用：
SONET ，以太网，光纤通道，串行ATA和HDTV
RMS相位抖动@ 622.08MHz的（ 12kHz的 - 20MHz的） ：
0.80ps （典型值）
OFFSET
噪声功率
100Hz的............... -60.3 dBc的/赫兹
1kHz时............... -88.5 dBc的/赫兹
10kHz的............. -111.9 dBc的/赫兹
100kHz的............. -113.0 dBc的/赫兹
全3.3V供电模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843001-21是一个高度灵活的，低
IC
S
相位噪声LVPECL合成器可以
HiPerClockS
生成低抖动的参考时钟，适用于各种
的通信应用，并且是
在HiPerClocks成员
TM
家庭高
高性能时钟解决方案，从ICS 。双
水晶接口允许合成器支持高达
在一个给定的应用程序2的通信标准（即
1GB以太网25MHz晶体和1Gb的光纤通道
采用25.5625MHz CR石英晶体） 。第r毫秒相位抖动
性能通常比1ps的少，从而使
设备可以接受的苛刻应用，例如使用
如OC48 SONET和10Gb以太网。该ICS843001-21
封装在一个小型24引脚TSSOP封装。
P
IN
A
SSIGNMENT
V
CCO
_
CMOS
N0
N1
N2
V
CCO
_
PECL
Q0
nQ0
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1
XTAL_IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
REF_CLK
V
EE
REF_OE
M2
M1
M0
MR
SEL1
SEL0
TEST_CLK
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
B
LOCK
D
IAGRAM
3
N2:N0
SEL0
下拉
SEL1
下拉
N
XTAL_IN0
000
001
010
011
100
101
110
111
÷1
÷2
÷3
÷4
（默认）
÷5
÷6
÷8
÷10
ICS843001-21
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q0
nQ0
OSC
XTAL_OUT0
00
11
XTAL_IN1
OSC
XTAL_OUT1
TEST_CLK
下拉
01
相
探测器
VCO
10
01
00
10
000
001
010
011
100
101
M
÷18
÷22
÷24
÷25
÷32
（默认）
÷40
MR
M2:M0
下拉
3
REF_CLK
OE_REF
下拉
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
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集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
输出电源引脚LVCMOS输出。
输出分频器选择引脚。默认÷ 4 。
下拉LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚LVPECL输出。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
负电源引脚。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT1是输出，
XTAL_IN1是输入。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT0是输出，
XTAL_IN0是输入。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
下拉输入MUX选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出Q0走低， INVER泰德输出nQ0
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉反馈分频器选择引脚。默认值÷ 32 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
下拉
参考时钟输出使能。默认低。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
参考时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3
4
5
6, 7
8, 23
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
19, 20
21
22
24
名字
V
CCO_CMOS
N0, N1
N2
V
CCO_LVPECL
Q0 ， nQ0
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1,
XTAL_IN1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
TEST_CLK
SEL0 ， SEL1
MR
M0, M1
M2
REF_OE
REF_CLK
输入
输入
动力
OUPUT
动力
动力
动力
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
产量
动力
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
输入下拉电阻
输入上拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
51
51
7
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
Ω
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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电路
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ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
输出频率
（兆赫）
74.25
74.25
74.1758245
155.52
77.76
622.08
311.04
156.25
125
62.5
100
150
75
106.25
212.5
159.375
187.5
T
ABLE
3A 。
OMMON
C
ONFIGURATIONS
T
ABLE
输入
参考时钟
27
24.75
14.8351649
19.44
19.44
19.44
19.44
19.53125
25
25
25
25
25
26.5625
26.5625
26.5625
31.25
M分频器值
22
24
40
32
32
32
32
32
25
25
24
24
24
24
24
24
18
N分频器值
8
8
8
4
8
1
2
4
5
10
6
4
8
6
3
4
3
VCO （兆赫）
594
594
593.4066
622.08
622.08
622.08
622.08
625
625
625
600
600
600
637.5
637.5
637.5
562.5
应用
HDTV
HDTV
HDTV
SONET
SONET
SONET
SONET
10千兆以太网
1千兆
1千兆
PCI Express的
SATA
SATA
光纤信道1
4千兆光纤通道
10千兆光纤通道
12千兆以太网
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
M O对
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
M2
0
0
0
0
1
1
M1
0
0
1
1
0
0
M0
0
1
0
1
0
1
M分频器
价值
18
22
24
25
32
40
输入频率
最低
31. 1
25.5
23.3
22.4
17.5
14.0
最大
38.9
31.8
29.2
28.0
21.9
17.5
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
N 2 O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
分频值
1
2
3
4
5
6
8
10
T
ABLE
3D 。 B
YPASS
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
SEL1
0
0
1
1
SEL0
0
1
0
1
参考
XTAL0
XTAL1
TEST_CLK
TEST_CLK
PLL模式
活跃
活跃
活跃
绕行
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3
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集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-0.5V到V
CCO
+ 0.5V
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
（ LVPECL ）
连续电流
浪涌电流
产出，V
O
（ LVCMOS ）
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_PECL ， _CMOS
I
EE
I
CCA
I
CCO_PECL ， _CMOS
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
170
11
8
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
SEL0 ， SEL1 ， OE_REF ，
输入
磁共振， M0 ： M2 ， N0 ： N2
低电压
TEST_CLK
TEST_CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
输入
OE_REF ，MR， M0，M1， N2
HIGH CURRENT
M2， N0，N1
输入
低电流
TEST_CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
OE_REF ，MR， M0，M1， N2
M2， N0，N1
测试条件
最小典型
2
-0.3
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
REF_CLK
-5
-150
2.6
0.5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
1.3
150
5
单位
V
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
I
IL
V
OH
输出高电压;注1
V
OL
输出低电压：注1
REF_CLK
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO _CMOS
/ 2 。参见参数测量信息科
"3.3V输出负载测试电路Diagram" 。
843001AG-21
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4
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集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO_PECL
- 2V.
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
12
测试条件
最低
典型
最大
40
50
7
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
基本
T
ABLE
6. AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
f
OUT
t
PD
t
JIT （ φ ）
f
VCO
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟， TEST_CLK到
注1
REF_CLK
RMS相位抖动（随机） ;
注2,3
PLL VCO锁定范围
产量
上升/下降时间
输出占空比
LVPECL
LVCMOS
测试条件
最低
56
2.3
622.08MHz的（ 12kHz的 - 为20MHz ）
560
20 ％至80％
20 ％至80％
200
300
45
44
0.80
700
500
800
55
56
典型
最大
700
2.8
单位
兆赫
ns
ps
兆赫
ps
ps
%
%
LVPECL
LVCMOS
注1 ：从V测
CC
输入到V / 2的
CCO_CMOS
输出的/ 2 。
注2 ：采用19.44MHz QUAR TZ CR石英晶体测相位抖动。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
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5
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集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
一个3.3V的LVPECL输出对和一路LVCMOS输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
支持以下应用：
SONET ，以太网，光纤通道，串行ATA和HDTV
RMS相位抖动@ 622.08MHz的（ 12kHz的 - 20MHz的） ：
0.80ps （典型值）
OFFSET
噪声功率
100Hz的............... -60.3 dBc的/赫兹
1kHz时............... -88.5 dBc的/赫兹
10kHz的............. -111.9 dBc的/赫兹
100kHz的............. -113.0 dBc的/赫兹
全3.3V供电模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843001-21是一个高度灵活的，低
IC
S
相位噪声LVPECL合成器可以
HiPerClockS
生成低抖动的参考时钟，适用于各种
的通信应用，并且是
在HiPerClocks成员
TM
家庭高
高性能时钟解决方案，从ICS 。双
水晶接口允许合成器支持高达
在一个给定的应用程序2的通信标准（即
1GB以太网25MHz晶体和1Gb的光纤通道
采用25.5625MHz CR石英晶体） 。第r毫秒相位抖动
性能通常比1ps的少，从而使
设备可以接受的苛刻应用，例如使用
如OC48 SONET和10Gb以太网。该ICS843001-21
封装在一个小型24引脚TSSOP封装。
P
IN
A
SSIGNMENT
V
CCO
_
CMOS
N0
N1
N2
V
CCO
_
PECL
Q0
nQ0
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1
XTAL_IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
REF_CLK
V
EE
REF_OE
M2
M1
M0
MR
SEL1
SEL0
TEST_CLK
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
B
LOCK
D
IAGRAM
3
N2:N0
SEL0
下拉
SEL1
下拉
N
XTAL_IN0
000
001
010
011
100
101
110
111
÷1
÷2
÷3
÷4
（默认）
÷5
÷6
÷8
÷10
ICS843001-21
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q0
nQ0
OSC
XTAL_OUT0
00
11
XTAL_IN1
OSC
XTAL_OUT1
TEST_CLK
下拉
01
相
探测器
VCO
10
01
00
10
000
001
010
011
100
101
M
÷18
÷22
÷24
÷25
÷32
（默认）
÷40
MR
M2:M0
下拉
3
REF_CLK
OE_REF
下拉
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年10月26日
集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
输出电源引脚LVCMOS输出。
输出分频器选择引脚。默认÷ 4 。
下拉LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚LVPECL输出。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
负电源引脚。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT1是输出，
XTAL_IN1是输入。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT0是输出，
XTAL_IN0是输入。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
下拉输入MUX选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出Q0走低， INVER泰德输出nQ0
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉反馈分频器选择引脚。默认值÷ 32 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
下拉
参考时钟输出使能。默认低。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
参考时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3
4
5
6, 7
8, 23
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
19, 20
21
22
24
名字
V
CCO_CMOS
N0, N1
N2
V
CCO_LVPECL
Q0 ， nQ0
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1,
XTAL_IN1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
TEST_CLK
SEL0 ， SEL1
MR
M0, M1
M2
REF_OE
REF_CLK
输入
输入
动力
OUPUT
动力
动力
动力
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
产量
动力
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
输入下拉电阻
输入上拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
51
51
7
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
Ω
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年10月26日
集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
输出频率
（兆赫）
74.25
74.25
74.1758245
155.52
77.76
622.08
311.04
156.25
125
62.5
100
150
75
106.25
212.5
159.375
187.5
T
ABLE
3A 。
OMMON
C
ONFIGURATIONS
T
ABLE
输入
参考时钟
27
24.75
14.8351649
19.44
19.44
19.44
19.44
19.53125
25
25
25
25
25
26.5625
26.5625
26.5625
31.25
M分频器值
22
24
40
32
32
32
32
32
25
25
24
24
24
24
24
24
18
N分频器值
8
8
8
4
8
1
2
4
5
10
6
4
8
6
3
4
3
VCO （兆赫）
594
594
593.4066
622.08
622.08
622.08
622.08
625
625
625
600
600
600
637.5
637.5
637.5
562.5
应用
HDTV
HDTV
HDTV
SONET
SONET
SONET
SONET
10千兆以太网
1千兆
1千兆
PCI Express的
SATA
SATA
光纤信道1
4千兆光纤通道
10千兆光纤通道
12千兆以太网
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
M O对
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
M2
0
0
0
0
1
1
M1
0
0
1
1
0
0
M0
0
1
0
1
0
1
M分频器
价值
18
22
24
25
32
40
输入频率
最低
31. 1
25.5
23.3
22.4
17.5
14.0
最大
38.9
31.8
29.2
28.0
21.9
17.5
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
N 2 O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
分频值
1
2
3
4
5
6
8
10
T
ABLE
3D 。 B
YPASS
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
SEL1
0
0
1
1
SEL0
0
1
0
1
参考
XTAL0
XTAL1
TEST_CLK
TEST_CLK
PLL模式
活跃
活跃
活跃
绕行
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2005年10月26日
集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-0.5V到V
CCO
+ 0.5V
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
（ LVPECL ）
连续电流
浪涌电流
产出，V
O
（ LVCMOS ）
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_PECL ， _CMOS
I
EE
I
CCA
I
CCO_PECL ， _CMOS
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
170
11
8
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
SEL0 ， SEL1 ， OE_REF ，
输入
磁共振， M0 ： M2 ， N0 ： N2
低电压
TEST_CLK
TEST_CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
输入
OE_REF ，MR， M0，M1， N2
HIGH CURRENT
M2， N0，N1
输入
低电流
TEST_CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
OE_REF ，MR， M0，M1， N2
M2， N0，N1
测试条件
最小典型
2
-0.3
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
REF_CLK
-5
-150
2.6
0.5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
1.3
150
5
单位
V
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
I
IL
V
OH
输出高电压;注1
V
OL
输出低电压：注1
REF_CLK
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO _CMOS
/ 2 。参见参数测量信息科
"3.3V输出负载测试电路Diagram" 。
843001AG-21
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4
REV 。一2005年10月26日
集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO_PECL
- 2V.
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
12
测试条件
最低
典型
最大
40
50
7
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
基本
T
ABLE
6. AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
f
OUT
t
PD
t
JIT （ φ ）
f
VCO
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟， TEST_CLK到
注1
REF_CLK
RMS相位抖动（随机） ;
注2,3
PLL VCO锁定范围
产量
上升/下降时间
输出占空比
LVPECL
LVCMOS
测试条件
最低
56
2.3
622.08MHz的（ 12kHz的 - 为20MHz ）
560
20 ％至80％
20 ％至80％
200
300
45
44
0.80
700
500
800
55
56
典型
最大
700
2.8
单位
兆赫
ns
ps
兆赫
ps
ps
%
%
LVPECL
LVCMOS
注1 ：从V测
CC
输入到V / 2的
CCO_CMOS
输出的/ 2 。
注2 ：采用19.44MHz QUAR TZ CR石英晶体测相位抖动。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
843001AG-21
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5
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