FemtoClock
水晶至HCSL
时钟发生器
概述
该ICS841664I是一个优化的sRIO时钟发生器和一个
来自IDT的高性能时钟解决方案家族的新成员。
该器件采用了25MHz的平行晶体产生的125MHz和
156.25MHz的时钟信号，更换溶液需要多个
振荡器和扇出缓冲器的解决方案。该装置具有优异的相
抖动（ < 1PS有效值）适用于时钟部件需要精密，
低抖动的sRIO时钟信号。专为电信，网络和
工业应用中， ICS841664I也可以驱动高速
通信处理器，DSP串行RapidIO串行解串器的时钟输入端，
交换机和网桥。
ICS841664I
数据表
特点
四个差分HCSL时钟输出：配置为串行RapidIO
（为125MHz或156.25MHz ）的时钟信号
一个REF_OUT LVCMOS / LVTTL时钟输出
可选晶体振荡器接口，为25MHz ， 18pF之并行
谐振晶体或LVCMOS / LVTTL单端参考时钟
输入或LVCMOS / LVTTL单端输入
支持以下的输出频率： 125MHz的或156.25MHz
VCO ： 625MHz的
支持PLL旁路和输出使能功能
RMS相位抖动，采用25MHz晶振（ 1.875MHz - 20MHz的） ：
0.45ps （典型值） @ 125MHz的
全3.3V供电模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可提供无铅（ RoHS指令6 ）包
引脚分配
框图
XTAL_IN
25MHz
XTAL_OUT
REF_IN
REF_SEL
OSC
0
FREF
下拉
1
QA0
nQA0
FemtoClock
PLL
VCO = 625MHz的
V
DD
REF_OUT
GND
QA0
nQA0
V
DDOA
GND
QA1
nQA1
nREF_OE
绕行
REF_IN
REF_ SEL
V
DDA
0
÷ NA
1
QA1
nQA1
下拉
M = ÷25
QB0
nQB0
÷ NB
IREF
QB1
nQB1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
IREF
FSEL0
FSEL1
QB0
nQB0
V
DDOB
GND
QB1
nQB1
MR / NOE
V
DD
XTAL _IN
XTAL_OUT
GND
绕行
下拉
下拉
下拉
FSEL [0：1 ]
MR / NOE
REF_OUT
nREF_OE
上拉
ICS841664I
28引脚TSSOP
6.1毫米X 9.7毫米X 0.925毫米
包体
G封装
顶视图
ICS841664AGI修订版A 2011年8月10日
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ICS841664I数据表
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CRYSTAL - TO- HCSL时钟发生器
表1.引脚说明
数
1, 18
2
3, 7, 15, 22
4, 5,
8, 9
6
10
11
12
13
14
16,17
名字
V
DD
REF_OUT
GND
QA0 ， nQA0
QA1 ， nQA1
V
DDOA
nREF_OE
绕行
REF_IN
REF_SEL
V
DDA
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
动力
产量
动力
产量
动力
输入
输入
输入
输入
动力
输入
上拉
下拉
下拉
下拉
TYPE
描述
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL参考频率时钟输出。
电源接地。
差分银行A输出对。 HCSL接口电平。
输出电源引脚银行A输出。
低电平有效REF_OUT启用/禁用。请参阅表3E 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
选择PLL / PLL旁路模式。
请参阅表3C 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
LVCMOS / LVTTL参考时钟输入。
参考选择，选择输入参考源。
请参阅表3B 。 LVCMOS / LVTTL接口电平
模拟电源引脚。
并联谐振晶体界面。 XTAL_OUT是输出，
XTAL_IN是输入。
活跃的高高手复位。低电平有效输出使能。当逻辑高电平时，该
内部分频器复位并输出处于高阻抗（ HIZ）功能。当逻辑
低电平时，内部分隔且输出使能。
见表3D 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分银行B输出对。 HCSL接口电平。
输出电源引脚银行B输出。
下拉
输出频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
HCSL电流参考电阻的输出。固定精密电阻（ 475
）构成本
引脚到地提供了用于差分电流模式的基准电流
QXX / nQXx时钟输出。
19
MR / NOE
输入
下拉
20, 21,
24, 25
23
26, 27
nQB0 ， QB0
nQB1 ， QB1
V
DDOB
FSEL1,
FSEL0
IREF
产量
动力
输入
28
产量
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
表2.引脚特性
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
电源Dissipat离子
电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
REF_OUT
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 3.465V
测试条件
最低
典型
4
4
51
51
20
最大
单位
pF
pF
k
k
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CRYSTAL - TO- HCSL时钟发生器
功能表
表3A 。 NA ， NB FSELx功能表（F
REF
= 25MHz的）
输入
FSEL1
0
0
1
1
FSEL0
0
1
0
1
M
25
25
25
25
输出频率设定
QA0 ： 1 / nQA0 ： 1
VCO / 5 （ 125MHz的）
VCO / 5 （ 125MHz的）
VCO / 5 （ 125MHz的）
VCO / 4（ 156.25MHz ）
QB0 ： 1 / nQB0 ： 1
VCO / 5 （ 125MHz的）
VCO / 4（ 156.25MHz ）
QB0 ：1 = L时， nQB0 ： 1 = H
VCO / 4（ 156.25MHz ）
表3B 。 REF_SEL功能表
输入
REF_SEL
0
1
输入参考
XTAL
REF_IN
表3C 。旁路功能表
输入
绕行
0
1
PLL CON组fi guration
注1
启用PLL
PLL旁路（ QA ， QB = FREF / NX ， X = A或B ）
注1 ：异步控制。
表3D 。 MR / NOE功能表
输入
MR / NOE
0
1
功能
注1
输出启用
内部分频器复位，输出禁用（高阻）
注1 ：异步控制。
表3E 。 nREF_OE功能表
输入
nREF_OE
0
1
功能
注1
REF_OUT启用
REF_OUT禁用（高阻）
注1 ：异步控制。
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CRYSTAL - TO- HCSL时钟发生器
绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这些评价只强调规范。产品在这些条件或超出任何条件的功能操作
在这些上市
直流特性和交流特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响产品的可靠性。
项
电源电压，V
DD
输入，V
I
XTAL_IN
其他投入
输出，我
O
连续电流REF_OUT
浪涌电流REF_OUT
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
等级
4.6V
0V至V
DD
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
+/- 15毫安
+/- 30毫安
64.5 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= V
DDOA
= V
DDOB
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDOA ，
V
DDOB
I
DD
I
DDA
I
DDOA ，
I
DDOB
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
空载
空载
无负载， RREF = 475
+/ 1
%
测试条件
最低
3.135
V
DD
– 0.20
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
80
20
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低电压
REF_IN ， REF_SEL ，
BYPASS ， MR / NOE ，
FSEL0 ， FSEL1
nREF_OE
REF_IN ， REF_SEL ，
BYPASS ， MR / NOE ，
FSEL0 ， FSEL1
nREF_OE
V
OH
V
OL
输出高电压;
注1
输出低电压;
注1
REF_OUT
REF_OUT
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 3.465V
-5
-150
2.6
0.5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
注1 ：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息科
输出负载测试电路框图。
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表5.水晶特点
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
测试条件
最低
典型
基本
25
50
7
兆赫
最大
单位
pF
AC电气特性
表6A 。 LVCMOS交流特性，
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
f
OUT
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率REF_OUT
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
1.5
47
测试条件
最低
典型
25
2.2
53
最大
单位
兆赫
ns
%
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