集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
F
EATURES
1 LVCMOS / LVTTL输出，输出阻抗为15Ω
晶体振荡器接口设计
18pF之并联谐振晶体
输出频率范围： 70MHz的 - 170MHz的
VCO范围：为560MHz - 680MHz的
RMS在155.52MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）相位抖动：
0.48ps （典型值）
在155.52MHz RMS相位噪声
抵消噪声功率
100Hz的............... -99.7 dBc的/赫兹
1KHz的................ -120 dBc的/赫兹
为10KHz ................ -128 dBc的/赫兹
100KHz的................ -127 dBc的/赫兹
3.3V或2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840051I是千兆以太网时钟
发生器和HiPerClocks的成员
TM
HiPerClockS
家庭由ICS的高性能设备。该
ICS840051I能合成10千兆位以太网，
SONET或串行ATA参考时钟频率
quencies与晶体和输出选用合适的
分频器。该ICS840051I具有出色的相位抖动性能
并封装在一个小型8引脚TSSOP封装，使其成为理想的
在使用电路板空间有限的系统。
ICS
F
Characteristic低频
T
ABLE
输入
晶体频率（MHz ）
20.141601
20.141601
19.53125
19.53125
19.44
19.44
18.75
18.75
FREQ_SEL
0
1
0
1
0
1
0
1
输出频率
（兆赫）
161.132812
80.566406
156.25
78.125
155.52
77.76
15 0
75
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
FREQ_SEL下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDA
OE
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q0
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
GND
FREQ_SEL
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
560MHz-680MHz
0÷ 4 （默认）
1 ÷8
ICS840051I
8引脚TSSOP
4.40毫米X 3.0毫米X 0.925毫米
包体
G封装
顶视图
÷32
（FI固定的）
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
TYPE
动力
输入
输入
输入
动力
描述
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3, 4
5
6
7
8
名字
V
DDA
OE
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
FREQ_SEL
GND
Q0
V
DD
模拟电源引脚。
输出使能引脚。高电平时，输出Q0启用。当低，
上拉
力Q0为HiZ状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3A 。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入，
XTAL_OUT是输出。
下拉频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。请参阅表3B 。
电源接地。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
15
输出阻抗。
核心供电引脚。
产量
动力
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDA
= 3.465V
V
DD
, V
DDA
= 2.625V
测试条件
最低
典型
4
7
7
51
51
15
最大
单位
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3A 。
ONTROL
F
油膏
T
ABLE
控制输入
OE
0
1
产量
Q0
高阻
活跃
T
ABLE
3B 。 FREQ_SEL F
油膏
T
ABLE
控制输入
FRE_SEL
0
1
N分频器
÷4 （默认）
÷8
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
101.7 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
60
10
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
55
10
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
FREQ_SEL
OE
FREQ_SEL
OE
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
-5
-150
2.6
1.8
0.5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
V
输出高电压;注1
V
OL
输出低电压;注1
V
DD
= 3.465V或2.625V
注1 ：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息科
"Output负载测试Circuit"图。
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
测试条件
最低
17.5
典型
基本
21.25
50
7
兆赫
pF
最大
单位
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
155.52MHz ，积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
70
0.48
150
48
500
52
典型
最大
170
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参考相位噪声图。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
155.52MHz ，积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
70
0.50
200
49
600
51
典型
最大
170
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参考相位噪声图。
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
155.52MH
Z
(3.3V)
0
-10
-20
-30
-40
-50
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.48ps （典型值）
原始相位噪声数据
相位噪声加入结果
万兆以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
155.52MH
Z
(2.5V)
-10
-20
-30
-40
-50
万兆以太网过滤器
155.52MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875Mhz到20MHz = 0.50ps （典型值）
0
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-160
-180
-190
100
840051AGI
1k
10k
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2005年1月14日
-170
相位噪声加入结果
万兆以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
万兆以太网过滤器
155.52MHz
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
F
EATURES
1 LVCMOS / LVTTL输出，输出阻抗为15Ω
晶体振荡器接口设计
18pF之并联谐振晶体
输出频率范围： 70MHz的 - 170MHz的
VCO范围：为560MHz - 680MHz的
RMS在155.52MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）相位抖动：
0.48ps （典型值）
在155.52MHz RMS相位噪声
抵消噪声功率
100Hz的............... -99.7 dBc的/赫兹
1KHz的................ -120 dBc的/赫兹
为10KHz ................ -128 dBc的/赫兹
100KHz的................ -127 dBc的/赫兹
3.3V或2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840051I是千兆以太网时钟
发生器和HiPerClocks的成员
TM
HiPerClockS
家庭由ICS的高性能设备。该
ICS840051I能合成10千兆位以太网，
SONET或串行ATA参考时钟频率
quencies与晶体和输出选用合适的
分频器。该ICS840051I具有出色的相位抖动性能
并封装在一个小型8引脚TSSOP封装，使其成为理想的
在使用电路板空间有限的系统。
ICS
F
Characteristic低频
T
ABLE
输入
晶体频率（MHz ）
20.141601
20.141601
19.53125
19.53125
19.44
19.44
18.75
18.75
FREQ_SEL
0
1
0
1
0
1
0
1
输出频率
（兆赫）
161.132812
80.566406
156.25
78.125
155.52
77.76
15 0
75
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
FREQ_SEL下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDA
OE
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q0
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
GND
FREQ_SEL
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
560MHz-680MHz
0÷ 4 （默认）
1 ÷8
ICS840051I
8引脚TSSOP
4.40毫米X 3.0毫米X 0.925毫米
包体
G封装
顶视图
÷32
（FI固定的）
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
TYPE
动力
输入
输入
输入
动力
描述
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3, 4
5
6
7
8
名字
V
DDA
OE
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
FREQ_SEL
GND
Q0
V
DD
模拟电源引脚。
输出使能引脚。高电平时，输出Q0启用。当低，
上拉
力Q0为HiZ状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3A 。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入，
XTAL_OUT是输出。
下拉频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。请参阅表3B 。
电源接地。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
15
输出阻抗。
核心供电引脚。
产量
动力
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDA
= 3.465V
V
DD
, V
DDA
= 2.625V
测试条件
最低
典型
4
7
7
51
51
15
最大
单位
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3A 。
ONTROL
F
油膏
T
ABLE
控制输入
OE
0
1
产量
Q0
高阻
活跃
T
ABLE
3B 。 FREQ_SEL F
油膏
T
ABLE
控制输入
FRE_SEL
0
1
N分频器
÷4 （默认）
÷8
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
101.7 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
60
10
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
55
10
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
FREQ_SEL
OE
FREQ_SEL
OE
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
-5
-150
2.6
1.8
0.5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
V
输出高电压;注1
V
OL
输出低电压;注1
V
DD
= 3.465V或2.625V
注1 ：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息科
"Output负载测试Circuit"图。
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
测试条件
最低
17.5
典型
基本
21.25
50
7
兆赫
pF
最大
单位
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
155.52MHz ，积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
70
0.48
150
48
500
52
典型
最大
170
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参考相位噪声图。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
155.52MHz ，积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
70
0.50
200
49
600
51
典型
最大
170
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参考相位噪声图。
840051AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年1月14日
集成
电路
系统公司
ICS840051I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL
LOCK
G
enerator
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
155.52MH
Z
(3.3V)
0
-10
-20
-30
-40
-50
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
100
1k
10k
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.48ps （典型值）
原始相位噪声数据
相位噪声加入结果
万兆以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE AT
155.52MH
Z
(2.5V)
-10
-20
-30
-40
-50
万兆以太网过滤器
155.52MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875Mhz到20MHz = 0.50ps （典型值）
0
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-160
-180
-190
100
840051AGI
1k
10k
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
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5
REV 。一2005年1月14日
-170
相位噪声加入结果
万兆以太网过滤原始数据
100k
1M
10M
100M
万兆以太网过滤器
155.52MHz
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