集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
两个LVCMOS输出@ 3.3V ，典型17Ω输出阻抗
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS单端输入
输出频率范围： 46.66MHz - 233.33MHz
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
支持下列输出频率： 212.5MHz ，
159.375MHz ， 156.25MHz ， 106.25MHz和53.125MHz
RMS相位抖动@ 212.5MHz （ 637KHz - 10MHz时） ：
0.83ps （典型值）
在212.5MHz典型相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的............... -91.3 dBc的/赫兹
1KHz的.............. -114.3 dBc的/赫兹
为10KHz .............. -120.7 dBc的/赫兹
100KHz的.............. -120.2 dBc的/赫兹
电源模式：
核心/输出
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
2.5V/2.5V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装，符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840002I是2输出LVCMOS / LVTTL
ICS
合成器优化生成的光纤通道
HiPerClockS
参考时钟的频率，并且是一个构件
在HiPerClocks
TM
家族的高性能
时钟解决方案，从ICS 。采用26.5625MHz
18pF之并联谐振晶体，以下频率可
基础上产生的2个频率选择引脚（ F_SEL1 ： 0 ） ：
212.5MHz ， 159.375MHz ， 156.25MHz ， 106.25MHz和
53.125MHz 。该ICS840002I使用ICS “ 3
rd
新一代低相位
噪声的VCO技术，能实现1ps的或低级的典型
RMS相位抖动，轻松满足光纤通道的抖动要求。
该ICS840002I封装在一个16引脚TSSOP封装。
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入频率
（兆赫）
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.04166
输入
F_SEL1
0
0
1
1
0
F_SEL0
0
1
0
1
1
M分频器值
24
24
24
24
24
N分频器值
3
4
6
12
4
M / N比值
8
6
4
2
6
输出频率
（兆赫）
212.5
159.375
106.25
53.125
156.25
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
F_SEL1 ： 0上拉：上拉
nPLL_SEL下拉
nXTAL_SEL
下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
2
F_SEL0
nXTAL_SEL
TEST_CLK
OE
MR
nPLL_SEL
V
DDA
V
DD
Q0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
F_SEL1
GND
GND
Q0
Q1
V
DDO
XTAL_IN
XTAL_OUT
XTAL_IN 26.5625MHz
OSC
XTAL_OUT
TEST_CLK下拉
0
F_SEL1 ： 0
1
相
探测器
00
01
10
11
1
VCO
0
N
÷3
÷4
÷6
÷12
（默认）
ICS840002I
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q1
M = 24 ÷ （固定）
MR
840002AGI
下拉
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一个2005年3月10日
1
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
上拉
下拉
下拉
上拉
下拉
描述
频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
晶体或TEST_CLK投入作为PLL的参考与选择
源。当HIGH ，选择TEST_CLK 。当低，选择XTAL
输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端LVCMOS / LVTTL时钟输入。
输出使能引脚。高电平时，输出有效。当低时，
输出处于高阻抗状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
重置导致激活输出端变为低电平。当逻辑低电平时，内部
分频器和输出被使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
PLL旁路。当低电平时，输出从该VCO输出驱动。
高电平时， PLL被旁路，输出频率=
参考时钟频率/ N输出分频器。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1,
16
2
3
4
5
名字
F_SEL0,
F_SEL1
nXTAL_SEL
TEST_CLK
OE
MR
6
7
8
9,
10
11
12, 13
14, 15
nPLL_SEL
V
DDA
V
DD
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
V
DDO
Q1, Q0
GND
输入
动力
动力
输入
动力
产量
动力
下拉
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
3.3V±5%
2.5V±5%
14
16
测试条件
最低
典型
4
8
51
51
17
21
21
25
最大
单位
pF
pF
kΩ
kΩ
Ω
Ω
T
ABLE
3. F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入频率
（兆赫）
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.04166
F_SEL1
0
0
1
1
0
F_SEL0
0
1
0
1
1
输入
M分频值N分频器值
24
3
24
24
24
24
4
6
12
4
M / N分频值
8
6
4
2
6
输出频率
（兆赫）
212.5
159.375
106.25
53.125
156.25
840002AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一个2005年3月10日
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
2.375
典型
3.3
3.3
3.3
2.5
最大
3.465
3.465
3.465
2.625
100
12
5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
95
12
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
840002AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一个2005年3月10日
3
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%,
OR
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
输入高电压
输入低电压
OE
F_SEL0 ： 1 ， nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
OE
F_SEL0 ： 1 ， nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
测试条件
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V±5%
V
DDO
= 2.5V±5%
V
DDO
= 3.3V或2.5V ± 5％的
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
输入
HIGH CURRENT
I
IL
输入
低电流
-150
-5
2.6
1.8
0.5
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，输出负载测试电路。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
测试条件
最低
典型
26.5625
50
7
最大
单位
兆赫
Ω
pF
基本
840002AGI
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4
REV 。一个2005年3月10日
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
F_SEL [1： 0] = 11
最低
186.67
140
93.33
46.67
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
12
212.5MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
159.375MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
156.25MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
106.25MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
@ 53.125MHz积分范围：
637kHz - 10MHz的
20 ％至80％
0.83
0.62
0.59
0.80
0.68
200
700
54
58
单位
兆赫
兆赫
兆赫
MH
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
f
OUT
输出频率范围
t
SK （ O）
输出偏斜;注： 1 ， 3
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注2
t
R
/ t
F
ODC
输出上升/下降时间
输出占空比
F_SEL [1 ：0]的
≠
00
46
F_SEL [1： 0] = 00
42
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
f
OUT
输出频率范围
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
F_SEL [1： 0] = 11
最低
186.67
140
93.33
46.67
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
12
212.5MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
159.375MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
156.25MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
106.25MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
@ 53.125MHz积分范围：
637kHz - 10MHz的
20 ％至80％
0.73
0.62
0.56
0.76
0.72
200
700
54
58
单位
兆赫
兆赫
兆赫
MH
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
输出偏斜;注： 1 ， 3
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注2
t
R
/ t
F
ODC
输出上升/下降时间
输出占空比
F_SEL [1 ：0]的
≠
00
46
F_SEL [1： 0] = 00
42
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
840002AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一个2005年3月10日
5
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
两个LVCMOS输出@ 3.3V ，典型17Ω输出阻抗
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS单端输入
输出频率范围： 46.66MHz - 233.33MHz
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
支持下列输出频率： 212.5MHz ，
159.375MHz ， 156.25MHz ， 106.25MHz和53.125MHz
RMS相位抖动@ 212.5MHz （ 637KHz - 10MHz时） ：
0.83ps （典型值）
在212.5MHz典型相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的............... -91.3 dBc的/赫兹
1KHz的.............. -114.3 dBc的/赫兹
为10KHz .............. -120.7 dBc的/赫兹
100KHz的.............. -120.2 dBc的/赫兹
电源模式：
核心/输出
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
2.5V/2.5V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装，符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840002I是2输出LVCMOS / LVTTL
ICS
合成器优化生成的光纤通道
HiPerClockS
参考时钟的频率，并且是一个构件
在HiPerClocks
TM
家族的高性能
时钟解决方案，从ICS 。采用26.5625MHz
18pF之并联谐振晶体，以下频率可
基础上产生的2个频率选择引脚（ F_SEL1 ： 0 ） ：
212.5MHz ， 159.375MHz ， 156.25MHz ， 106.25MHz和
53.125MHz 。该ICS840002I使用ICS “ 3
rd
新一代低相位
噪声的VCO技术，能实现1ps的或低级的典型
RMS相位抖动，轻松满足光纤通道的抖动要求。
该ICS840002I封装在一个16引脚TSSOP封装。
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入频率
（兆赫）
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.04166
输入
F_SEL1
0
0
1
1
0
F_SEL0
0
1
0
1
1
M分频器值
24
24
24
24
24
N分频器值
3
4
6
12
4
M / N比值
8
6
4
2
6
输出频率
（兆赫）
212.5
159.375
106.25
53.125
156.25
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
F_SEL1 ： 0上拉：上拉
nPLL_SEL下拉
nXTAL_SEL
下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
2
F_SEL0
nXTAL_SEL
TEST_CLK
OE
MR
nPLL_SEL
V
DDA
V
DD
Q0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
F_SEL1
GND
GND
Q0
Q1
V
DDO
XTAL_IN
XTAL_OUT
XTAL_IN 26.5625MHz
OSC
XTAL_OUT
TEST_CLK下拉
0
F_SEL1 ： 0
1
相
探测器
00
01
10
11
1
VCO
0
N
÷3
÷4
÷6
÷12
（默认）
ICS840002I
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q1
M = 24 ÷ （固定）
MR
840002AGI
下拉
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一个2005年3月10日
1
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
上拉
下拉
下拉
上拉
下拉
描述
频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
晶体或TEST_CLK投入作为PLL的参考与选择
源。当HIGH ，选择TEST_CLK 。当低，选择XTAL
输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端LVCMOS / LVTTL时钟输入。
输出使能引脚。高电平时，输出有效。当低时，
输出处于高阻抗状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
重置导致激活输出端变为低电平。当逻辑低电平时，内部
分频器和输出被使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
PLL旁路。当低电平时，输出从该VCO输出驱动。
高电平时， PLL被旁路，输出频率=
参考时钟频率/ N输出分频器。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1,
16
2
3
4
5
名字
F_SEL0,
F_SEL1
nXTAL_SEL
TEST_CLK
OE
MR
6
7
8
9,
10
11
12, 13
14, 15
nPLL_SEL
V
DDA
V
DD
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
V
DDO
Q1, Q0
GND
输入
动力
动力
输入
动力
产量
动力
下拉
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
3.3V±5%
2.5V±5%
14
16
测试条件
最低
典型
4
8
51
51
17
21
21
25
最大
单位
pF
pF
kΩ
kΩ
Ω
Ω
T
ABLE
3. F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入频率
（兆赫）
26.5625
26.5625
26.5625
26.5625
26.04166
F_SEL1
0
0
1
1
0
F_SEL0
0
1
0
1
1
输入
M分频值N分频器值
24
3
24
24
24
24
4
6
12
4
M / N分频值
8
6
4
2
6
输出频率
（兆赫）
212.5
159.375
106.25
53.125
156.25
840002AGI
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2
REV 。一个2005年3月10日
集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
2.375
典型
3.3
3.3
3.3
2.5
最大
3.465
3.465
3.465
2.625
100
12
5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
95
12
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
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集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%,
OR
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
输入高电压
输入低电压
OE
F_SEL0 ： 1 ， nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
OE
F_SEL0 ： 1 ， nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
测试条件
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
V
DD
= 3.465V
V
DD
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V±5%
V
DDO
= 2.5V±5%
V
DDO
= 3.3V或2.5V ± 5％的
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
I
IH
输入
HIGH CURRENT
I
IL
输入
低电流
-150
-5
2.6
1.8
0.5
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，输出负载测试电路。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
测试条件
最低
典型
26.5625
50
7
最大
单位
兆赫
Ω
pF
基本
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集成
电路
系统公司
ICS840002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
F_SEL [1： 0] = 11
最低
186.67
140
93.33
46.67
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
12
212.5MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
159.375MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
156.25MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
106.25MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
@ 53.125MHz积分范围：
637kHz - 10MHz的
20 ％至80％
0.83
0.62
0.59
0.80
0.68
200
700
54
58
单位
兆赫
兆赫
兆赫
MH
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
f
OUT
输出频率范围
t
SK （ O）
输出偏斜;注： 1 ， 3
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注2
t
R
/ t
F
ODC
输出上升/下降时间
输出占空比
F_SEL [1 ：0]的
≠
00
46
F_SEL [1： 0] = 00
42
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
测试条件
F_SEL [1： 0] = 00
f
OUT
输出频率范围
F_SEL [1： 0] = 01
F_SEL [1：0 ] = 10
F_SEL [1： 0] = 11
最低
186.67
140
93.33
46.67
典型
最大
226.67
170
113.33
56.67
12
212.5MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
159.375MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
156.25MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
106.25MHz @积分范围：
637kHz - 10MHz的
@ 53.125MHz积分范围：
637kHz - 10MHz的
20 ％至80％
0.73
0.62
0.56
0.76
0.72
200
700
54
58
单位
兆赫
兆赫
兆赫
MH
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
输出偏斜;注： 1 ， 3
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注2
t
R
/ t
F
ODC
输出上升/下降时间
输出占空比
F_SEL [1 ：0]的
≠
00
46
F_SEL [1： 0] = 00
42
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：请参考相位噪声图。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
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