初步
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS
扇出缓冲器
ICS83908I-02
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83908I -02是一种低歪斜，高性能
1至8晶振/ 3.3V LVCMOS到3.3V
HiPerClockS
LVCMOS扇出缓冲器和的一员
HiPerClocks 系列高性能时钟
来自IDT的解决方案。该ICS83908I -02具有可选择
单端时钟或两个晶体振荡器的输入。有一个
输出允许将它们放置在一个高禁止输出
阻抗状态。
F
EATURES
八LVCMOS / LVTTL输出
（ 19Ω典型的输出阻抗）
两个晶体振荡器输入对
一路LVCMOS / LVTTL时钟输入
晶振输入frequencry范围： 10MHz的 - 40MHz的
输出频率为200MHz （典型值） CLK0
输出偏斜：待定
部分之间的偏斜：待定
RMS相位抖动@ 25MHz的（ 100Hz的 - 1MHz的） ：
0.22ps （典型值）V
DD
= V
DDO
= 3.3V
OFFSET
噪声功率
100Hz的............. -111.4 dBc的/赫兹
1kHz时............. -139.9 dBc的/赫兹
10kHz的............. -157.3 dBc的/赫兹
100kHz的............. -157.5 dBc的/赫兹
电源电压模式：
（核心/输出）
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
3.3V/1.8V
2.5V/2.5V
2.5V/1.8V
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性使
在ICS83908I -02非常适合那些要求苛刻的应用程序以及
定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
CLK_SEL0
上拉
下拉
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
CLK_SEL1下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
XTAL_IN0
OSC
0 0
Q0
XTAL_OUT0
V
DD
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
V
DDO
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
DDO
CLK_SEL0
CLK0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
XTAL_IN1
XTAL_OUT1
V
DDO
Q7
Q6
GND
Q5
Q4
V
DDO
CLK_SEL1
OE
XTAL_IN1
ICS83908I-02
OSC
0 1
8 LVCMOS输出
XTAL_OUT1
Q7
CLK0
下拉
24引脚， 173 - MIL TSSOP
4.4毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
体包
G封装
顶视图
1 0
1 1
本文提供的初步信息代表了在预生产的产物。著名的特点是基于最初的产品特性
和/或资格。集成设备技术公司（ IDT ）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
1
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
ICS83908I-02
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS扇出缓冲器
初步
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3
4, 10, 15, 21
5, 6, 8,
9, 16, 17,
19, 20
7, 18, 24
11,
14
12
名字
V
DD
XTAL_IN0,
XTAL_OUT0
V
DDO
Q0, Q1, Q2,
Q3, Q4, Q5,
Q6, Q7
GND
CLK_SEL0,
CLK_SEL1
CLK0
动力
输入
动力
产量
动力
TYPE
描述
核心供电引脚。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN0是输入。
XTAL_OUT0是输出。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
时钟选择输入。见表3 ，输入参考函数表。
输入下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
输入下拉单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。低电平时，输出为高阻态。
13
OE
输入
上拉
高电平时，输出有效。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN1是输入。
XTAL_OUT1,
22, 23
输入
XTAL_OUT1是输出。
XTAL_IN1
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
测试条件
最低
典型
4
51
51
7
7
6
19
21
32
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. I
NPUT
R
指南
F
油膏
T
ABLE
控制输入
CLK_SEL1
CLK_SEL0
0
0
0
1
1
1
0
1
参考
XTAL0 （默认）
XTAL1
CLK0
CLK0
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
2
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
ICS83908I-02
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS扇出缓冲器
初步
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
84.6 ℃/ W（ 0 MPS ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
25
0
0
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
25
0
0
最大
3.465
2.625
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
25
0
0
最大
3.465
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
15
0
0
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
mA
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
3
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
ICS83908I-02
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS扇出缓冲器
初步
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
15
0
0
最大
2.625
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
CLK0,
CLK_SEL0 ： 1
OE
CLK0,
CLK_SEL0 ： 1
OE
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出安高压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
-5
-150
2.6
1.8
1.2
0.6
0.5
0. 4
最低
2.2
1.6
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.9
150
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡/切割模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型的最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
4
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
ICS83908I-02
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS扇出缓冲器
初步
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
W /外部
输出频率XTAL
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
测试条件
最低
10
20 0
2
待定
待定
为25MHz ， （ 100Hz的 - 1MHz的）
20 ％至80％
0.22
457
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
W /外部
输出频率XTAL
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
测试条件
最低
10
20 0
2.2
待定
待定
为25MHz ， （ 100Hz的 - 1MHz的）
20 ％至80％
0.21
463
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
5
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
QQ：2881677436 复制
