初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
6 LVCMOS / LVTTL输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 10MHz至50MHz的
晶振输入频率范围： 10MHz至50MHz的
输出偏斜： 10马力（典型值）
5V容限的使能输入
同步输出使
工作电源模式：完全3.3V，2.5V和1.8V ，
混合3.3Vcore / 2.5V or1.8V工作电源，并
混合2.5V核心/ 1.8V工作电源
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
无铅封装，完全符合RoHS标准
引脚兼容MPC905
可根据要求提供正式版
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83905是一种低歪斜， 1至6 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS83905单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS / LVTTL输出设计
驱动50Ω串联或并联端接的传输线。
有效的扇出可以从6增加到12通过利用
输出来驱动两个串联的能力，终止线。
ICS
该ICS83905的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供电模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS83905非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
BCLK0
XTAL_OUT
启用2
GND
BCLK0
V
DD
o
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
启用1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905
BCLK3
BCLK4
启用1
16引脚SOIC
3.9毫米X 9.9毫米X 1.38毫米体封装
M Pacakge
顶视图
同步
BCLK5
ICS83905
16引脚TSSOP
4.4毫米X 3.0毫米X 0.92毫米体封装
摹Pacakge
顶视图
XTAL_OUT
ENABLE2
ENABLE1
XTAL_IN
启用2
同步
GND
GND
BCLK0
V
DDO
BCLK1
1
2
20 19 18 17 16
ICS83905
15
nc
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
GND
20引脚VFQFN
14
采用4mm x 4mm X 0.9毫米
3
体包13
4
套餐
12
5
6
GND
顶视图
7
GND
11
BCLK3
8
BCLK2
9 10
V
DD
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
描述
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
输出使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
核心供电引脚。
输出电源引脚。
无连接。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
名字
XTAL_OUT
XTAL_IN
ENABLE 1 ， ENABLE2
BCLK0 ， BCLK1 ， BCLK2 ，
BCLK3 ， BCLK4 ， BCLK5
GND
V
DD
V
DDO
N / C
输入
输入
产量
动力
动力
动力
未使用
产量
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
5
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
12
最大
单位
pF
pF
pF
pF
T
ABLE
3. O
安输出
E
NABLE
控制输入
启用1
0
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
输出
BCLK0 ： BCLK4
低
低
切换
切换
BCLK5
低
切换
低
切换
启用2
0
1
0
1
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
78.8 ℃/ W（ 0 MPS ）
89℃ / W （ 0 LFPM ）
38.5 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
16引脚SOIC封装
16引脚TSSOP封装
20铅VFQFN包
贮藏温度，T
英镑
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
待定
待定
最大
3.465
3.465
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
待定
待定
最大
2.625
2.625
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
待定
待定
最大
2.0
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
待定
待定
最大
3.465
2.625
单位
V
V
A
A
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
待定
待定
最大
3.465
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
待定
待定
最大
2.625
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
ENABLE1,
ENABLE2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
ENABLE1,
ENABLE2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
使用外部晶振
使用外部时钟源
高（ 2V以上） ;注1
最小典型最大单位
10
DC
0.5T
T =周期
0.5T
0.5T
0.5T
T =所需周期
待定
10
20 ％至80％
启用1
启用2
500
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ps
ps
ms
ms
ms
ms
db
°
50
100
兆赫
兆赫
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
输出频率
t
PW
输出脉冲宽度
低（低于0.8V ） ，注2
高（ 2V以上） ;注1
低（低于0.8V ） ，注2
t
每
输出周期
输出偏斜;注3 ， 5
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注4
t
SK （ O）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
A
OSC
相
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
XTAL_IN到XTAL_OUT振荡器增益
环路相移模360 ° +
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：假设从推荐工作Conditons表输入占空比规格得到满足。
注2 ：假设外部晶体或50％的占空比使用外部参考电压。
注3 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
ODC
t
每
输出频率
输出占空比
输出周期
输出偏斜;注3 ， 5
输出上升/下降时间
输出使能时间; ENABLE 1
注4
启用2
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
XTAL_IN到XTAL_OUT振荡器增益
环路相移模360 ° +
20 ％至80％
使用外部晶振
使用外部时钟源
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
50
待定
10
500
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ps
ps
ms
ms
ms
ms
db
°
50
100
兆赫
兆赫
%
t
SK （ O）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
A
OSC
相
看到表5A笔记。
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
83905AM
REV 。一2005年1月20日
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO -
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
ICS83905
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83905是一种低歪斜， 1至6 LVCMOS / LVTTL
扇出缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
家庭由IDT高性能时钟解决方案。
低阻抗LVCMOS / LVTTL输出是否变形
签约驱动50Ω串联或并联终止
传输线。有效的扇出由6增加
到12通过利用该输出来驱动两个系列的能力
终止线。
F
EATURES
六LVCMOS / LVTTL输出
输出能够驱动12个串联端接线路
晶体振荡器接口
晶振输入频率范围： 10MHz至40MHz的
输出偏斜： 80ps （最大）
RMS相位抖动@ 25MHz的， （为100Hz - 1MHz的） ：
0.26ps （典型值） （V
DD
= V
DDO
= 2.5V)
相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的............. -129.7 dBc的/赫兹
1kHz时............. -144.4 dBc的/赫兹
10kHz的............. -147.3 dBc的/赫兹
100kHz的............. -157.3 dBc的/赫兹
5V容限的使能输入
同步输出使
操作电源模式：
全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V核心/ 2.5V输出工作电源，
混合3.3V核心/ 1.8V输出工作电源，
混合2.5V核心/ 1.8V输出工作电源
15
14
13
12
11
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
GND
IC
S
该ICS83905的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供电模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS83905非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
P
IN
A
SSIGNMENTS
XTAL_OUT
启用2
启用1
XTAL_IN
nc
20 19 18 17 16
ICS83905
20引脚VFQFN
采用4mm x 4mm X 0.9毫米
体包
GND
GND
BCLK0
V
DDO
BCLK1
1
2
3
4
5
6
GND
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
套餐
顶视图
7
GND
8
BCLK2
9 10
BCLK3
V
DD
B
LOCK
D
IAGRAM
BCLK0
XTAL_OUT
启用2
GND
BCLK0
V
DD
o
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
启用1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905
16引脚SOIC
3.9毫米X 9.9毫米X 1.38毫米体
包
M Pacakge
顶视图
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米体
包
摹Pacakge
顶视图
BCLK3
BCLK4
启用1
同步
BCLK5
启用2
同步
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
1
ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日
ICS83905
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
名字
XTAL_OUT
XTAL_IN
ENABLE 1 ，启用2
BCLK0 ， BCLK1 ， BCLK2 ，
BCLK3 ， BCLK4 ， BCLK5
GND
V
DD
V
DDO
N / C
输入
输入
产量
动力
动力
动力
未使用
TYPE
产量
描述
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
时钟使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
核心供电引脚。
输出电源引脚。
无连接。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
控制输入
启用1
0
0
1
1
启用2
0
1
0
1
低
低
切换
切换
输出
BCLK0 ： BCLK4
BCLK5
低
切换
低
切换
BCLK5
BCLK0 ： 4
ENABLE2
ENABLE1
F
IGURE
1. E
NABLE
T
即时通信
D
IAGRAM
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
2
ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日
ICS83905
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
16引脚SOIC封装
78.8 ℃/ W（ 0 MPS ）
16引脚TSSOP封装
89℃ / W （ 0 LFPM ）
20铅VFQFN包
60.4 ℃/ W（ 0 MPS ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
5
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
8
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
5
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
4
单位
V
V
mA
mA
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
3
ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日
ICS83905
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 ： 2 = 00
ENABLE 1 ： 2 = 00
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
8
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
启用1 ，
启用2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
启用1 ，
启用2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DDO
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型
基本
40
50
7
1
兆赫
Ω
pF
mW
最大
单位
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
4
ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日
ICS83905
低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
使用外部晶振
f
最大
O DC
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2： 4
RMS相位抖动（随机）
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注3
启用1
启用2
@ 25MHz的（整合
范围： 100Hz的- 1MHz的）
20 ％至80％
200
0.13
800
4
4
4
4
使用外部时钟
资料来源;注1
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
48
40
100
52
80
兆赫
兆赫
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
输出禁止时间; ENABLE 1
注3
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 ： XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
使用外部晶振
f
最大
O DC
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2： 5
RMS相位抖动（随机） ;注3
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注4
启用1
启用2
@ 25MHz的（整合
范围： 100Hz的- 1MHz的）
20 ％至80％
200
0.26
800
4
4
4
4
使用外部时钟
资料来源;注1
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
47
40
100
53
80
兆赫
兆赫
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 ： XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：请参考相位噪声图。
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
5
ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
6 LVCMOS / LVTTL输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 10MHz至50MHz的
晶振输入频率范围： 10MHz至50MHz的
输出偏斜： 10马力（典型值）
5V容限的使能输入
同步输出使
工作电源模式：完全3.3V，2.5V和1.8V ，
混合3.3Vcore / 2.5V or1.8V工作电源，并
混合2.5V核心/ 1.8V工作电源
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
无铅封装，完全符合RoHS标准
引脚兼容MPC905
可根据要求提供正式版
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83905是一种低歪斜， 1至6 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS83905单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS / LVTTL输出设计
驱动50Ω串联或并联端接的传输线。
有效的扇出可以从6增加到12通过利用
输出来驱动两个串联的能力，终止线。
ICS
该ICS83905的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供电模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS83905非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
BCLK0
XTAL_OUT
启用2
GND
BCLK0
V
DD
o
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
启用1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905
BCLK3
BCLK4
启用1
16引脚SOIC
3.9毫米X 9.9毫米X 1.38毫米体封装
M Pacakge
顶视图
同步
BCLK5
ICS83905
16引脚TSSOP
4.4毫米X 3.0毫米X 0.92毫米体封装
摹Pacakge
顶视图
XTAL_OUT
ENABLE2
ENABLE1
XTAL_IN
启用2
同步
GND
GND
BCLK0
V
DDO
BCLK1
1
2
20 19 18 17 16
ICS83905
15
nc
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
GND
20引脚VFQFN
14
采用4mm x 4mm X 0.9毫米
3
体包13
4
套餐
12
5
6
GND
顶视图
7
GND
11
BCLK3
8
BCLK2
9 10
V
DD
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
描述
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
输出使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
核心供电引脚。
输出电源引脚。
无连接。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
名字
XTAL_OUT
XTAL_IN
ENABLE 1 ， ENABLE2
BCLK0 ， BCLK1 ， BCLK2 ，
BCLK3 ， BCLK4 ， BCLK5
GND
V
DD
V
DDO
N / C
输入
输入
产量
动力
动力
动力
未使用
产量
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
5
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
12
最大
单位
pF
pF
pF
pF
T
ABLE
3. O
安输出
E
NABLE
控制输入
启用1
0
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
输出
BCLK0 ： BCLK4
低
低
切换
切换
BCLK5
低
切换
低
切换
启用2
0
1
0
1
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
78.8 ℃/ W（ 0 MPS ）
89℃ / W （ 0 LFPM ）
38.5 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
16引脚SOIC封装
16引脚TSSOP封装
20铅VFQFN包
贮藏温度，T
英镑
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
待定
待定
最大
3.465
3.465
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
待定
待定
最大
2.625
2.625
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
待定
待定
最大
2.0
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
待定
待定
最大
3.465
2.625
单位
V
V
A
A
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
待定
待定
最大
3.465
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
待定
待定
最大
2.625
2.0
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
ENABLE1,
ENABLE2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
ENABLE1,
ENABLE2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年1月20日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
使用外部晶振
使用外部时钟源
高（ 2V以上） ;注1
最小典型最大单位
10
DC
0.5T
T =周期
0.5T
0.5T
0.5T
T =所需周期
待定
10
20 ％至80％
启用1
启用2
500
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ps
ps
ms
ms
ms
ms
db
°
50
100
兆赫
兆赫
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
输出频率
t
PW
输出脉冲宽度
低（低于0.8V ） ，注2
高（ 2V以上） ;注1
低（低于0.8V ） ，注2
t
每
输出周期
输出偏斜;注3 ， 5
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注4
t
SK （ O）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
A
OSC
相
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
XTAL_IN到XTAL_OUT振荡器增益
环路相移模360 ° +
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：假设从推荐工作Conditons表输入占空比规格得到满足。
注2 ：假设外部晶体或50％的占空比使用外部参考电压。
注3 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
ODC
t
每
输出频率
输出占空比
输出周期
输出偏斜;注3 ， 5
输出上升/下降时间
输出使能时间; ENABLE 1
注4
启用2
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
XTAL_IN到XTAL_OUT振荡器增益
环路相移模360 ° +
20 ％至80％
使用外部晶振
使用外部时钟源
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
50
待定
10
500
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ps
ps
ms
ms
ms
ms
db
°
50
100
兆赫
兆赫
%
t
SK （ O）
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
A
OSC
相
看到表5A笔记。
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
83905AM
REV 。一2005年1月20日
QQ：2880707522 复制
