【低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO -LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器ICS83】,IC型号ICS83905AGLFT,ICS83905AGLFT PDF资料,ICS83905AGLFT经销商,ic,电子元器件-51电子网

低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO -

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905

ENERAL

ESCRIPTION

该ICS83905是一种低歪斜， 1至6 LVCMOS / LVTTL

扇出缓冲器和HiPerClockS的成员

HiPerClockS

家庭由IDT高性能时钟解决方案。

低阻抗LVCMOS / LVTTL输出是否变形

签约驱动50Ω串联或并联终止

传输线。有效的扇出由6增加

到12通过利用该输出来驱动两个系列的能力

终止线。

EATURES

六LVCMOS / LVTTL输出

输出能够驱动12个串联端接线路

晶体振荡器接口

晶振输入频率范围： 10MHz至40MHz的

输出偏斜： 80ps （最大）

RMS相位抖动@ 25MHz的，（为100Hz - 1MHz的）：

0.26ps （典型值）（V

= V

DDO

= 2.5V)

相位噪声：

OFFSET

噪声功率

100Hz的............. -129.7 dBc的/赫兹

1kHz时............. -144.4 dBc的/赫兹

10kHz的............. -147.3 dBc的/赫兹

100kHz的............. -157.3 dBc的/赫兹

5V容限的使能输入

同步输出使

操作电源模式：

全3.3V ， 2.5V和1.8V ，

混合3.3V核心/ 2.5V输出工作电源，

混合3.3V核心/ 1.8V输出工作电源，

混合2.5V核心/ 1.8V输出工作电源

BCLK5

DDO

BCLK4

GND

该ICS83905的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，

混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作

供电模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜

Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得

ICS83905非常适用于高性能，单端应用

系统蒸发散，也需要限制输出电压。

SSIGNMENTS

XTAL_OUT

启用2

启用1

XTAL_IN

20 19 18 17 16

ICS83905

20引脚VFQFN

采用4mm x 4mm X 0.9毫米

体包

GND

BCLK0

DDO

BCLK1

GND

0 ° C至70 ° C的环境工作温度

可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）

套餐

顶视图

GND

BCLK2

9 10

BCLK3

LOCK

IAGRAM

BCLK0

XTAL_OUT

启用2

GND

BCLK0

BCLK1

GND

BCLK2

XTAL_IN

启用1

BCLK5

DDO

BCLK4

GND

BCLK3

BCLK1

XTAL_IN

BCLK2

XTAL_OUT

ICS83905

16引脚SOIC

3.9毫米X 9.9毫米X 1.38毫米体

包

M Pacakge

顶视图

16引脚TSSOP

4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米体

包

摹Pacakge

顶视图

BCLK3

BCLK4

启用1

同步

BCLK5

启用2

同步

IDT

/ ICS

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日

ICS83905

低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ABLE

1. P

ESCRIPTIONS

名字

XTAL_OUT

XTAL_IN

ENABLE 1 ，启用2

BCLK0 ， BCLK1 ， BCLK2 ，

BCLK3 ， BCLK4 ， BCLK5

GND

DDO

N / C

输入

产量

动力

未使用

TYPE

产量

描述

CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。

CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。

时钟使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。

时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。

电源接地。

核心供电引脚。

输出电源引脚。

无连接。

ABLE

2. P

极特

符号

参数

输入电容

功率耗散电容

（每路输出）

DDO

= 3.465V

DDO

= 2.625V

DDO

= 2V

DDO

= 3.3V ± 5%

OUT

输出阻抗

DDO

= 2.5V ± 5%

DDO

= 1.8V ± 0.2V

测试条件

最低

典型

最大

单位

ABLE

3. C

LOCK

NABLE

油膏

ABLE

控制输入

启用1

启用2

低

切换

输出

BCLK0 ： BCLK4

BCLK5

低

切换

低

切换

BCLK5

BCLK0 ： 4

ENABLE2

ENABLE1

IGURE

1. E

NABLE

即时通信

IAGRAM

IDT

/ ICS

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日

ICS83905

低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

BSOLUTE

AXIMUM

ATINGS

电源电压，V

输入，V

产出，V

4.6V

-0.5V到V

+ 0.5 V

-0.5V到V

DDO

+ 0.5V

注：如果运行条件超出绝对下上市

最大额定值可能会造成永久性损坏

装置。这些评价只强调规范。 OP-功能

产品的关合作在这些条件下或超出任何条件

在这些上市

DC特性

AC特性

不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前

往往还会影响产品的可靠性。

封装的热阻抗，

16引脚SOIC封装

78.8 ℃/ W（ 0 MPS ）

16引脚TSSOP封装

89℃ / W （ 0 LFPM ）

20铅VFQFN包

60.4 ℃/ W（ 0 MPS ）

贮藏温度，T

英镑

-65 ℃150 ℃的

ABLE

4A 。 P

OWER

UPPLY

极特

= V

DDO

= 3.3V ±5％，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

3.135

典型

3.3

最大

3.465

单位

ABLE

4B 。 P

OWER

UPPLY

极特

= V

DDO

= 2.5V ±5％，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

2.375

典型

2.5

最大

2.625

单位

ABLE

4C 。 P

OWER

UPPLY

极特

= V

DDO

= 1.8V ± 0.2V ，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

1.6

典型

1.8

最大

2.0

单位

ABLE

4D 。 P

OWER

UPPLY

极特

= 3.3V±5%, V

DDO

= 2.5V ±5％，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

3.135

2.375

典型

3.3

2.5

最大

3.465

2.625

单位

IDT

/ ICS

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日

ICS83905

低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ABLE

4E 。 P

OWER

UPPLY

极特

= 3.3V±5%, V

DDO

= 1.8V ± 0.2V ，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

3.135

1.6

典型

3.3

1.8

最大

3.465

2.0

单位

ABLE

4F 。 P

OWER

UPPLY

极特

= 2.5V±5%, V

DDO

= 1.8V ± 0.2V ，T

= 0°C

70°C

符号

DDO

参数

核心供电电压

输出电源电压

电源电流

输出电源电流

ENABLE 1 ： 2 = 00

测试条件

最低

2.375

1.6

典型

2.5

1.8

最大

2.625

2.0

单位

ABLE

4G 。 LVCMOS / LVTTL DC

极特

= 0°C

70°C

符号

参数

输入高电压

启用1 ，

启用2

测试条件

= 3.3V ± 5%

= 2.5V ± 5%

= 1.8V ± 0.2V

输入低电压

启用1 ，

启用2

= 3.3V ± 5%

= 2.5V ± 5%

= 1.8V ± 0.2V

DDO

= 3.3V ±5％ ;注1

输出高电压

DDO

= 2.5V ±5％ ;我

= -1mA

DDO

= 2.5V ±5％ ;注1

DDO

= 1.8V ±0.2V ;注1

DDO

= 3.3V ±5％ ;注1

输出低电压

DDO

= 2.5V ±5％ ;我

= 1毫安

DDO

= 2.5V ±5％ ;注1

DDO

= 1.8V ±0.2V ;注1

最低

1.7

0.65*V

-0.3

2.6

1.8

DDO

- 0.3

0.5

0.4

0.45

0.35

典型

最大

+ 0.3

0.8

0.7

0.35*V

单位

注1 ：输出端接50

到V

DDO

/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。

ABLE

5. C

RYSTAL

极特

参数

振荡模式

频率

等效串联电阻（ESR ）

旁路电容

驱动电平

测试条件

最低

典型

基本

兆赫

最大

单位

IDT

/ ICS

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日

ICS83905

低偏移， 1 ： 6 CRYSTAL - TO- LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ABLE

6A 。 AC - C

极特

= V

DDO

= 3.3V ±5％，T

= 0°C

70°C

符号参数

使用外部晶振

最大

O DC

SK （ O）

JIT （ φ ）

DIS

输出频率

输出占空比

输出偏斜;注2： 4

RMS相位抖动（随机）

输出上升/下降时间

输出使能时间;

注3

启用1

启用2

@ 25MHz的（整合

范围： 100Hz的- 1MHz的）

20 ％至80％

200

0.13

800

使用外部时钟

资料来源;注1

测试条件

最小典型最大单位

100

兆赫

周期

输出禁止时间; ENABLE 1

注3

启用2

在所有参数测量

≤

最大

使用晶体输入除非另有说明。

终止于50

到V

DDO

/2.

注1 ： XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。

注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V

DDO

/2.

注3 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。

注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。

ABLE

6B 。 AC - C

极特

= V

DDO

= 2.5V ±5％，T

= 0°C

70°C

符号参数

使用外部晶振

最大

O DC

SK （ O）

JIT （ φ ）

DIS

输出频率

输出占空比

输出偏斜;注2： 5

RMS相位抖动（随机） ;注3

输出上升/下降时间

输出使能时间;

注4

启用1

启用2

@ 25MHz的（整合

范围： 100Hz的- 1MHz的）

20 ％至80％

200

0.26

800

使用外部时钟

资料来源;注1

测试条件

最小典型最大单位

100

兆赫

周期

输出禁止时间; ENABLE 1

注4

启用2

在所有参数测量

≤

最大

使用晶体输入除非另有说明。

终止于50

到V

DDO

/2.

注1 ： XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。

注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V

DDO

/2.

注3 ：请参考相位噪声图。

注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。

注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。

IDT

/ ICS

LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器

ICS83905AM REV 。 B 2007年7月9日