初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
四LVCMOS / LVTTL输出，
典型19Ω输出阻抗
两个晶体振荡器输入对
一路LVCMOS / LVTTL时钟输入
晶振输入frequencry范围： 10MHz的 - 40MHz的
输出频率为200MHz （典型值）
输出偏斜：待定
部分之间的偏斜：待定
RMS相位抖动@ 25MHz的输出，使用25MHz晶体
（ 100Hz的 - 1MHz的） ： 0.16ps （典型值） @ V
DD
= V
DDO
= 3.3V
在25MHz的 RMS相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的.............. -118.4 dBc的/赫兹
1kHz时.............. -141.5 dBc的/赫兹
10kHz的.............. -157.2 dBc的/赫兹
100kHz的.............. -157.2 dBc的/赫兹
电源电压模式：
（核心/输出）
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
3.3V/1.8V
2.5V/2.5V
2.5V/1.8V
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可根据要求提供工业级温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83904-02是一个低偏移，高perfor-
曼斯1至4晶体振荡器/晶体用于─
HiPerClockS
LVCMOS扇出缓冲器和的一员
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS83904-02有
可选择单端时钟或两个晶体振荡器的输入。
有一个输出使能以将它们放置到禁止输出
成高阻抗状态。
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性
使ICS83904-02适合那些要求苛刻的应用
明确定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
CLK_SEL0
上拉
下拉
CLK_SEL1下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
OSC
0 0
Q0
CLK_SEL0
XTAL_OUT0
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1
XTAL_OUT1
CLK_SEL1
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DDO
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
DDO
OE
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
XTAL_IN1
ICS83904-02
OSC
0 1
4 LVCMOS输出
XTAL_OUT1
Q3
CLK
下拉
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
1 0
1 1
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年7月8日
1
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
输入
输入
动力
输入
输入
输入
动力
产量
动力
描述
时钟选择输入。见表3 ，输入参考函数表。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN0是输入。
XTAL_OUT0是输出。
核心供电引脚。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN1是输入。
XTAL_OUT1是输出。
下拉单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。低电平时，输出为高阻态。
上拉
高电平时，输出有效。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 7
2, 3
4
5, 6
8
9
10, 16
11, 12, 14, 15
13
名字
CLK_SEL0,
CLK_SEL1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1,
XTAL_OUT1
CLK
OE
V
DDO
Q3, Q2, Q1, Q0
GN
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2.0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
测试条件
最低
典型
4
51
51
8
7
7
19
待定
待定
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. I
NPUT
R
指南
F
油膏
T
ABLE
控制输入
CLK_SEL1
CLK_SEL0
0
0
0
1
1
1
0
1
参考
XTAL0 （默认）
XTAL1
CLK
CLK
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
28
50
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
28
33
最大
3.465
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
29
25
最大
3.465
2.0
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
15
41
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
83904AG-02
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
15
32
最大
2.625
2.0
单位
V
V
mA
mA
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年7月8日
3
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
-5
-150
2.6
1.8
1. 5
0.5
0.5
0. 4
最低
2.0
1.7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
150
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出安高压
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡/切割模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型的最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
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初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
W /外部XTAL
最低
10
200
1.8
待定
待定
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
0.16
420
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
MH
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
输出频率
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
输出频率
W /外部XTAL
测试条件
最低
10
200
2
待定
待定
0.16
440
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
MH
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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5
低偏移， 1到4 ，水晶- TO-
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
ICS83904-02
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83904-02是一个低偏移，高perfor-
曼斯1至4晶体振荡器/晶体到LVCMOS
HiPerClockS
扇出缓冲器和HiPerClockS的成员
家庭由IDT高性能时钟解决方案。
该ICS83904-02具有可选择的单端时钟
两个晶体振荡器的输入。有一个输出使能，以
将它们放置在一个高阻抗状态禁止输出。
F
EATURES
四LVCMOS / LVTTL输出，
典型19Ω输出阻抗
@ V
DD
= V
DDO
= 3.3V
两个晶体振荡器输入对
一路LVCMOS / LVTTL时钟输入
晶振输入frequencry范围： 12MHz的 - 38.88MHz
输出频率： 200MHz的（最大）
输出偏斜： 40ps的（最大）
@ V
DD
= V
DDO
= 3.3V
RMS相位抖动@ 25MHz的输出，使用25MHz晶体
（ 100Hz的 - 1MHz的） ： 0.16ps （典型值） @ V
DD
= V
DDO
= 3.3V
在25MHz的 RMS相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的............. -118.4 dBc的/赫兹
1kHz时............. -141.5 dBc的/赫兹
10kHz的............. -157.2 dBc的/赫兹
100kHz的............. -157.2 dBc的/赫兹
电源电压模式：
（核心/输出）
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
3.3V/1.8V
2.5V/2.5V
2.5V/1.8V
IC
S
保证出力和参数T-以标准杆吨偏斜特性
使ICS83904-02非常适合这些应用需求 -
荷兰国际集团明确定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
CLK_SEL0
上拉
下拉
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
CLK_SEL1下拉
XTAL_IN0
P
IN
A
SSIGNMENT
OSC
0 0
Q0
CLK_SEL0
XTAL_OUT0
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1
XTAL_OUT1
CLK_SEL1
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DDO
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
DDO
OE
XTAL_OUT0
Q1
XTAL_IN1
OSC
0 1
Q2
XTAL_OUT1
ICS83904-02
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
CLK
下拉
1 0
1 1
Q3
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
1
ICS83904AG -02 REV 。一个2007年9月12日
ICS83904-02
低偏移， 1到4 ，水晶-TO - LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 7
2, 3
4
5, 6
8
9
10, 16
11, 12, 14, 15
13
名字
CLK_SEL0,
CLK_SEL1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1,
XTAL_OUT1
CLK
OE
V
DDO
Q3, Q2, Q1, Q0
GN
TYPE
输入
输入
动力
输入
输入
输入
动力
产量
动力
描述
时钟选择输入。见表3 ，输入参考函数表。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN0是输入。
XTAL_OUT0是输出。
正电源引脚。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN1是输入。
XTAL_OUT1是输出。
下拉单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。低电平时，输出为高阻态。
上拉
高电平时，输出有效。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2.0V
V
DDO
= 3.3V
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V
V
DDO
= 1.8V
测试条件
最低
典型
4
51
51
8
7
7
19
21
32
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. I
NPUT
R
指南
F
油膏
T
ABLE
控制输入
CLK_SEL1
CLK_SEL0
0
0
0
1
1
1
0
1
参考
XTAL0 （默认）
XTAL1
CLK
CLK
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
2
ICS83904AG -02 REV 。一个2007年9月12日
ICS83904-02
低偏移， 1到4 ，水晶-TO - LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
贮藏温度，T
英镑
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
100.3 ℃/ W（ 0 MPS ）
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载& XTALx选择@ 12MHz的
选择无负载& CLK
选择无负载& CLK
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3. 3
最大
3.465
3.465
7
1
1
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载& XTALx选择@ 12MHz的
选择无负载& CLK
选择无负载& CLK
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
7
1
1
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载& XTALx选择@ 12MHz的
选择无负载& CLK
选择无负载& CLK
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
7
1
1
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载& XTALx选择@ 12MHz的
选择无负载& CLK
选择无负载& CLK
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
3
1
1
单位
V
V
mA
mA
mA
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
3
ICS83904AG -02 REV 。一个2007年9月12日
ICS83904-02
低偏移， 1到4 ，水晶-TO - LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载& XTALx选择@ 12MHz的
选择无负载& CLK
选择无负载& CLK
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
3
1
1
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4F 。 DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出安高压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
-5
-150
2.6
1.8
1.2
0.6
0.5
0. 4
最低
2.2
1.6
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.9
150
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
12
测试条件
最低
典型的最大
38.88
50
7
1
单位
MH
Ω
pF
mW
基本
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
4
ICS83904AG -02 REV 。一个2007年9月12日
ICS83904-02
低偏移， 1到4 ，水晶-TO - LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
产量
占空比
W /外部XTAL
W /外部CLK
< 150MHz的
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
输出频率
W /外部XTAL
测试条件
最低
12
典型
最大
38.88
200
1.4
1.9
2. 4
40
700
0.16
100
45
46
800
55
54
10
10
单位
兆赫
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
ns
ns
输出使能时间;注5：
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
产量
占空比
W /外部XTAL
W /外部CLK
< 150MHz的
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
输出频率
W /外部XTAL
测试条件
最低
12
典型
最大
38.88
200
1.5
2. 0
2.5
40
700
0.16
100
45
46
800
55
54
10
10
单位
兆赫
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
ns
ns
输出使能时间;注5：
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
IDT
/ ICS
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器
5
ICS83904AG -02 REV 。一个2007年9月12日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
四LVCMOS / LVTTL输出，
典型19Ω输出阻抗
两个晶体振荡器输入对
一路LVCMOS / LVTTL时钟输入
晶振输入frequencry范围： 10MHz的 - 40MHz的
输出频率为200MHz （典型值）
输出偏斜：待定
部分之间的偏斜：待定
RMS相位抖动@ 25MHz的输出，使用25MHz晶体
（ 100Hz的 - 1MHz的） ： 0.16ps （典型值） @ V
DD
= V
DDO
= 3.3V
在25MHz的 RMS相位噪声：
OFFSET
噪声功率
100Hz的.............. -118.4 dBc的/赫兹
1kHz时.............. -141.5 dBc的/赫兹
10kHz的.............. -157.2 dBc的/赫兹
100kHz的.............. -157.2 dBc的/赫兹
电源电压模式：
（核心/输出）
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
3.3V/1.8V
2.5V/2.5V
2.5V/1.8V
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可根据要求提供工业级温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83904-02是一个低偏移，高perfor-
曼斯1至4晶体振荡器/晶体用于─
HiPerClockS
LVCMOS扇出缓冲器和的一员
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS83904-02有
可选择单端时钟或两个晶体振荡器的输入。
有一个输出使能以将它们放置到禁止输出
成高阻抗状态。
ICS
保证输出部分，以部分偏移特性
使ICS83904-02适合那些要求苛刻的应用
明确定义的性能和可重复性。
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
CLK_SEL0
上拉
下拉
CLK_SEL1下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
OSC
0 0
Q0
CLK_SEL0
XTAL_OUT0
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1
XTAL_OUT1
CLK_SEL1
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DDO
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
DDO
OE
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
XTAL_IN1
ICS83904-02
OSC
0 1
4 LVCMOS输出
XTAL_OUT1
Q3
CLK
下拉
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
1 0
1 1
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年7月8日
1
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
输入
输入
动力
输入
输入
输入
动力
产量
动力
描述
时钟选择输入。见表3 ，输入参考函数表。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN0是输入。
XTAL_OUT0是输出。
核心供电引脚。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN1是输入。
XTAL_OUT1是输出。
下拉单端时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。低电平时，输出为高阻态。
上拉
高电平时，输出有效。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 7
2, 3
4
5, 6
8
9
10, 16
11, 12, 14, 15
13
名字
CLK_SEL0,
CLK_SEL1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
V
DD
XTAL_IN1,
XTAL_OUT1
CLK
OE
V
DDO
Q3, Q2, Q1, Q0
GN
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2.0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
测试条件
最低
典型
4
51
51
8
7
7
19
待定
待定
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. I
NPUT
R
指南
F
油膏
T
ABLE
控制输入
CLK_SEL1
CLK_SEL0
0
0
0
1
1
1
0
1
参考
XTAL0 （默认）
XTAL1
CLK
CLK
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年7月8日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
28
50
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
28
33
最大
3.465
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
29
25
最大
3.465
2.0
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
15
41
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
83904AG-02
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
15
32
最大
2.625
2.0
单位
V
V
mA
mA
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年7月8日
3
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
CLK ，
CLK_SEL0 ： 1
OE
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
-5
-150
2.6
1.8
1. 5
0.5
0.5
0. 4
最低
2.0
1.7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
150
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出安高压
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡/切割模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型的最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
83904AG-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年7月8日
初步
集成
电路
系统公司
ICS83904-02
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
W /外部XTAL
最低
10
200
1.8
待定
待定
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
0.16
420
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
MH
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
输出频率
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
W /外部CLK
传输延迟低到高;
注1
输出偏斜;注2：
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
RMS相位抖动，随机;
注2 ，4-
输出上升/下降时间
输出占空比
输出使能时间;注5：
为25MHz ，集成范围：
100Hz的 - 1MHz的
20 ％至80％
输出频率
W /外部XTAL
测试条件
最低
10
200
2
待定
待定
0.16
440
50
10
8
典型
最大
40
单位
兆赫
MH
ns
ps
ps
ps
ps
%
ns
ns
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
t
EN
输出禁止时间;注5：
t
DIS
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出操作相同的电源电压之间
以同样的负载条件。使用相同类型的输入的每一个设备上，输出测量V
DDO
/2.
注4 ：相位抖动依赖于所使用的输入源。
注5 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
83904AG-02
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REV 。一2005年7月8日
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