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低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
ICS83210
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83210是一种低歪斜, 1位到10位的HSTL扇出
缓冲区和HiPerClockS成员系列
HiPerClockS
从IDT高性能时钟解决方案。
II类HSTL输出是平衡的推挽
在设计上,能够提供16毫安成10pF的的
负载。该类允许两个源串联终端和
对称的双并行匹配。
F
EATURES
十大单端HSTL输出
单端HSTL时钟输入
最大输入频率: 150MHz的
输出偏斜: 110ps (最大)
部分到部分歪斜:为2ns (最大值)
1.5V电源
0 ° C至85°C的工作环境温度
可用两个标准( RoHS指令5 )和无铅( RoHS指令6 )
套餐
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
Q1
IN
Q8
Q9
诺埃
下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
32 31 30 29 28 27 26 25
V
DD
GND
V
DD
诺埃
GND
IN
V
DD
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
GND
GND
Q9
V
DD
V
DD
Q8
Q7
GND
32引脚TQFP
采用7mm x 7mm X 1.0毫米包体
Y封装
顶视图
GND
GND
V
DD
V
DD
ICS83210
Q0
Q1
Q2
24
23
22
21
20
19
18
17
GND
Q3
Q4
V
DD
V
DD
Q5
Q6
GND
IDT
/ ICS
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
1
ICS83210AY REV 。一个2007年5月15日
ICS83210
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 3, 7, 12, 13,
20, 21, 28, 29
2, 5, 8, 9, 10,
16, 17, 24, 25,
3 1 , 32
4
名字
V
DD
GND
动力
动力
TYPE
描述
电源引脚。
电源接地。
输出使能/禁止输入引脚。低电平时,输出QX输出
下拉使能。当HIGH , QX输出被禁止低。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
单端参考时钟输入。 HSTL接口电平。
无辰
输入
5
IN
输入
Q9, Q8, Q7,
11, 14, 15,
Q6, Q5, Q4,
产量
单端HSTL时钟输出。
18, 19, 22,
23, 26, 27, 30 Q3, Q2, Q1, Q0
注意:
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
C
OUT
R
OUT
参数
输入电容
输入下拉电阻
输出引脚电容
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
51
4.5
20
6
最大
单位
pF
pF
Ω
IDT
/ ICS
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
2
ICS83210AY REV 。一个2007年5月15日
ICS83210
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
产出,V
O
贮藏温度,T
英镑
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-65 ℃150 ℃的
注:如果运行条件超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件永久性损坏。这些额定
英格斯只强调规范。的精良的功能操作
UCT这些条件或超出所列任何条件
DC特性
or
AC特性
是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗,
θ
JA
75.5 ℃/ W( 0 MPS )
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 1.5V ± 8 % ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
I
DDQ
参数
电源电压
电源电流
静态电源电流
输出负载的62.5MHz @
V
IN
= 0V ,输出禁用
测试条件
最低
1.38
典型
1.5
215
最大
1.62
250
1
单位
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 1.5V ± 8 % ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
诺埃
诺埃
诺埃
诺埃
-5
测试条件
最低
0.7*V
DD
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.3*V
DD
150
单位
V
V
A
A
T
ABLE
3C 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= 1.5V ± 8 % ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
输入高电压
输入低电压
IN
IN
测试条件
V
REF
= 0.75V
I
OH
= -16mA
I
OL
= 16毫安
最低
0.85
-0.3
1.0
-0.3
典型
最大
1.8
0.65
V
DD
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
输出高电压;注1
输出低电压;注1
注1 :输出端接50
Ω
到地面。
IDT
/ ICS
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
3
ICS83210AY REV 。一个2007年5月15日
ICS83210
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 1.5V ± 8 % ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
f
IN
t
PLH
t
PHL
t
SK ( O)
t
SK (PP)的
t
EN
t
DIS
t
R
/ t
F
ODC
参数
输入频率
传输延迟低到高;
注1
传输延时,高至低
注1
输出偏斜;注2: 4
帕吨至帕吨倾斜;注3,注4
输出使能时间
输出禁止时间
输出上升/下降时间
输出占空比
20 %至80%
FOUT
100MHz
250
48
测试条件
最低
典型
最大
150
1.0
1.0
5. 5
5.5
110
2
7
7
1.3
52
55
单位
兆赫
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
%
%
fOUT的> 100MHz的
45
注1 :从V测
DD
输入到V / 2的
DD
输出的/ 2 。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 :定义为扭曲在不同的设备输出,在相同的电源电压下工作的
与在相同温度相等的负载条件。使用相同类型的输入端的每个设备上,
的输出在差分交叉点测定。
注4 :该参数定义符合JEDEC标准65 。
IDT
/ ICS
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
4
ICS83210AY REV 。一个2007年5月15日
ICS83210
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
0.75V±8%
第1部分
V
DD
范围
Qx
Qx
V
DD
2
第2部分
V
DD
HSTL
GND
Qy
2
TSK ( PP)
-0.75V±8%
1.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
V
Qx
DD
V
DD
V
DD
2
V
DD
V
DD
2
tp
HL
2
IN
2
V
Qy
Q0:Q9
DD
2
TSK ( O)
2
tp
LH
O
安输出
S
KEW
P
ROPAGATION
D
ELAY
V
DD
80%
20%
t
R
80%
20%
t
F
Q0:Q9
2
t
PW
t
时钟
输出
ODC =
t
PW
t
x 100%
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
IDT
/ ICS
低偏移, 1到10 HSTL扇出缓冲器
5
ICS83210AY REV 。一个2007年5月15日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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