集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
4 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 200MHz的
输出偏斜： 45ps （最大值3.3V电源）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
3.3V输入，输出可以是3.3V或2.5V电源模式
无铅封装
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8304是一种低歪斜， 1至4扇出
缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8304的特点是在
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和2.5V
输出操作电源模式（V
DDO
） 。保证输出
把杆和T-以标准杆吨歪斜字符istics使
ICS8304适合那些时钟分配应用程序
苛刻的良好定义的性能和可重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q3
Q2
Q1
Q0
Q1
CLK
Q2
ICS8304
8引脚SOIC ， 150Mil
3.9毫米X 4.9毫米， X 1.63毫米包体
男包
顶视图
Q3
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q0
Q1
Q2
Q3
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
51
5
7
12
15
最大
单位
pF
pF
K
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
15
8
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
请参阅附注1
I
OH
= -16mA
I
OH
= -100uA
请参阅附注1
V
OL
输出低电压
I
OL
= 16毫安
I
OL
=为100uA
-5
2.6
2.9
3
0.5
0.25
0.15
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "3.3V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
15
8
单位
V
V
mA
mA
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2
-0.3
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
2.1
0.5
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
OL
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分，
"3.3V / 2.5V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.0
2.0
测试条件
最低
典型
最大
200
3.3
3.4
45
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.3
2.15
测试条件
最低
典型
最大
189.5
3.7
3.55
60
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±5%
2.05V±5%
1.25V±5%
V
DD
,
V
DDO
范围
Qx
V
DD
V
DDO
Qx
范围
LVCMOS
GND
LVCMOS
GND
-1.65V±5%
-1.25V±5%
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
DD
第1部分
Qx
V
DD
Qx
2
2
V
第2部分
Qy
DD
V
DD
Qy
2
t
SK （ O）
2
t
SK （PP）的
O
安输出
S
KEW
70%
30%
t
R
t
F
70%
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
V
Q0:Q3
DDO
2
脉冲宽度
t
期
时钟
输出
30%
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
CLK
V
DD
2
Q0:Q3
V
DDO
2
t
PD
P
ROPAGATION
D
ELAY
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
4 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 200MHz的
输出偏斜： 45ps （最大值3.3V电源）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
3.3V输入，输出可以是3.3V或2.5V电源模式
无铅封装
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8304是一种低歪斜， 1至4扇出
缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8304的特点是在
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和2.5V
输出操作电源模式（V
DDO
） 。保证输出
把杆和T-以标准杆吨歪斜字符istics使
ICS8304适合那些时钟分配应用程序
苛刻的良好定义的性能和可重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q3
Q2
Q1
Q0
Q1
CLK
Q2
ICS8304
8引脚SOIC ， 150Mil
3.9毫米X 4.9毫米， X 1.63毫米包体
男包
顶视图
Q3
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q0
Q1
Q2
Q3
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
51
5
7
12
15
最大
单位
pF
pF
K
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
15
8
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
请参阅附注1
I
OH
= -16mA
I
OH
= -100uA
请参阅附注1
V
OL
输出低电压
I
OL
= 16毫安
I
OL
=为100uA
-5
2.6
2.9
3
0.5
0.25
0.15
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "3.3V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
15
8
单位
V
V
mA
mA
8304AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 F 2004年9月13日
集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2
-0.3
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
2.1
0.5
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
OL
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分，
"3.3V / 2.5V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.0
2.0
测试条件
最低
典型
最大
200
3.3
3.4
45
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.3
2.15
测试条件
最低
典型
最大
189.5
3.7
3.55
60
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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4
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电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±5%
2.05V±5%
1.25V±5%
V
DD
,
V
DDO
范围
Qx
V
DD
V
DDO
Qx
范围
LVCMOS
GND
LVCMOS
GND
-1.65V±5%
-1.25V±5%
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
DD
第1部分
Qx
V
DD
Qx
2
2
V
第2部分
Qy
DD
V
DD
Qy
2
t
SK （ O）
2
t
SK （PP）的
O
安输出
S
KEW
70%
30%
t
R
t
F
70%
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
V
Q0:Q3
DDO
2
脉冲宽度
t
期
时钟
输出
30%
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
CLK
V
DD
2
Q0:Q3
V
DDO
2
t
PD
P
ROPAGATION
D
ELAY
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集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
4 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 200MHz的
输出偏斜： 45ps （最大值3.3V电源）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
3.3V输入，输出可以是3.3V或2.5V电源模式
无铅封装
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8304是一种低歪斜， 1至4扇出
缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8304的特点是在
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和2.5V
输出操作电源模式（V
DDO
） 。保证输出
把杆和T-以标准杆吨歪斜字符istics使
ICS8304适合那些时钟分配应用程序
苛刻的良好定义的性能和可重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q3
Q2
Q1
Q0
Q1
CLK
Q2
ICS8304
8引脚SOIC ， 150Mil
3.9毫米X 4.9毫米， X 1.63毫米包体
男包
顶视图
Q3
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电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q0
Q1
Q2
Q3
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
51
5
7
12
15
最大
单位
pF
pF
K
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2
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电路
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ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
15
8
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
请参阅附注1
I
OH
= -16mA
I
OH
= -100uA
请参阅附注1
V
OL
输出低电压
I
OL
= 16毫安
I
OL
=为100uA
-5
2.6
2.9
3
0.5
0.25
0.15
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "3.3V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
15
8
单位
V
V
mA
mA
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3
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集成
电路
系统公司
ICS8304
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2
-0.3
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
2.1
0.5
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
OL
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分，
"3.3V / 2.5V输出负载测试Circuit" 。
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.0
2.0
测试条件
最低
典型
最大
200
3.3
3.4
45
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
最大输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
≤ 166MHz的
166MHz的< F
≤
189.5MHz
= 133MHz的
2.3
2.15
测试条件
最低
典型
最大
189.5
3.7
3.55
60
500
500
500
60
单位
兆赫
ns
ns
ps
ps
ps
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
f
≤
189.5MHz
40
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±5%
2.05V±5%
1.25V±5%
V
DD
,
V
DDO
范围
Qx
V
DD
V
DDO
Qx
范围
LVCMOS
GND
LVCMOS
GND
-1.65V±5%
-1.25V±5%
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
DD
第1部分
Qx
V
DD
Qx
2
2
V
第2部分
Qy
DD
V
DD
Qy
2
t
SK （ O）
2
t
SK （PP）的
O
安输出
S
KEW
70%
30%
t
R
t
F
70%
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
V
Q0:Q3
DDO
2
脉冲宽度
t
期
时钟
输出
30%
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
CLK
V
DD
2
Q0:Q3
V
DDO
2
t
PD
P
ROPAGATION
D
ELAY
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