集成
电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
2个LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平
最大输出频率： 200MHz的
输出偏斜：为25ps （典型值）
部件到部件歪斜： 250PS （典型值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
全3.3V或3.3V核心， 2.5V电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供无铅封装
可根据要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8302是一种低歪斜， 1至2 LVCMOS
发NOUT B ufferandamemberofthe
HiPerClockS
HiPerClock S系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS8302有
单端时钟输入。单端时钟
输入接受LVCMOS或LVTTL输入电平。该ICS8302
拥有一对LVCMOS / LVTTL输出。该ICS8302是
其特征在于，在充分3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和
2.5V输出工作电源模式（V
DDO
） 。瓜拉尼
开球输出和参数T-以标准杆吨偏移特性使
在ICS8302理想的时钟分配应用需求 -
荷兰国际集团明确定义的性能和重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
CLK
Q1
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q0
GND
V
DDO
Q1
ICS8302
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
8302AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 2004年6月15日
集成
电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6
2
3
4,7
5
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q1
Q0
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入下拉电阻
输出阻抗
5
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
DDO
= 2.625V
测试条件
最低
典型
4
22
16
51
7
12
最大
单位
pF
pF
pF
K
8302AM
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2
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集成
电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
2.6
2.9
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
20 ％至80％
20 ％至80％
≤ 133MHz的
133MHz的<
≤
200MHz
300
300
45
40
≤ 200MHz的
1.9
2.35
25
250
测试条件
最低
典型
最大
200
2.8
85
800
800
800
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
测得的参数在f
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在V测量
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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3
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电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
1.8
2.2
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
20 ％至80％
20 ％至80％
≤ 133MHz的
133MHz的<
≤
200MHz
250
250
45
40
250
≤ 200MHz的
2.3
测试条件
最低
典型
最大
200
3.3
85
800
650
650
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
测得的参数在f
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±5%
2.05V±5% 1.25V±5%
V
DD
,
V
DDO
范围
Qx
V
DD
V
DDO
Qx
范围
LVCMOS
GND
LVCMOS
GND
-1.65V±5%
-1.25V±5%
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
3.3V / 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
第1部分
Qx
V
DD
V
DDO
2
Qx
2
第2部分
Qy
V
DD
V
DDO
2
t
SK （PP）的
Qy
2
t
SK （ O）
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
O
安输出
S
KEW
80%
20%
t
R
80%
CLK
V
DD
2
时钟
输出
20%
t
F
Q0, Q1
t
PD
V
DDO
2
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
V
DDOX
V
DDOX
2
t
PW
t
期
V
DDOX
2
P
ROPAGATION
D
ELAY
Q0, Q1
2
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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电路
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ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
2个LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平
最大输出频率： 200MHz的
输出偏斜：为25ps （典型值）
部件到部件歪斜： 250PS （典型值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
全3.3V或3.3V核心， 2.5V电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供无铅封装
可根据要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8302是一种低歪斜， 1至2 LVCMOS
发NOUT B ufferandamemberofthe
HiPerClockS
HiPerClock S系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS8302有
单端时钟输入。单端时钟
输入接受LVCMOS或LVTTL输入电平。该ICS8302
拥有一对LVCMOS / LVTTL输出。该ICS8302是
其特征在于，在充分3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和
2.5V输出工作电源模式（V
DDO
） 。瓜拉尼
开球输出和参数T-以标准杆吨偏移特性使
在ICS8302理想的时钟分配应用需求 -
荷兰国际集团明确定义的性能和重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
CLK
Q1
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q0
GND
V
DDO
Q1
ICS8302
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
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电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6
2
3
4,7
5
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q1
Q0
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入下拉电阻
输出阻抗
5
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
DDO
= 2.625V
测试条件
最低
典型
4
22
16
51
7
12
最大
单位
pF
pF
pF
K
8302AM
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 2004年6月15日
集成
电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
2.6
2.9
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
20 ％至80％
20 ％至80％
≤ 133MHz的
133MHz的<
≤
200MHz
300
300
45
40
≤ 200MHz的
1.9
2.35
25
250
测试条件
最低
典型
最大
200
2.8
85
800
800
800
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
测得的参数在f
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在V测量
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
1.8
2.2
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
20 ％至80％
20 ％至80％
≤ 133MHz的
133MHz的<
≤
200MHz
250
250
45
40
250
≤ 200MHz的
2.3
测试条件
最低
典型
最大
200
3.3
85
800
650
650
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
测得的参数在f
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
8302AM
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4
REV 。 2004年6月15日
集成
电路
系统公司
ICS8302
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±5%
2.05V±5% 1.25V±5%
V
DD
,
V
DDO
范围
Qx
V
DD
V
DDO
Qx
范围
LVCMOS
GND
LVCMOS
GND
-1.65V±5%
-1.25V±5%
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
3.3V / 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
第1部分
Qx
V
DD
V
DDO
2
Qx
2
第2部分
Qy
V
DD
V
DDO
2
t
SK （PP）的
Qy
2
t
SK （ O）
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
O
安输出
S
KEW
80%
20%
t
R
80%
CLK
V
DD
2
时钟
输出
20%
t
F
Q0, Q1
t
PD
V
DDO
2
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
V
DDOX
V
DDOX
2
t
PW
t
期
V
DDOX
2
P
ROPAGATION
D
ELAY
Q0, Q1
2
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
8302AM
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5
REV 。 2004年6月15日
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