ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
描述
用于与一个外部可牵引的石英
水晶，这种单片集成电路取代更多
昂贵的混合动力（罐头）， VCXO器件。该ICS726是
主要设计用于数据和时钟恢复
应用，例如ADSL调制解调器，机顶盒
接收器，和电信系统。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压VIN引脚。由于VIN是
高阻抗输入端，它可以被直接驱动的
PWM RC积分电路。输出频率增加
与VIN电压输入。可使用范围的VIN是0至
3.3 V.
特点
使用廉价的12至36 MHz的外部晶振
的12 36MHz的输出频率范围
片上VCXO具有± 115的保拉范围
ppm的最小
VCXO的调谐电压0 3.3 V
封装采用6引脚TSOT- 23-6
可在Pb（铅）免费包装
框图
VDD
VIN
X1
12-36MHz
可牵引
水晶
X2
电压
控制
水晶
振荡器
12-36MHz
GND
MDS 726 F
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版112905
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
引脚分配
X2
GND
CLK
1
2
3
6
5
4
X1
六
VDD
牛逼S OT - 2月3日至6日
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
针
名字
X2
GND
CLK
VDD
VIN
XI
针
TYPE
输入
动力
产量
动力
输入
输入
连接到地面。
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
VCXO的CMOS电平的时钟输出，在所说的晶体的频率。
连接到+ 3.3V （ 0.01uF的去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO - 0 3.3 V模拟输入用于控制
VCXO的振荡频率。
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
MDS 726 F
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版112905
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
外部元件的选择
该ICS726需要外部的最小数量
组件正常工作。
不需要晶体参数：
标称频率
按要求兆赫
在25初始精度
°
C
-20分钟/ + 20最大ppm的
温度稳定性
-30分/ + 30 ppm的最高
老龄化，第一年
-5分/ + 5 ppm的最大
衰老10年
-20分钟/ + 20最大ppm的
工作温度。 ，℃
0分/ + 25 （典型值） / + 70最大
or
工作温度。范围° C -40分钟/ + 25 （典型值） / + 85最大
负载电容
10 pF的
并联电容C0
7 pF的最大
C0 / C1比
270最大
等效串联电阻
35
最大
水晶和所有马刺队的第三个泛音模式
必须从3×基本>100 ppm的遥远
共振具有10 pF的物理负荷进行测量。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS726 。应之间没有通孔
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。请参阅应用笔记MAN05 。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
VDD （引脚4 ）和GND之间（ 2脚） ，接近
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线（ CLK ，
销3）和所述负荷超过1英寸，系列终止
应该被使用。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗）放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
石英晶体
该ICS726 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS726带有片上
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS726被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为14
pF的。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。需要对这些电容器
在系统原型评估被确定，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
MDS 726 F
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版112905
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS726永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
MDS 726 F
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版112905
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
输出= 12 MHz时，
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
5
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability ，
注2
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期
最大输出
抖动，短期
符号
F
O
F
P
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 ± 1 V ，注1
分钟。
12
±115
典型值。
MAX 。单位
36
兆赫
PPM
140
0.8
0.8
40
50
100
1.5
1.5
60
PPM / V
ns
ns
%
ps
t
OR
t
OF
t
D
t
J
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
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SOT- 23 VCXO
描述
用于与一个外部可牵引的石英
水晶，这种单片集成电路取代更多
昂贵的混合动力（罐头）， VCXO器件。该ICS726是
主要设计用于数据和时钟恢复
应用，例如ADSL调制解调器，机顶盒
接收器，和电信系统。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压VIN引脚。由于VIN是
高阻抗输入端，它可以被直接驱动的
PWM RC积分电路。输出频率增加
与VIN电压输入。可使用范围的VIN是0至
3.3 V.
特点
使用廉价的12至36 MHz的外部晶振
的12 36MHz的输出频率范围
片上VCXO具有± 115的保拉范围
ppm的最小
VCXO的调谐电压0 3.3 V
封装采用6引脚TSOT- 23-6
可在Pb（铅）免费包装
框图
VDD
VIN
X1
12-36MHz
可牵引
水晶
X2
电压
控制
水晶
振荡器
12-36MHz
GND
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●
1
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TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
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SOT- 23 VCXO
引脚分配
X2
GND
CLK
1
2
3
6
5
4
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六
VDD
牛逼S OT - 2月3日至6日
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
针
名字
X2
GND
CLK
VDD
VIN
XI
针
TYPE
输入
动力
产量
动力
输入
输入
连接到地面。
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
VCXO的CMOS电平的时钟输出，在所说的晶体的频率。
连接到+ 3.3V （ 0.01uF的去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO - 0 3.3 V模拟输入用于控制
VCXO的振荡频率。
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
MDS 726 F
在TE碎电路系统
●
2
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●
修订版112905
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●
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ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
外部元件的选择
该ICS726需要外部的最小数量
组件正常工作。
不需要晶体参数：
标称频率
按要求兆赫
在25初始精度
°
C
-20分钟/ + 20最大ppm的
温度稳定性
-30分/ + 30 ppm的最高
老龄化，第一年
-5分/ + 5 ppm的最大
衰老10年
-20分钟/ + 20最大ppm的
工作温度。 ，℃
0分/ + 25 （典型值） / + 70最大
or
工作温度。范围° C -40分钟/ + 25 （典型值） / + 85最大
负载电容
10 pF的
并联电容C0
7 pF的最大
C0 / C1比
270最大
等效串联电阻
35
最大
水晶和所有马刺队的第三个泛音模式
必须从3×基本>100 ppm的遥远
共振具有10 pF的物理负荷进行测量。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS726 。应之间没有通孔
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。请参阅应用笔记MAN05 。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
VDD （引脚4 ）和GND之间（ 2脚） ，接近
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线（ CLK ，
销3）和所述负荷超过1英寸，系列终止
应该被使用。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗）放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
石英晶体
该ICS726 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS726带有片上
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS726被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为14
pF的。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。需要对这些电容器
在系统原型评估被确定，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
MDS 726 F
在TE碎电路系统
●
3
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●
修订版112905
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS726永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
MDS 726 F
在TE碎电路系统
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4
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●
修订版112905
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●
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ICS726
12
TO
36 MH
Z
SOT- 23 VCXO
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
输出= 12 MHz时，
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
5
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability ，
注2
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期
最大输出
抖动，短期
符号
F
O
F
P
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 ± 1 V ，注1
分钟。
12
±115
典型值。
MAX 。单位
36
兆赫
PPM
140
0.8
0.8
40
50
100
1.5
1.5
60
PPM / V
ns
ns
%
ps
t
OR
t
OF
t
D
t
J
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
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