ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
描述
该ICS722是一种低成本，低抖动，高性能
3.3伏VCXO设计来取代昂贵的分立
压控石英振荡器模块。片上压控
晶体振荡器接受0至3.3 V输入电压
引起的输出时钟通过在± 100ppm的变化。
使用ICS的专利VCXO技术，设备
使用在一个廉价的外部可牵引的晶体
16.2 28兆赫范围内产生VCXO输出
以相同的频率的时钟。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。因为
VIN为高阻抗输入，它可以直接驱动
从PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 3.3 V.
ICS制造机顶盒的最大的品种
和多媒体时钟合成器的所有应用程序。
咨询ICS消除压控石英振荡器，晶体，
振荡器从您的电路板。
特点
封装采用8引脚SOIC
16.2 MHz到28 MHz的工作频率范围
使用廉价的外部晶振
芯片专利VCXO与230 ppm的范围拉
（最小）
0 VCXO的调谐电压为3.3 V
3.3 V工作电压
在TTL电平12毫安输出驱动能力
先进的低功率，亚微米CMOS工艺
框图
VDD
VIN
X1
16.2-28MHz
可牵引
水晶X2
电压
控制
水晶
振荡器
16.2-28MHz时钟
（ REFOUT ）
GND
MDS 722
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版121404
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
引脚分配
X1
VDD
VIN
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
X2
DC
DC
REFOUT
ICS722
8引脚（ 150 mil）的SOIC
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
VDD
VIN
GND
REFOUT
DC
DC
X2
针
TYPE
输入
动力
输入
动力
产量
—
—
输入
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01μF去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO 。零至3.3 V信号控制
VCXO频率。
连接到地面。
VCXO， CMOS电平时钟输出的标称频率相匹配
晶体。
不要以任何方式连接到该引脚。
不要以任何方式连接到该引脚。
水晶连接。连接到一个外部可牵引晶体。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
外部元件的选择
该ICS722需要外部的最小数量
组件正常工作。
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS722被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为
14 pF的。
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
去耦电容
0.01μF的去耦电容应连接
VDD和GND插针2和4尽量靠近之间
ICS722越好。对于最佳的器件性能，
去耦电容应安装在
PCB的元件面。避免使用过孔
去耦电路。
系列终端电阻
当时钟的输出和之间的PCB迹线
负荷超过1英寸，应使用一系列终止。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS722 。应该通过之间的不
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。请参阅应用笔记MAN05 。
石英晶体
该ICS722 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体的振荡频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS722带有片上
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器是
在系统原型评估确定的，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS722永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
–
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
6
±50
0
3.3
mA
mA
V
MDS 722
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期
最大输出
抖动，短期
符号
F
O
F
P
t
OR
t
OF
t
D
t
J
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 + 1 V ，注1
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
分钟。
16.2
+ 115
典型值。
MAX 。单位
28
兆赫
PPM
PPM / V
1.5
1.5
ns
ns
%
ps
120
40
50
110
60
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热阻结到外壳
标识图（ ICS722M ）
8
5
标识图（ ICS722MLF ）
8
5
ICS722M
######
YYWW
1
4
722MLF
######
YYWW
1
4
注意事项：
1. ######是批号。
2. YYWW是年份和星期的最后两位数字，该部件被组装起来。
3. “ LF ”表示Pb（铅）无铅封装。
4.底部标记： （原点）
产地=国家，如果没有美国。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
5
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
描述
该ICS722是一种低成本，低抖动，高性能
3.3伏VCXO设计来取代昂贵的分立
压控石英振荡器模块。片上压控
晶体振荡器接受0至3.3 V输入电压
引起的输出时钟通过在± 100ppm的变化。
使用ICS的专利VCXO技术，设备
使用在一个廉价的外部可牵引的晶体
16.2 28兆赫范围内产生VCXO输出
以相同的频率的时钟。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。因为
VIN为高阻抗输入，它可以直接驱动
从PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 3.3 V.
ICS制造机顶盒的最大的品种
和多媒体时钟合成器的所有应用程序。
咨询ICS消除压控石英振荡器，晶体，
振荡器从您的电路板。
特点
封装采用8引脚SOIC
16.2 MHz到28 MHz的工作频率范围
使用廉价的外部晶振
芯片专利VCXO与230 ppm的范围拉
（最小）
0 VCXO的调谐电压为3.3 V
3.3 V工作电压
在TTL电平12毫安输出驱动能力
先进的低功率，亚微米CMOS工艺
框图
VDD
VIN
X1
16.2-28MHz
可牵引
水晶X2
电压
控制
水晶
振荡器
16.2-28MHz时钟
（ REFOUT ）
GND
MDS 722
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版121404
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
引脚分配
X1
VDD
VIN
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
X2
DC
DC
REFOUT
ICS722
8引脚（ 150 mil）的SOIC
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
VDD
VIN
GND
REFOUT
DC
DC
X2
针
TYPE
输入
动力
输入
动力
产量
—
—
输入
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01μF去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO 。零至3.3 V信号控制
VCXO频率。
连接到地面。
VCXO， CMOS电平时钟输出的标称频率相匹配
晶体。
不要以任何方式连接到该引脚。
不要以任何方式连接到该引脚。
水晶连接。连接到一个外部可牵引晶体。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
外部元件的选择
该ICS722需要外部的最小数量
组件正常工作。
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS722被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为
14 pF的。
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
去耦电容
0.01μF的去耦电容应连接
VDD和GND插针2和4尽量靠近之间
ICS722越好。对于最佳的器件性能，
去耦电容应安装在
PCB的元件面。避免使用过孔
去耦电路。
系列终端电阻
当时钟的输出和之间的PCB迹线
负荷超过1英寸，应使用一系列终止。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS722 。应该通过之间的不
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。请参阅应用笔记MAN05 。
石英晶体
该ICS722 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体的振荡频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS722带有片上
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器是
在系统原型评估确定的，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS722永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
–
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
6
±50
0
3.3
mA
mA
V
MDS 722
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS722
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期
最大输出
抖动，短期
符号
F
O
F
P
t
OR
t
OF
t
D
t
J
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 + 1 V ，注1
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
分钟。
16.2
+ 115
典型值。
MAX 。单位
28
兆赫
PPM
PPM / V
1.5
1.5
ns
ns
%
ps
120
40
50
110
60
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热阻结到外壳
标识图（ ICS722M ）
8
5
标识图（ ICS722MLF ）
8
5
ICS722M
######
YYWW
1
4
722MLF
######
YYWW
1
4
注意事项：
1. ######是批号。
2. YYWW是年份和星期的最后两位数字，该部件被组装起来。
3. “ LF ”表示Pb（铅）无铅封装。
4.底部标记： （原点）
产地=国家，如果没有美国。
MDS 722
在TE碎电路系统
●
5
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版121404
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
