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ICS7152
扩频时钟发生器
描述
该ICS7152-01 , -02 , -11和-12的时钟
发电机的EMI (电磁干扰)
减少(参见下面的频率范围和
乘数比率) 。频谱峰值可以通过衰减
稍微调节振荡频率。双双下跌
与中心扩散曲线是可选的。中心
蔓延保持一个平均频率等于一个
未扩展时钟。流传下来的最大满足
频规格在整个modualtion周期。
特点
3.3 V的工作电压± 0.3 V
封装采用8引脚SOIC
16.6至134.0 MHz的输入频率范围
16.6到134.0 MHz输出频率范围
提供了一种扩展频谱时钟输出( ±0.5% ,
± 1.5 %中心蔓延; -1.0 % , -3.0 %下调价差)
先进的低功耗CMOS工艺
提供工业级温度范围
可在Pb(铅)免费包装
框图
VDD
SEL
频率
XENS
XIN
PLL时钟
合成
和传播
SPECTRUM
电路
时钟缓冲器/
水晶
振子的
CKOUT
XOUT
与晶体所需的外部帽
在时钟的精确调谐
GND
产品阵容
产品
输入频率范围
调制类型
调制使能引脚
ICS7152M -01 , ICS7152MI -01
ICS7152M -02, ICS7152MI -02
ICS7152M -11, ICS7152MI -11
ICS7152M -12, ICS7152MI -12
16.6 MHz到67 MHz的
40.0 MHz至134.0 MHz的
16.6 MHz至67.0 MHz的
40.0 MHz至134.0 MHz的
流传下来
是的
传播中心
MDS 7152 ê
集成电路系统公司
1
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
修订版012306
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS7152
扩频时钟发生器
引脚分配
XIN
XOUT
GND
SEL
1
2
3
4
8
7
6
5
8引脚( 150 mil)的SOIC
XENS
频率
VDD
CKOUT
SEL调制速率设置表
SEL
引脚4
(note1)
传播
方向
传播
百分比( % )
产品型号
0
中心
±0.5
-1.0
±1.5
-3.0
1
中心
ICS7152M-11,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-02
ICS7152M-11,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-02
调制使能设置表
XENS
引脚8
0
1
扩频
ON
关闭
频率设定表
频率
7针
频率
0
16.6 40兆赫
40至80 MHz
1
33至67兆赫
66至134兆赫
ICS7152M-01,
ICS7152M-11
ICS7152M-02,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-11
ICS7152M-02,
ICS7152M-12
引脚说明
名字
PIN TYPE
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
XIN
XOUT
GND
SEL
CKOUT
VDD
频率
XENS
输入
产量
动力
输入
产量
动力
输入
产量
晶体谐振器连接端子/时钟输入引脚。
晶体谐振器连接端子。
连接到地面。
调制速率设置引脚。
调制时钟输出引脚。
连接至+3.3 V.
频率设定引脚。
调制使设置引脚。
MDS 7152 ê
集成电路系统公司
2
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
修订版012306
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS7152
扩频时钟发生器
外部元件
该ICS7152需要外部的最小数量
组件正常工作。
水晶资讯
使用应该是基本模式的晶体,
并联谐振。水晶电容应
从销X1连接到地和X2接地,以
优化的初始精度。这些价值
电容由下式给出以下等式:
水晶帽(PF ) = (C
L
- 6) x 2
在该方程中,C
L
是晶体的负载电容。所以,
与16 pF负载电容的晶体,两个20 pF的
〔 ( 16-6 ) ×2〕电容器应该被使用。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
GND和VDD引脚6 ,尽可能靠近该引脚为间
可能。对于最佳的器件性能,该
去耦电容应安装在
PCB的元件面。避免使用过孔
去耦电路。
系列终端电阻
串联终端应使用的时钟输出。
以系列终止50Ω迹(常用
走线阻抗)放置一个27Ω的电阻串联
时钟线,尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
25.
扩频简介
该ICS7152低EMI时钟发生器采用了三角
最佳下游调频简介
零延迟缓冲器跟踪等PLL器件。
频率调制振幅是恒定的
输入频率的变化。
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS7152 。这包括信号线刚
该装置的下面,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
频率
调制速率
时间
MDS 7152 ê
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3
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ICS7152
扩频时钟发生器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7152永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出(参考GND )
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
过冲(V
Iover
)
冲(V
IUNDER
)
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
-40至+ 125°C
260°C
VDD + 1.0 V (T
过度
< 50纳秒)最大
GND - 1.0 V (T
< 50纳秒)分
过冲/下冲
t
< 50纳秒
V
Iover
& LT ; V
DD
+ 1.0 V
V
DD
GND
V
IUNDER
< GND - 1.0 V
输入引脚
t
过度
< 50纳秒
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
-40
+3.0
典型值。
3.3
马克斯。
+85
3.6
单位
°C
V
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ICS7152
扩频时钟发生器
DC电气特性
除非另有说明,否则
VDD = 3.3 V± 0.3 V ,
环境温度-40 + 85°C
参数
工作电压
电源电流
输入高电压
符号
VDD
国际直拨电话
V
IH
条件
无负载,在3.3 V
SEL ,频率, XENS
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 16.6到100
兆赫
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 100 134
兆赫
分钟。
3.0
VDD ×0.8
VDD ×0.8
典型值。
3.3
14
马克斯。
3.6
28
VDD + 0.3
VDD + 0.3
单位
V
mA
V
V
VDD ×0.9
VDD + 0.3
V
输入低电压
V
IL
SEL ,频率, XENS
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 16.6到100
兆赫
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 100 134
兆赫
GND
GND
VDD X 0.20
VDD X 0.20
V
V
GND
VDD X 0.10
V
输出高电压
输出低电压
输入电容
V
OH
V
OL
C
IN
CKOUT ,我
OH
= -4毫安
CKOUT ,我
OL
= 4毫安
XIN , SEL , XENS
CKOUT , 16.6 67
兆赫
VDD - 0.5
GND
VDD
0.4
16
15
10
7
25
V
V
pF
pF
pF
pF
负载电容
C
L
CKOUT , 67至100
兆赫
CKOUT , 100 134
兆赫
输出阻抗
Z
O
CKOUT , 16.6至134
兆赫
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ICS7152
扩频时钟发生器
描述
该ICS7152-01 , -02 , -11和-12的时钟
发电机的EMI (电磁干扰)
减少(参见下面的频率范围和
乘数比率) 。频谱峰值可以通过衰减
稍微调节振荡频率。双双下跌
与中心扩散曲线是可选的。中心
蔓延保持一个平均频率等于一个
未扩展时钟。流传下来的最大满足
频规格在整个modualtion周期。
特点
3.3 V的工作电压± 0.3 V
封装采用8引脚SOIC
16.6至134.0 MHz的输入频率范围
16.6到134.0 MHz输出频率范围
提供了一种扩展频谱时钟输出( ±0.5% ,
± 1.5 %中心蔓延; -1.0 % , -3.0 %下调价差)
先进的低功耗CMOS工艺
提供工业级温度范围
可在Pb(铅)免费包装
框图
VDD
SEL
频率
XENS
XIN
PLL时钟
合成
和传播
SPECTRUM
电路
时钟缓冲器/
水晶
振子的
CKOUT
XOUT
与晶体所需的外部帽
在时钟的精确调谐
GND
产品阵容
产品
输入频率范围
调制类型
调制使能引脚
ICS7152M -01 , ICS7152MI -01
ICS7152M -02, ICS7152MI -02
ICS7152M -11, ICS7152MI -11
ICS7152M -12, ICS7152MI -12
16.6 MHz到67 MHz的
40.0 MHz至134.0 MHz的
16.6 MHz至67.0 MHz的
40.0 MHz至134.0 MHz的
流传下来
是的
传播中心
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扩频时钟发生器
引脚分配
XIN
XOUT
GND
SEL
1
2
3
4
8
7
6
5
8引脚( 150 mil)的SOIC
XENS
频率
VDD
CKOUT
SEL调制速率设置表
SEL
引脚4
(note1)
传播
方向
传播
百分比( % )
产品型号
0
中心
±0.5
-1.0
±1.5
-3.0
1
中心
ICS7152M-11,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-02
ICS7152M-11,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-02
调制使能设置表
XENS
引脚8
0
1
扩频
ON
关闭
频率设定表
频率
7针
频率
0
16.6 40兆赫
40至80 MHz
1
33至67兆赫
66至134兆赫
ICS7152M-01,
ICS7152M-11
ICS7152M-02,
ICS7152M-12
ICS7152M-01,
ICS7152M-11
ICS7152M-02,
ICS7152M-12
引脚说明
名字
PIN TYPE
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
XIN
XOUT
GND
SEL
CKOUT
VDD
频率
XENS
输入
产量
动力
输入
产量
动力
输入
产量
晶体谐振器连接端子/时钟输入引脚。
晶体谐振器连接端子。
连接到地面。
调制速率设置引脚。
调制时钟输出引脚。
连接至+3.3 V.
频率设定引脚。
调制使设置引脚。
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ICS7152
扩频时钟发生器
外部元件
该ICS7152需要外部的最小数量
组件正常工作。
水晶资讯
使用应该是基本模式的晶体,
并联谐振。水晶电容应
从销X1连接到地和X2接地,以
优化的初始精度。这些价值
电容由下式给出以下等式:
水晶帽(PF ) = (C
L
- 6) x 2
在该方程中,C
L
是晶体的负载电容。所以,
与16 pF负载电容的晶体,两个20 pF的
〔 ( 16-6 ) ×2〕电容器应该被使用。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
GND和VDD引脚6 ,尽可能靠近该引脚为间
可能。对于最佳的器件性能,该
去耦电容应安装在
PCB的元件面。避免使用过孔
去耦电路。
系列终端电阻
串联终端应使用的时钟输出。
以系列终止50Ω迹(常用
走线阻抗)放置一个27Ω的电阻串联
时钟线,尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
25.
扩频简介
该ICS7152低EMI时钟发生器采用了三角
最佳下游调频简介
零延迟缓冲器跟踪等PLL器件。
频率调制振幅是恒定的
输入频率的变化。
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS7152 。这包括信号线刚
该装置的下面,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
频率
调制速率
时间
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ICS7152
扩频时钟发生器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7152永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出(参考GND )
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
过冲(V
Iover
)
冲(V
IUNDER
)
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
-40至+ 125°C
260°C
VDD + 1.0 V (T
过度
< 50纳秒)最大
GND - 1.0 V (T
< 50纳秒)分
过冲/下冲
t
< 50纳秒
V
Iover
& LT ; V
DD
+ 1.0 V
V
DD
GND
V
IUNDER
< GND - 1.0 V
输入引脚
t
过度
< 50纳秒
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
-40
+3.0
典型值。
3.3
马克斯。
+85
3.6
单位
°C
V
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扩频时钟发生器
DC电气特性
除非另有说明,否则
VDD = 3.3 V± 0.3 V ,
环境温度-40 + 85°C
参数
工作电压
电源电流
输入高电压
符号
VDD
国际直拨电话
V
IH
条件
无负载,在3.3 V
SEL ,频率, XENS
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 16.6到100
兆赫
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 100 134
兆赫
分钟。
3.0
VDD ×0.8
VDD ×0.8
典型值。
3.3
14
马克斯。
3.6
28
VDD + 0.3
VDD + 0.3
单位
V
mA
V
V
VDD ×0.9
VDD + 0.3
V
输入低电压
V
IL
SEL ,频率, XENS
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 16.6到100
兆赫
XIN ,输入转换率
3 V / ns的, 100 134
兆赫
GND
GND
VDD X 0.20
VDD X 0.20
V
V
GND
VDD X 0.10
V
输出高电压
输出低电压
输入电容
V
OH
V
OL
C
IN
CKOUT ,我
OH
= -4毫安
CKOUT ,我
OL
= 4毫安
XIN , SEL , XENS
CKOUT , 16.6 67
兆赫
VDD - 0.5
GND
VDD
0.4
16
15
10
7
25
V
V
pF
pF
pF
pF
负载电容
C
L
CKOUT , 67至100
兆赫
CKOUT , 100 134
兆赫
输出阻抗
Z
O
CKOUT , 16.6至134
兆赫
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联系人:刘经理
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