ICS7151A-50
扩频时钟发生器
描述
该ICS7151A -50是用于EMI的时钟发生器
（电磁干扰）的还原。谱
峰是由调制系统时钟衰减
频率。向下或中心蔓延型材
可选。向下传播不会超过最大
频率的未扩展时钟和传播中心
不改变的平均工作频率
该系统
ICS提供了许多其他的时钟计算机和
电脑周边设备。请教ICS当你需要
从主板上取下晶体和振荡器。
特点
3.3 V的工作电压± 0.3 V
封装采用8引脚SOIC
可在Pb（铅）免费包装
16.5 33.4 MHz的输入频率范围
8.3 16.7 MHz输出频率范围
提供了一种扩展频谱时钟输出（ ±0.5％ ，
± 1.5 ％中心蔓延; -1.0 ％ ， -3.0 ％下调价差）
X1 / 2的繁殖率
先进的低功耗CMOS工艺
引脚与富士通MB88151-500兼容
框图
VDD
S1:0
2
ENS
PLL时钟
合成
和传播
SPECTRUM
电路
时钟缓冲器/
水晶
振子的
CKOUT
XIN
XOUT
与晶体所需的外部帽
在时钟的精确调谐
GND
MDS 7151A - 50 A
集成电路系统公司
●
1
525马街，圣何塞，加利福尼亚95126
●
修订版102005
电话：（ 408 ） 297-1201
●
www.icst.com
ICS7151A-50
扩频时钟发生器
外部元件
该ICS7151A -50要求的最小数量
外部元件的正常工作。
迹线正下方的设备，或在相邻层
所采用的设备的接地平面层。
水晶资讯
使用应该是一个基本模式晶体（做
不使用第三个泛音） ，并联谐振。水晶
电容应连接在X1引脚对地
和X2与地优化初始精度。该
这些电容器的值由下式给出
公式：
水晶帽（PF ） = （C
L
- 6) x 2
在该方程中，C
L
是晶体的负载电容。所以，
与16 pF负载电容的晶体，两个20 pF的
〔 （ 16-6 ） ×2〕电容器应该被使用。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
GND和VDD引脚2和7 ，尽量靠近之间
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
串联终端应使用的时钟输出。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗）放置一个27Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
25.
扩频简介
该ICS7151A - 50低EMI时钟发生器采用了
最佳的三角调频简介
零延迟缓冲器和其它下游跟踪
PLL器件。频率调制振幅是
常数与输入频率的变化。
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声，遵循以下原则应该是
观察到。
1） 0.01μF去耦电容应安装
在电路板的元件侧靠近
VDD引脚的位置。无孔应与使用
去耦电容， VDD引脚。 PCB走线
到VDD引脚应保持尽可能的短，以
应在PCB走线通过地面。
2 ）为了减少EMI，在27Ω串联端接电阻
（如果需要的话）应放置在靠近给时钟输出。
3）优化布局之一，在所有组件
电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS7151A -50 。这包括信号
调制速率
频率
时间
MDS 7151A - 50 A
集成电路系统公司
●
3
525马街，圣何塞，加利福尼亚95126
●
修订版102005
电话：（ 408 ） 297-1201
●
www.icst.com
ICS7151A-50
扩频时钟发生器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7151A - 50的永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出（参考GND ）
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
过冲（V
Iover
)
冲（V
IUNDER
)
-0.5至4.0V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
-40至+ 125°C
260°C
VDD + 1.0 V （T
过度
< 50纳秒）
GND - 1.0 V （T
下
< 50纳秒）
过冲/下冲
t
下
< 50纳秒
V
Iover
＆ LT ; V
DD
+ 1.0 V
V
DD
GND
V
IUNDER
< GND - 1.0 V
输入引脚
t
过度
< 50纳秒
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
-40
+3.0
典型值。
3.3
马克斯。
+85
3.6
单位
°C
V
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4
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扩频时钟发生器
描述
该ICS7151A -50是用于EMI的时钟发生器
（电磁干扰）的还原。谱
峰是由调制系统时钟衰减
频率。向下或中心蔓延型材
可选。向下传播不会超过最大
频率的未扩展时钟和传播中心
不改变的平均工作频率
该系统
ICS提供了许多其他的时钟计算机和
电脑周边设备。请教ICS当你需要
从主板上取下晶体和振荡器。
特点
3.3 V的工作电压± 0.3 V
封装采用8引脚SOIC
可在Pb（铅）免费包装
16.5 33.4 MHz的输入频率范围
8.3 16.7 MHz输出频率范围
提供了一种扩展频谱时钟输出（ ±0.5％ ，
± 1.5 ％中心蔓延; -1.0 ％ ， -3.0 ％下调价差）
X1 / 2的繁殖率
先进的低功耗CMOS工艺
引脚与富士通MB88151-500兼容
框图
VDD
S1:0
2
ENS
PLL时钟
合成
和传播
SPECTRUM
电路
时钟缓冲器/
水晶
振子的
CKOUT
XIN
XOUT
与晶体所需的外部帽
在时钟的精确调谐
GND
MDS 7151A - 50 A
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●
1
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●
修订版102005
电话：（ 408 ） 297-1201
●
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ICS7151A-50
扩频时钟发生器
外部元件
该ICS7151A -50要求的最小数量
外部元件的正常工作。
迹线正下方的设备，或在相邻层
所采用的设备的接地平面层。
水晶资讯
使用应该是一个基本模式晶体（做
不使用第三个泛音） ，并联谐振。水晶
电容应连接在X1引脚对地
和X2与地优化初始精度。该
这些电容器的值由下式给出
公式：
水晶帽（PF ） = （C
L
- 6) x 2
在该方程中，C
L
是晶体的负载电容。所以，
与16 pF负载电容的晶体，两个20 pF的
〔 （ 16-6 ） ×2〕电容器应该被使用。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
GND和VDD引脚2和7 ，尽量靠近之间
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
串联终端应使用的时钟输出。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗）放置一个27Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
25.
扩频简介
该ICS7151A - 50低EMI时钟发生器采用了
最佳的三角调频简介
零延迟缓冲器和其它下游跟踪
PLL器件。频率调制振幅是
常数与输入频率的变化。
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声，遵循以下原则应该是
观察到。
1） 0.01μF去耦电容应安装
在电路板的元件侧靠近
VDD引脚的位置。无孔应与使用
去耦电容， VDD引脚。 PCB走线
到VDD引脚应保持尽可能的短，以
应在PCB走线通过地面。
2 ）为了减少EMI，在27Ω串联端接电阻
（如果需要的话）应放置在靠近给时钟输出。
3）优化布局之一，在所有组件
电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS7151A -50 。这包括信号
调制速率
频率
时间
MDS 7151A - 50 A
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●
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电话：（ 408 ） 297-1201
●
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扩频时钟发生器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7151A - 50的永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出（参考GND ）
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
过冲（V
Iover
)
冲（V
IUNDER
)
-0.5至4.0V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
-40至+ 125°C
260°C
VDD + 1.0 V （T
过度
< 50纳秒）
GND - 1.0 V （T
下
< 50纳秒）
过冲/下冲
t
下
< 50纳秒
V
Iover
＆ LT ; V
DD
+ 1.0 V
V
DD
GND
V
IUNDER
< GND - 1.0 V
输入引脚
t
过度
< 50纳秒
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
-40
+3.0
典型值。
3.3
马克斯。
+85
3.6
单位
°C
V
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●
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