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ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
描述
该ICS650-40是一个时钟芯片设计用于在使用中
以太网交换机的应用程序。使用ICS的专利
锁相环(PLL)的技术,该设备采用
一个25 MHz晶振输入,并产生各种输出
在输出选择表中列出的时钟频率。
特点
封装采用16引脚TSSOP
可在Pb(铅)免费包装
3.3 V工作电压
低功耗
25 MHz的输入频率
长期的低抖动
2.5 V至3.3 V时钟输出
框图
VDD
3
VDDOA
S1:S0
2
控制
逻辑
CLKA
锁相环
CLKB
X1/ICLK
25 MHZ
晶振或时钟X2
时钟
缓冲器/
水晶
振荡器
4
GND
OE
VDDOB
可选的调谐水晶
电容器
MDS 650-40
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
1
525赛STRE等,圣乔本身, CA 9 5126
修订版060705
TE L( 40 8 ) 2 97-12 01
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
引脚分配
X1/ICLK
VDD
GND
VDDOA
CLKA
CLKB
VDDOB
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
X2
GND
OE
GND
VDD
VDD
S1
S0
输出选择表(兆赫)
S1
0
0
1
1
S0
0
1
0
1
CLKA
(兆赫)
127
133
157
189
CLKB
(兆赫)
127
133
157
189
16引脚( 173 mil)的TSSOP
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
X1/ICLK
VDD
GND
VDDOA
CLKA
CLKB
VDDOB
GND
S0
S1
VDD
VDD
GND
OE
GND
X2
TYPE
输入
动力
动力
动力
连接至+3.3 V.
连接到地面。
引脚说明
晶振或时钟输入。连接到一个25 MHz晶体或单端时钟。
连接到+2.5 V或3.3 V.对于只有时钟输出缓冲区的。
输出时钟与下拉电阻弱A输出。
输出时钟B输出与下拉电阻弱。
动力
动力
输入
输入
动力
动力
动力
输入
动力
连接到+2.5 V或3.3 V.对于只有时钟输出缓冲器B 。
连接到地面。
选择引脚0 。
选择引脚1 。
连接至+3.3 V.
连接至+3.3 V.
连接到地面。
输出使能三态输出,设备不会关机。国内
上拉电阻。
连接到地面。
输出晶体连接。悬空的时钟输入。
MDS 650-40
在TE碎电路系统
2
525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
修订版060705
电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
外部元件
被正确操作所需的外部元件的最小数量。的去耦电容
0.01
F
应连接VDD和GND对之间。该电容应放置引脚之间
VDD和GND ,和VDDO和GND ,如靠近器件成为可能。一个33Ω串联端接电阻
应在每个时钟输出使用,如果跟踪误差小于1英寸长。一个基本模式并行的25 MHz
谐振晶体应与C中使用
L
= 18 pF的。
上的片状电容器。
片上电容用于18 pF负载结晶。小2 3 PF微调
电容器被从销X1用于地面和X2与地优化初始精度。
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-40永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
MDS 650-40
在TE碎电路系统
3
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电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
DC电气特性
除非另有规定ED ,
VDD = 3.3V ± 5 % ,
环境温度0 + 70°C
参数
工作电压
输出工作电压
输入高电压, ICLK
输入低电压, ICLK
输入高电压, S1 : S0 : OE
输入低电压, S1 : S0 : OE
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
IDD的输出禁止
条件( OE低)
短路电流
内部上拉电阻
内部下拉电阻
符号
VDD
VDDOA ,B
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
条件
分钟。
3.15
2.375
典型值。
马克斯。
3.45
3.45
VDD/2-0.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
k
k
注1
注1
VDD/2+0.5
2
VDD
0.4
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
空载
空载
2
0.4
40
16
±35
250
525
I
OS
R
PUP
R
PD
每路输出
OE引脚
CLK输出
注:1,额定开关阈值VDD / 2 。
AC电气特性
,
VDD = 3.3V ± 5 % , VDDO = 2.5 - 3.3 V± 5 % ,C
L
= 10 pF的
环境温度0 + 70°C
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
频率误差
输出到输出偏斜
的同一时钟之间
频率
绝对抖动,短期P-P的
绝对抖动,短期C-C
长期抖动
符号
t
OR
t
OF
条件
20 %至80%的VDD
80%至VDD的20%
在VDD / 2
所有时钟
分钟。
典型值。
25
1.6
1.6
MAX 。单位
兆赫
ns
ns
60
250
%
PPM
ps
40
49-51
0
从平均偏差
1000个时钟周期
±100
200
250
±200
400
400
ps
ps
ps
MDS 650-40
在TE碎电路系统
4
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修订版060705
电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
热特性
( 16引脚TSSOP )
参数
热阻结到
环境
热阻结到外壳
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
78
70
68
37
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
标记图
16
9
标记图
16
9
IC
650G-40
S
######
YYWW
IC
650G40LF
S
######
YYWW
1
8
1
8
注意事项:
1. ######是很多代码。
2. YYWW是最后两位数字的一年,并且该部分被组装的周数。
3. “ LF ”表示Pb(铅)无铅封装。
4.底部标记: (原点) 。产地=国家,如果没有美国。
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ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
描述
该ICS650-40是一个时钟芯片设计用于在使用中
以太网交换机的应用程序。使用ICS的专利
锁相环(PLL)的技术,该设备采用
一个25 MHz晶振输入,并产生各种输出
在输出选择表中列出的时钟频率。
特点
封装采用16引脚TSSOP
可在Pb(铅)免费包装
3.3 V工作电压
低功耗
25 MHz的输入频率
长期的低抖动
2.5 V至3.3 V时钟输出
框图
VDD
3
VDDOA
S1:S0
2
控制
逻辑
CLKA
锁相环
CLKB
X1/ICLK
25 MHZ
晶振或时钟X2
时钟
缓冲器/
水晶
振荡器
4
GND
OE
VDDOB
可选的调谐水晶
电容器
MDS 650-40
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
1
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TE L( 40 8 ) 2 97-12 01
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
引脚分配
X1/ICLK
VDD
GND
VDDOA
CLKA
CLKB
VDDOB
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
X2
GND
OE
GND
VDD
VDD
S1
S0
输出选择表(兆赫)
S1
0
0
1
1
S0
0
1
0
1
CLKA
(兆赫)
127
133
157
189
CLKB
(兆赫)
127
133
157
189
16引脚( 173 mil)的TSSOP
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
X1/ICLK
VDD
GND
VDDOA
CLKA
CLKB
VDDOB
GND
S0
S1
VDD
VDD
GND
OE
GND
X2
TYPE
输入
动力
动力
动力
连接至+3.3 V.
连接到地面。
引脚说明
晶振或时钟输入。连接到一个25 MHz晶体或单端时钟。
连接到+2.5 V或3.3 V.对于只有时钟输出缓冲区的。
输出时钟与下拉电阻弱A输出。
输出时钟B输出与下拉电阻弱。
动力
动力
输入
输入
动力
动力
动力
输入
动力
连接到+2.5 V或3.3 V.对于只有时钟输出缓冲器B 。
连接到地面。
选择引脚0 。
选择引脚1 。
连接至+3.3 V.
连接至+3.3 V.
连接到地面。
输出使能三态输出,设备不会关机。国内
上拉电阻。
连接到地面。
输出晶体连接。悬空的时钟输入。
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在TE碎电路系统
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W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
外部元件
被正确操作所需的外部元件的最小数量。的去耦电容
0.01
F
应连接VDD和GND对之间。该电容应放置引脚之间
VDD和GND ,和VDDO和GND ,如靠近器件成为可能。一个33Ω串联端接电阻
应在每个时钟输出使用,如果跟踪误差小于1英寸长。一个基本模式并行的25 MHz
谐振晶体应与C中使用
L
= 18 pF的。
上的片状电容器。
片上电容用于18 pF负载结晶。小2 3 PF微调
电容器被从销X1用于地面和X2与地优化初始精度。
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-40永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
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在TE碎电路系统
3
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W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
DC电气特性
除非另有规定ED ,
VDD = 3.3V ± 5 % ,
环境温度0 + 70°C
参数
工作电压
输出工作电压
输入高电压, ICLK
输入低电压, ICLK
输入高电压, S1 : S0 : OE
输入低电压, S1 : S0 : OE
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
IDD的输出禁止
条件( OE低)
短路电流
内部上拉电阻
内部下拉电阻
符号
VDD
VDDOA ,B
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
条件
分钟。
3.15
2.375
典型值。
马克斯。
3.45
3.45
VDD/2-0.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
k
k
注1
注1
VDD/2+0.5
2
VDD
0.4
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
空载
空载
2
0.4
40
16
±35
250
525
I
OS
R
PUP
R
PD
每路输出
OE引脚
CLK输出
注:1,额定开关阈值VDD / 2 。
AC电气特性
,
VDD = 3.3V ± 5 % , VDDO = 2.5 - 3.3 V± 5 % ,C
L
= 10 pF的
环境温度0 + 70°C
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
频率误差
输出到输出偏斜
的同一时钟之间
频率
绝对抖动,短期P-P的
绝对抖动,短期C-C
长期抖动
符号
t
OR
t
OF
条件
20 %至80%的VDD
80%至VDD的20%
在VDD / 2
所有时钟
分钟。
典型值。
25
1.6
1.6
MAX 。单位
兆赫
ns
ns
60
250
%
PPM
ps
40
49-51
0
从平均偏差
1000个时钟周期
±100
200
250
±200
400
400
ps
ps
ps
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W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS650-40
E
THERNET
S
WITCH
C
LOCK
S
环境允许
热特性
( 16引脚TSSOP )
参数
热阻结到
环境
热阻结到外壳
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
78
70
68
37
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
标记图
16
9
标记图
16
9
IC
650G-40
S
######
YYWW
IC
650G40LF
S
######
YYWW
1
8
1
8
注意事项:
1. ######是很多代码。
2. YYWW是最后两位数字的一年,并且该部分被组装的周数。
3. “ LF ”表示Pb(铅)无铅封装。
4.底部标记: (原点) 。产地=国家,如果没有美国。
MDS 650-40
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5
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    -
    -
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