初步信息
ICS508
PECL至CMOS转换器
描述
该ICS508是最具成本效益的方式
产生高品质，高频率的CMOS
从一个PECL的时钟输入的时钟输出。
该ICS508具有独立的电源VDD为
PECL的输入缓冲器和输出缓冲器，允许
要使用不同的电压。例如，该
输入时钟可以使用3.3 V电源供电，而
输出工作在2.5 V.
该器件具有一个输出使能引脚，三态
时钟输出，当OE引脚被拉低。
该ICS508是ClockBlocks的成员
系列器件。
特点
打包为8引脚SOIC或死亡
独立的VDD电源电压允许
翻译
250兆赫 - 时钟0的频率
职务的45/55周期
操作的2.375电压为5.5 V
三态输出，用于板级测试
24 mA驱动能力
工业温度版本
先进的低功耗CMOS工艺
框图
VDDP
VDDC
PECLIN
PECLIN
产量
卜FF器
CLK
GND
OE
GND
1
修订版012400
印00年11月13日
集成电路系统公司 525赛街圣何塞 CA 95126 （ 408 ） 295-9800tel www.icst.com
MDS 508
初步信息
ICS508
PECL至CMOS转换器
引脚分配
VDDP
PECLIN
PECLIN
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDDC
CLK
GND
OE
引脚说明
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
VDDP
PECLIN
PECLIN
GND
OE
GND
CLK
VDDC
TYPE
O
I
I
P
I
P
O
P
描述
连接至3.3 V或5 V.用品PECL输入缓冲。
互补PECL时钟输入。
PECL时钟输入。
连接到地面。
输出使能。三态CLK输出低电平时。内部上拉为VDDC 。
连接到地面。
时钟输出。
连接至2.5 V或3.3 V或5 V.耗材输出缓冲器和OE引脚。
键： I =输入， O =输出， P =电源连接
2
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ICS508
PECL至CMOS转换器
电气规格
参数
电源电压VDDP和VDDC
PECL输入
时钟输出和OE引脚
工作环境温度
焊接温度
储存温度
工作电压， VDDP
工作电压， VDDC
峰峰值输入电压， PECLIN
共模范围， PECLIN
共模范围， PECLIN
输入高电压， VIH
输入低电压， VIL
输出高电压， VOH
输出高电压， VOL
输出高电压， VOH
输出高电压， VOL
输出高电压， VOH
输出高电压， VOL
片内上拉电阻
工作电源电流， IDDP
工作电源电流， IDDC
条件
参考GND
参考GND
参考GND
只有ICS508MI
10秒以内
最低
典型
最大
7
VDDP+0.5
VDDC+0.5
70
85
260
150
5.5
5.5
1
VDDP - 0.6
VDDP - 0.6
VDDC
0.8
0.4
VDDC-0.4
0.4
VDDC-0.4
0.4
250
1.5
8
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
mA
mA
绝对最大额定值（超出这些压力会永久损坏设备）
t
l
-0.5
-0.5
0
-40
-65
注1
注1
VDDP = 5 V
VDDP = 3.3 V
只有OE
只有OE
VDDC = 5 V ， IOH = -24毫安
VDDC = 5 V ， IOL = 24毫安
VDDC = 3.3 V ， IOH = -18毫安
VDDC = 3.3 V ， IOL = 18毫安
VDDC = 2.5 V ， IOH = -8毫安
VDDC = 2.5 V ， IOL = 8毫安
OE
直流特性（ VDDP = VDDC = 3.3 V除非另有说明）
D
h
3
2.375
0.3
VDDP - 3.7
VDDP - 2.0
2
VDDC-0.4
100 MHz时，无负载
100 MHz时，无负载
注1： VDDP必须ALWA有话大于或等于VDDC 。
3
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ICS508
PECL至CMOS转换器
最低
0
典型
最大
250
0.4
0.6
1
0.4
0.6
1
7
7
4
4.5
5.5
4.5
5.5
45
45
45
40
40
45
40
40
35
35
40
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
电气规格
参数
输入频率
输出时钟上升时间， 0.8 2 V
条件
交流特性（ VDDP = VDDC = 3.3V ，除非另有说明）
D
h
e
VDDC = 5 V
VDDC = 3.3 V
VDDC = 2.5 V
输出时钟下降时间， 2 V至0.8 V
VDDC = 5 V
VDDC = 3.3 V
VDDC = 2.5 V
输出使能时间， OE高到输出上
输出禁止时间， OE低到三态
传播延迟
VDDP = 5 V ， VDDC = 5 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 2.5 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 2.5 V
输出时钟占空比， 0-100 MHz的
输出时钟占空比， 100-166兆赫
任何VDD组合
VDDP = 5 V ， VDDC = 5 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 2.5 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 2.5 V
输出时钟占空比， 166-250兆赫
VDDP = 5 V ， VDDC = 5 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 5 V ， VDDC = 2.5 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 3.3 V
VDDP = 3.3 V ， VDDC = 2.5 V
20
20
6
7
9
7
9
55
55
55
60
60
55
60
60
65
65
60
4
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外部元件
该ICS508需要两个0.01μF去耦电容被连接VDDP和GND之间
之间的VDDC和GND 。它们必须连接靠近ICS508以减少引线电感。一
33
系列终端电阻可用于旁CLK引脚。
包装外形和包装尺寸
(
对于目前的尺寸规格，请参阅JEDEC发布第95号）
8引脚SOIC
符号
A
A1
E
指数
区域
H
B
C
1
2
D
A1
e
订购信息
零件/订单号
ICS508M
ICS508MT
ICS508MI
ICS508MIT
ICS508-DWF
ICS508-DPK
记号
ICS508M
ICS508M
ICS508I
ICS508I
-
-
高x 45
D
E
e
H
h
L
英寸
h
民
最大
0.0532
0.0688
0.0040 0.0098
0.0130
0.0200
0.0075 0.0098
0.1890
0.1968
0.1497
0.1574
.050 BSC
S
0.2284
0.2440
0.0099
0.0195
0.0160 0.0500
MILLIMETERS
m
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.24
0.33
0.51
0.19
0.24
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BSC
S
5.80
6.20
0.25
0.50
0.41
1.27
B
C
A
L
包
8引脚SOIC
磁带和卷轴8引脚SOIC
8引脚SOIC
磁带和卷轴8引脚SOIC
死在完整无缺，晶圆探测
在华夫包装测试裸片
温度
0至70℃
0至70℃
-40至+85 C
-40至+85 C
0至70℃
0至70℃
虽然这里介绍的信息已被检查准确性和可靠性， ICS承担其任何使用或任何专利的侵权或不负责
第三方，这将导致其使用的其他权利。没有任何其他电路，专利或许可。本产品适用于正常的商业用途。
任何其他应用程序，如那些需要扩展级温度范围，高可靠性，或其他特殊环境要求，不建议无
由ICS额外的处理。 ICS保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。 ICS不授权或担保任何ICS的产品用于生命支持应用
设备或关键的医疗器械。
5
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