集成
电路
系统公司
ICS843001I-22
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
一个3.3V或2.5V的LVPECL输出和一对
一路LVCMOS / LVTTL输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
VCO范围： 490MHz - 640MHz
输出频率范围： 490MHz - 640MHz
支持以下应用：
SONET ，以太网，光纤通道，串行ATA和HDTV
RMS相位抖动@ 125MHz的（ 1.875MHz - 20MHz的） ：
0.5ps （典型值）
全3.3V或2.5V电源模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843001I - 22是一种高度灵活的，低
相位噪声LVPECL / LVCMOS合成
HiPerClockS
它可以产生低抖动参考时钟用于
各种通信应用，并
该HiPerClocks的成员
TM
家庭高
高性能时钟解决方案，从ICS 。双
水晶接口允许合成器支持最多两个
在一个给定的应用的通信标准（例如1GB
以太网具有25MHz晶振以及1Gb光纤通道
采用25.5625MHz CR石英晶体） 。第r毫秒相位抖动
性能通常比1ps的少，从而使
设备可以接受的苛刻应用，例如使用
如OC48 SONET和10Gb以太网。该ICS843001I -22
封装在一个小型24引脚TSSOP封装。
IC
S
C
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
控制输入
OE
0
1
FL燕麦
Q / NQ
高-Z
高-Z
活跃
输出
REF_OUT
高-Z
活跃
高-Z
有两种，标准及RoHS /无铅
兼容封装
P
IN
A
SSIGNMENT
V
CCO
_
LVCMOS
N0
N1
N2
V
CCO
_
LVPECL
Q
nQ
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1
XTAL_IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
REF_OUT
V
EE
OE
M2
M1
M0
MR
SEL1
SEL0
CLK
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
B
LOCK
D
IAGRAM
3
N2:N0
SEL0
下拉
SEL1
下拉
ICS843001I-22
N
000
001
010
011
÷1
÷2
÷3
÷4
（默认）
÷5
÷6
÷8
÷10
nQ
XTAL_IN0
OSC
XTAL_OUT0
00
11
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
Q
XTAL_IN1
OSC
XTAL_OUT1
下拉
01
相
探测器
VCO
490MHz -640MHz
10
01
00
100
101
110
111
CLK
10
11
000
001
010
011
100
101
M
÷18
÷22
÷24
÷25
÷32
（默认）
÷40
MR
M2:M0
下拉
3
REF_OUT
OE
上拉/下拉
843001AGI-22
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
输出电源引脚。
输出分频器选择引脚。默认值= ÷ 4 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。请参阅表3C 。
下拉
差分输出对。 LVPECL接口电平。
负电源引脚。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT1是输出，
XTAL_IN1是输入。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT0是输出，
XTAL_IN0是输入。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
下拉输入MUX选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3D 。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出Q变为低电平和INVER泰德输出NQ
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉反馈分频器选择引脚。默认值= ÷ 32 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。请参阅表3B 。
上拉
三态时钟输出使能（高/低/浮动） 。
请参阅第1 ，控制输入功能表。
参考时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 5
2, 3
4
6, 7
8, 23
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
19, 20
21
22
24
名字
V
CCO_LVCMOS ，
V
CCO_LVPECL
N0, N1
N2
Q， NQ
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1,
XTAL_IN1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
CLK
SEL0 ， SEL1
MR
M0, M1
M2
OE
REF_OUT
动力
输入
输入
OUPUT
动力
动力
动力
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
产量
注意：
下拉和上拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
输入下拉电阻
输入上拉电阻
输出阻抗
REF_CLK
测试条件
最低
典型
4
51
51
15
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
Ω
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C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
输出频率
（兆赫）
74.25
70
74.25
200
74.1758245
155.52
77.76
622.08
311.04
156.25
250
125
62.5
100
150
75
106.25
212.5
159.375
187.5
HDTV
处理器
HDTV
SONET
SONET
SONET
SONET
10千兆以太网
ETHERNET
1千兆
1千兆
PCI Express的
SATA
SATA
光纤信道1
4千兆光纤通道
10千兆光纤通道
12千兆以太网
T
ABLE
3A 。
OMMON
C
ONFIGURATIONS
T
ABLE
输入
参考时钟频率（MHz ）
27
22.4
24.75
25
14.8351649
19.44
19.44
19.44
19.44
19.53125
20
25
25
25
25
25
26.5625
26.5625
26.5625
31.25
M分频器值
22
25
24
24
40
32
32
32
32
32
25
25
25
24
24
24
24
24
24
18
N分频器值
8
8
8
3
8
4
8
1
2
4
2
5
10
6
4
8
6
3
4
3
VCO （兆赫）
594
560
59 4
60 0
593.4066
622.08
622.08
622.08
622.08
625
500
625
625
60 0
600
60 0
637.5
637.5
637.5
562.5
应用
HDTV
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
M O对
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
M2
0
0
0
0
1
1
M1
0
0
1
1
0
0
M0
0
1
0
1
0
1
M分频器
价值
18
22
24
25
32
40
输入频率（MHz）
最低
27.22
22.27
20.41
19.6
15.31
12.25
最大
35.56
29.09
26.67
25.6
20
16
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
N 2 O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
分频值
1
2
3
4
（默认）
5
6
8
10
T
ABLE
3D 。 B
YPASS
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
SEL1
0
0
1
1
843001AGI-22
SEL0
0
1
0
1
参考
输入
XTAL0
XTAL1
CLK
CLK
PLL模式
活跃
活跃
活跃
绕行
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C
锁
C
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/ LVCMOS-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-0.5V到V
CCO
+ 0.5V
70 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
（ LVPECL ）
连续电流
浪涌电流
产出，V
O
（ LVCMOS ）
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVCMOS ，
V
CCO_LVPECL
= 3.3V ±10 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_LVPECL ，
V
CCO_LVCMOS
I
EE
I
CCO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.97
2.97
2.97
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.63
3.63
3.63
160
8
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVCMOS ，
V
CCO_LVPECL
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
测试条件
最低
2.375
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
2.625
155
8
单位
V
V
V
mA
mA
V
CCO_LVPECL ，
输出电源电压
V
CCO_LVCMOS
I
EE
I
CCO
电源电流
输出电源电流
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集成
电路
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ICS843001I-22
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V ， 2.5V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
V
CC
= 3.3V ± 10%
V
CC
= 2.5V ± 5%
最小典型
2
1.7
最大
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
CC
= 3.3V ± 10%
-0.3
-0.3
0.8
0.7
150
5
V
V
A
A
A
V
CC
= 2.5V ± 5%
V
CC
= V
IN
= 3.63V
或2.625V
V
CC
= V
IN
= 3.63V
或2.625V
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVCMOS
= 3.3V±10%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IM
V
IL
参数
输入高电压
输入中压
输入低电压
CLK ， SEL0 ， SEL1 ， MR，
M 0， M 1 ，N 2，参考
M2， N0，N1
I
IH
输入
HIGH CURRENT
输入
中等电流
输入
低电流
I
IM
CLK ， SEL0 ， SEL1 ， MR，
M 0， M 1 ，N 2，参考
M2 ， N0 ， N1 ， OE
V
CC
= 3.63V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
CC
= 3.63V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
CCO_LVCMOS
= 3.63V
-5
-150
2.6
A
A
V
V
0.5
V
I
IL
V
CCO_LVCMOS
= 2.625V
1.8
V
CCO_LVCMOS
= 3.63V
V
OL
输出低电压：注1
或2.625V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO _LVCMOS
/ 2 。参见参数测量信息科
"Output负载测试电路Diagram" 。
V
OH
输出高电压;注1
T
ABLE
4D 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVPECL
= 3.3V±10%
OR
2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO_LVPECL
- 2V.
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
14
测试条件
最低
典型
最大
35.55
50
7
1
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
mW
基本
843001AGI-22
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一个2005年8月1日
QQ：2880707522 复制
