ICS426
串行ATA /光纤通道时钟合成器
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS426必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-18pF )* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如:对于一个20 pF的晶体
负载电容,每个晶体电容器将是4 pF的
[(20-18) x 2] = 20.
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1) 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
到VDD引脚越好。没有通孔,应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话,也应在PCB走线通过地面。
2)外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间,相反,他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 )为了减少EMI的33Ω串联端接电阻,
如果需要的话,应放置在靠近给时钟输出。
4)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS426 。这包括信号线刚
该装置的下面,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线(一
常用的走线阻抗) ,放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线,尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
晶体和器件之间。水晶电容,如果
需要的话,必须从各个销X1的连接
和X2接地。
MDS 426 B
集成电路系统公司
q
3
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
q
修订版091102
电话:( 408 ) 295-9800
q
www.icst.com
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串行ATA /光纤通道时钟合成器
相位噪声图
25 MHz晶振输入, 106.25 MHz的CLK输出。
相位噪声106.25 M Hz的
0
-20
-40
L( F) dBc的
-60
-80
-100
-120
-140
1E+3
10E+3
100E+3
偏移频率
1E+6
10E+6
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS426永久性损坏。这些评价,其中
对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
175°C
260°C
等级
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串行ATA /光纤通道时钟合成器
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.13
+3.3
典型值。
马克斯。
+70
+3.46
单位
°C
V
DC电气特性
除非另有说明, VDD = 3.3V ± 5 % ,环境温度0 + 70°C
参数
工作电压
电源电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出高电压
输出低电压
短路电流
在片内上拉电阻
输入电容
符号
VDD
国际直拨电话
V
IH
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
I
OS
R
PU
C
IN
条件
空载
OE , S0 , S1
OE , S0 , S1
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
CLK输出
OE , S0 , S1
OE , S0 , S1
分钟。
3.13
2
典型值。
3.3
22
马克斯。
3.47
单位
V
mA
V
0.8
VDD-0.4
2.4
0.4
±50
150
5
V
V
V
V
mA
k
pF
AC电气特性
除非另有说明, VDD = 3.3V ± 5 % ,环境温度0 + 70°C
参数
输入频率
输出时钟占空比
输出上升时间
输出下降时间
短期抖动
长期抖动
相位噪声
符号
F
IN
t
OR
t
OF
条件
晶振或时钟输入
测量VDD / 2 ,注1
0.8 2.0V ,注1
2.0 0.8V ,注1
峰值到峰值,注1
测过1000次循环;
峰值到峰值,注1
106.25M CLK,相对于载体,
100 Hz的偏移
106.25M CLK,相对于载体,
为1kHz偏移
106.25M CLK,相对于载体,
10 kHz偏置
106.25M CLK,相对于载体,
100 kHz偏置
分钟。
45
典型值。
25
50
1
1
±70
170
-90
-115
-121
-116
马克斯。
55
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ps
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
注1:与15 pF负载。
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去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS426必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-18pF )* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如:对于一个20 pF的晶体
负载电容,每个晶体电容器将是4 pF的
[(20-18) x 2] = 20.
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1) 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
到VDD引脚越好。没有通孔,应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话,也应在PCB走线通过地面。
2)外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间,相反,他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 )为了减少EMI的33Ω串联端接电阻,
如果需要的话,应放置在靠近给时钟输出。
4)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS426 。这包括信号线刚
该装置的下面,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线(一
常用的走线阻抗) ,放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线,尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
晶体和器件之间。水晶电容,如果
需要的话,必须从各个销X1的连接
和X2接地。
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相位噪声图
25 MHz晶振输入, 106.25 MHz的CLK输出。
相位噪声106.25 M Hz的
0
-20
-40
L( F) dBc的
-60
-80
-100
-120
-140
1E+3
10E+3
100E+3
偏移频率
1E+6
10E+6
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS426永久性损坏。这些评价,其中
对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
175°C
260°C
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参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
0
+3.13
+3.3
典型值。
马克斯。
+70
+3.46
单位
°C
V
DC电气特性
除非另有说明, VDD = 3.3V ± 5 % ,环境温度0 + 70°C
参数
工作电压
电源电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出高电压
输出低电压
短路电流
在片内上拉电阻
输入电容
符号
VDD
国际直拨电话
V
IH
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
I
OS
R
PU
C
IN
条件
空载
OE , S0 , S1
OE , S0 , S1
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
CLK输出
OE , S0 , S1
OE , S0 , S1
分钟。
3.13
2
典型值。
3.3
22
马克斯。
3.47
单位
V
mA
V
0.8
VDD-0.4
2.4
0.4
±50
150
5
V
V
V
V
mA
k
pF
AC电气特性
除非另有说明, VDD = 3.3V ± 5 % ,环境温度0 + 70°C
参数
输入频率
输出时钟占空比
输出上升时间
输出下降时间
短期抖动
长期抖动
相位噪声
符号
F
IN
t
OR
t
OF
条件
晶振或时钟输入
测量VDD / 2 ,注1
0.8 2.0V ,注1
2.0 0.8V ,注1
峰值到峰值,注1
测过1000次循环;
峰值到峰值,注1
106.25M CLK,相对于载体,
100 Hz的偏移
106.25M CLK,相对于载体,
为1kHz偏移
106.25M CLK,相对于载体,
10 kHz偏置
106.25M CLK,相对于载体,
100 kHz偏置
分钟。
45
典型值。
25
50
1
1
±70
170
-90
-115
-121
-116
马克斯。
55
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ps
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
注1:与15 pF负载。
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