ICS4231-03
低EMI时钟发生器
描述
该ICS4231-03产生低的EMI输出时钟
从一个时钟或晶体的输入。该设备使用ICS “
模拟和数字相混合的专有锁定
路(PLL)技术来传播频率
光谱输出,从而降低了频率
振幅峰值几个分贝。
该ICS4231-03提供四种不同的中心,倒
蔓延的选择。参考MK1714-01 / 02的
最广泛的选择输入频率和乘数。
ICS提供EMI降低时钟的整条生产线
发电机。请咨询我们,当你需要删除
晶体和振荡器从您的电路板。
特点
引脚和功能兼容赛普拉斯W42C31-03
封装采用8引脚SOIC (无铅可用)
提供了一种扩展频谱输出时钟
接受一个时钟或晶体输入,并提供相同的
频率抖动输出
为10 33兆赫的输入时钟频率
峰值减少了8分贝 - 3日14分贝典型 - 19
奇次谐波
传播比例的选择
±
1.875%,
±
1.0%,
和-2.0 %
5V的工作电压
先进的低功耗CMOS工艺
框图
VDD
FS1 : 0
OE #
PLL时钟
合成
和传播
SPECTRUM
电路
CLK
X1/CLKIN
X2
时钟缓冲器/
水晶
振荡器
GND
MDS 4231-03一
1
●
修订版110404
电话:( 408 ) 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
在TE碎电路系统
●
5月25日比赛应力状态吨,圣何塞,加利福尼亚州951 26
ICS4231-03
L
OW
EMI
LOCK
G
enerator
引脚分配
X1/CLKIN
X2
GND
FS0
1
2
3
4
8
7
6
5
OE #
FS1
VDD
CLKOUT
输出使能功能表
OE #
(引脚8 )
0
1
输出状态
运行
三州
8引脚( 150 mil)的SOIC
0 =连接到GND
1 =直接连接到VDD
注: OE #引脚具有内部下拉电阻
频率范围和传播表
FS1
(引脚7 )
FS0
(引脚4 )
时钟输入
频率
(兆赫)
10-20
10-20
20-33
20-33
晶振输入
频率
(兆赫)
10-20
10-20
20-25
20-25
扩展量
0
0
1
1
0
1
0
1
±
1.875%
±
1.0%
±
1.875%
-2.0%
注: FS1 : 0具有内部上拉电阻
引脚说明
针
数
针
名字
PIN TYPE
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
X1/CLKIN
X2
GND
FS0
CLKOUT
VDD
FS1
OE #
输入
产量
动力
输入
产量
动力
输入
输入
晶振或时钟输入。
晶振输出。浮动的时钟输入。
连接到地面。
选择引脚输入频率和传播量。请参见上表。国内
上拉电阻。
每桌上面的扩频时钟输出。
连接到5V 。
选择引脚输入频率和传播量。请参见上表。国内
上拉电阻。
输出使能。低电平有效。请参见上表。内部下拉电阻。
MDS 4231-03一
2
●
修订版110404
电话:( 408 ) 297-1 201
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L
OW
EMI
LOCK
G
enerator
外部元件
该ICS4231-03需要的最小数量
外部元件的正常工作。
这些电容器的值由下式给出
公式:
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1) 0.01μF去耦电容应安装
在电路板的元件侧靠近
VDD引脚的位置。无孔应与使用
去耦电容, VDD引脚。 PCB走线
到VDD引脚应保持尽可能的短,以
应在PCB走线通过地面。
2 )为了减少EMI的33Ω串联端接电阻,
如果需要的话,应放置在靠近给时钟输出。
3)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS4231-03 。这包括信号线
只是在器件下方,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
VDD和GND引脚6和3中,作为接近之间
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能,去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
系列终端电阻
当时钟的输出和之间的PCB迹线
负荷超过1英寸,应使用一系列终止。
以系列终止50Ω迹(常用
走线阻抗)放置一个33Ω的电阻串联
时钟线,尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS4231-03永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
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OW
EMI
LOCK
G
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DC电气特性
除非另有说明, VDD = 5V ,
±
10 % ,环境温度0 + 70°C
参数
工作电压
电源电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入电容
负载电容
输出阻抗
输入上拉电阻
开机时间
符号
VDD
国际直拨电话
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
C
IN
条件
无负载,电压为3.3V
分钟。
4.5
0.7VDD
典型值。
5
18
马克斯。
5.5
32
0.15VDD
单位
V
mA
V
V
V
V
pF
pF
K
I
OH
= -24mA
I
OL
= 24毫安
除了X1 , X2全部引脚
X1,X2,所看到的
XTAL ,注1
2.5
0.4
5
17
20
500
7
大败
首先锁定时钟
电源循环后,
良好
5
ms
注1 :引脚X1和X2各有34 pF的电容。当与一个晶体所用的总组合
电容所看到的晶体为17 pF的。如果找到X1与时钟输入端,负载电容将
34 pF的。
AC电气特性
除非另有说明, VDD =
5V±10%
,环境温度0 + 70 ° C,C
L
=15pf
参数
输入频率
输出频率
输入时钟的占空比
输出时钟占空比
输出上升时间
输出下降时间
抖动
谐波抑制
注1 :测量与15pF的负载
符号
条件
输入时钟
时间高于VDD / 2
注1
分钟。
10
10
40
45
典型值。
MAX 。单位
33
33
60
兆赫
兆赫
%
%
ns
ns
ps
dB
50
2
2
55
5
5
300
t
OR
t
OF
0.8 2.4V ,注1
2.4至0.8V ,注1
周期到周期
8
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热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热阻结到外壳
标记图
8
5
4231M-03
######
YYWW
1
4
标识图(无铅)
8
5
4231M03L
######
YYWW
1
4
注意事项:
1. ######是批号。
2. YYWW是年份和星期的最后两位数字
该部件被组装起来。
3. “L ”表示Pb(铅)无铅封装。
4.底部标记:原产国。
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